[理學(xué)]模電ch2_1晶體管三極管及其放大電路-展示頁(yè)
2024-12-17 00:56本頁(yè)面
【正文】 電子技術(shù) 114 BJT的主要參數(shù) （ 2）共基極電流放大系數(shù)： BCII??BCii??＝?ECII＝?ECii??＝?i CE △ =20uA (mA) B =40uA I C u =0 (V) =80uA I △ B B B I B i I B I =100uA C B I =60uA i 一般取 20~200之間 38A60 BC ????? II40A40)(60 mA)(BC ??????? ii＝（ 1）共發(fā)射極電流放大系數(shù)： 模擬電子技術(shù) 115 BJT的主要參數(shù) — 極間反向電流 （ 2）集電極發(fā)射極間的穿透電流 ICEO 基極開(kāi)路時(shí)，集電極到發(fā)射極間的電流 —— 穿透電流 。 ICEO 放大區(qū) —— 曲線基本平行等 距。 截止區(qū) —— iC接近零的區(qū)域，相當(dāng) iB=0的曲線的下方。 iCCE ( V )( m A )= 6 0 u AI Bu=0BBII= 2 0 u ABI = 4 0 u AB = 8 0 u AI= 1 0 0 u AI B模擬電子技術(shù) 113 BJT的共射特性曲線 — 輸 出特性 飽和區(qū) —— iC受 uCE顯著控制的區(qū)域，該區(qū)域內(nèi) uCE＜ uBE 。 所以 uCE再增加，iC基本保持不變。 （ 3） 當(dāng) uCE ＞ 1V后，收集電子的能力足夠強(qiáng)。 （ 1）當(dāng) uCE=0 V時(shí)，因集電極無(wú)收集作用， iC=0。特性曲線將向右稍微移動(dòng)一些。 i(V )(u A )BE8040Bu= 0 VuCE＞ 1VCEu（ 3） uCE ≥1V再增加時(shí)，曲線右移很不明顯。 4）因此形成了被放大的反向穿透電流 ICEO。 2） ICBO從基極流向發(fā)射結(jié)，引起發(fā)射極電子發(fā)射。 Ic = ? ? Ib， IEN EPIIEBICNICICBOINNPBBVCCVRbRCebc模擬電子技術(shù) 110 晶體管的電流放大 — 電流放大 晶體管的反向電流 ICBO： 發(fā)射極開(kāi)路時(shí)， cb之間的反向電流，這一電流相當(dāng)于單個(gè) pn結(jié)的反向漏電流。 故對(duì)于一只特定的三極管， ?和 ?值可以近似看為不變的常數(shù)。 模擬電子技術(shù) 19 晶體管的電流放大 — 放大作用 當(dāng) be之間的正向電壓加大時(shí)，將會(huì)有更多的電子從射區(qū)擴(kuò)散到基區(qū)（ Ie增大 ），同時(shí)到達(dá)集電極的電子也會(huì)增加（ Ic增大 ），基區(qū)內(nèi)復(fù)合的電子數(shù)也會(huì)增加（ Ib增大 ）。 三個(gè)電極上的電流關(guān)系 : IE =IC+IB 模擬電子技術(shù) 17 晶體管的電流放大 — 電流分配 IEN EPIIEBICNICICBOINNPBBVCCVRbRCebc定義： ECNII＝?ECBOECIIII???＋＝(1)IC與 I E之間的關(guān)系 : 所以 : ECII??其值的大小約為 ～ 。 NNPBBVCCVRbRCebcIEN EPIIEBI模擬電子技術(shù) 16 晶體管的電流放大 — 載流子傳輸 （ 3）因?yàn)榧娊Y(jié)反偏，收集擴(kuò)散到集電區(qū)邊緣的電子，形成電流 ICN 。 所以 基極電流 I B ≈ I BN 。 （ 2）發(fā)射區(qū)的電子注入基區(qū)后，變成了少數(shù)載流子。 但其數(shù)量小，可忽略 。 若在放大工作狀態(tài)： 發(fā)射結(jié)正偏： + UCE － ＋ UBE － ＋ UCB － 集電結(jié)反偏： 由 VBB保證 由 VCC、 VBB保證 UCB=UCE UBE 0 NNPBBVCCVRbRCebc共發(fā)射極接法 c區(qū) b區(qū) e區(qū) 模擬電子技術(shù) 15 晶體管的電流放大 — 載流子傳輸 （ 1）因?yàn)榘l(fā)射結(jié)正偏，所以發(fā)射區(qū)向基區(qū)注入電子 ， 形成了擴(kuò)散電流 IEN 。 （ 2）基區(qū)要制造得很薄且濃度較低。 BJT是由兩個(gè) PN結(jié)組成的 。模擬電子技術(shù) 11 模擬電子技術(shù) 12 晶體三級(jí)管 (雙極三極管） 半導(dǎo)體三極管 ， 也叫晶體三極管 。 由于工作時(shí) ，多數(shù)載流子和少數(shù)載流子都參與運(yùn)行 ， 因此 ， 還被稱為 雙極型晶體管 （ 簡(jiǎn)稱 BJT） 。 模擬電子技術(shù) 13 晶體管的結(jié)構(gòu)和類(lèi)型 NPN型 PNP型 符號(hào) : bceebc 三極管的結(jié)構(gòu)特點(diǎn) : （ 1）發(fā)射區(qū)的摻雜濃度＞＞集電區(qū)摻雜濃度。 N N P 發(fā)射區(qū) 集電區(qū) 基區(qū) 發(fā)射結(jié) 集電結(jié) e c b 發(fā)射極 集電極 基極 P P N 發(fā)射區(qū) 集電區(qū) 基區(qū) 發(fā)射結(jié) 集電結(jié) e c b 發(fā)射極 集電極 基極 模擬電子技術(shù) 14 晶體管的電流放大 三極管在工作時(shí)要加上適當(dāng)?shù)闹绷髌秒妷骸?同時(shí)從基區(qū)向發(fā)射區(qū)也有空穴的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)，形成的電流為 IEP。 所以發(fā)射極電流 I E ≈ I EN 。少部分遇到的空穴復(fù)合掉，形成 IBN。 大部分到達(dá)了集電區(qū)的邊緣。 NNPBBVCCVRbRCebcIEN EPIIEBICNICICBOI 另外，集電結(jié)區(qū)的少子形成漂移電流 ICBO。 模擬電子技術(shù) 18 晶體管的電流放大 — 電流分配 (2)IC與 I B之間的關(guān)系： NNPBBVCCVRbRCebcIEN EPIIECNICICBOI得： CB OBCCB OEC IIIIII ）＋＋（＝＋＝ ??所以 ： C B OBC 111 III ???－＋－＝BCE OBC IIII ?? ?＋＝得： ???－＝ 1定義 ： C B OIII )1(11C B OC E O ?? ??－＝BI稱為 共發(fā)射極直流電流放大系數(shù) 。 Ie 、 Ic和 Ib三者之間的比例基本不變。常用的三極管， ?值在數(shù)十到數(shù)百之間。 ICEO：（ 反向穿透電流 ）基極開(kāi)路時(shí)， ce之間的反向電流，有： C B OC E O II )1
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