模擬電子技術(shù)康華光第4章雙極型三極管及放大電路基礎(chǔ)-1-文庫(kù)吧資料
2025-01-06 09:12本頁(yè)面
【正文】 乙放大電路的增益為 20dB” ，問(wèn)哪個(gè)電路的增益大？四種增益其中 工程上常用對(duì)數(shù)增益，以分貝（ dB）表示3. 對(duì)數(shù)增益（放大倍數(shù)用分貝值表示） 電壓增益可表示為 在輸入正弦信號(hào)情況下，輸出隨輸入信號(hào)頻率連續(xù)變化的穩(wěn)態(tài)響應(yīng)，稱(chēng)為放大電路的 頻率響應(yīng) 。3. 輸出電阻利用測(cè)得電壓 V39。信號(hào)源 負(fù)載輸入端口可以等效為一個(gè) 輸入電阻 輸出端口可以等效為一個(gè) 輸出電阻 放大電路模型（ 緒論內(nèi)容 ）放大電路模型負(fù)載開(kāi)路時(shí)的電壓增益由輸出回路得則電壓增益為1. ☆ 電壓放大電路的幾種增益輸 入電 阻輸出電阻放大電路模型電壓放大模型電流放大模型 關(guān)心輸出電流與輸入電流的關(guān)系電流放大電路模型由 可見(jiàn) ， Ri是反映放大電路對(duì)信號(hào)源衰減的重要參數(shù) , Ri應(yīng)盡量大一些。信號(hào)放大的概念電壓增益（電壓放大倍數(shù)） 電流增益互阻增益 互導(dǎo)增益信號(hào)源 負(fù)載放大的四種類(lèi)型： 放大電路是一個(gè)雙口網(wǎng)絡(luò)。 直流電源 提供的，只是經(jīng)過(guò)三極管的控制，使之轉(zhuǎn)換成信號(hào)能量，提供給負(fù)載。① 信號(hào)源， ② 放大電路， ③ 負(fù)載 （ ① 當(dāng) RL??時(shí)，稱(chēng)為開(kāi)路； ② 負(fù)載可以是電阻 ,也可以 是電路等 ） 。 放大電路的基本知識(shí)基本放大電路組成框圖基本放大電路組成框圖 基本放大電路一般是指由一個(gè)三極管與相應(yīng)元件組成的三種基本組態(tài)放大電路 ,放大電路有幾個(gè)部分組成 。 A、 NPN型鍺管 B、 PNP型鍺管 C、 PNP型硅管 2V、 6V、 ， 則該管（ ）。 A、升高 B、降低 C、不變 PNP型三極管來(lái)說(shuō)，當(dāng)其工作于放大狀態(tài)時(shí)，（ ）極的電位最低。 A、高 B、低 C、一樣，三極管的電流放大系數(shù) β（ ）。 A、發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏 B、發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏 C、發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏 ，三極管的穩(wěn)定性能（ ）。 A、 40 B、 50 C、 60 （ ）。 A、 B、 C、 ， 。3. 極限參數(shù)：ICUCE=PCMICMU(BR)CEO安全工作區(qū)由三個(gè)極限參數(shù)可畫(huà)出三極管的安全工作區(qū)由三個(gè)極限參數(shù)可畫(huà)出三極管的安全工作區(qū)ICUCEO（ ）。高會(huì)燒壞三極管。手冊(cè)上給出的數(shù)值是 25?C、 基極開(kāi)路時(shí)的基極開(kāi)路時(shí)的擊穿電壓擊穿電壓 U(BR) CEO。 當(dāng)集當(dāng)集 —— 射極之間的電壓射極之間的電壓 UCE 超過(guò)一定的數(shù)值時(shí)，三極超過(guò)一定的數(shù)值時(shí)，三極管就會(huì)被擊穿。度特性較差。相應(yīng)增加。受溫度的影響大。受溫度的影響大。求。IB=020?A40?A60?A80?A100?A3 6iC(mA )1234vCE(V)9 120Q1Q2在在 Q1 點(diǎn)，有點(diǎn)，有由由 Q1 和和 Q2點(diǎn)，得點(diǎn)，得在以后的計(jì)算中，一般作近似處理：在以后的計(jì)算中，一般作近似處理： ? = ? 。常用晶體管的常用晶體管的 ? 值在值在 20 ~ 200之之間。注意：注意： 和和 ? 的含義不同，但在特性曲線近于平行等距并且的含義不同，但在特性曲線近于平行等距并且ICE0 較小的情況下，兩者數(shù)值接近。放大 飽和 截止 主要參數(shù)主要參數(shù)? 1. 電流放大系數(shù)電流放大系數(shù) ?? ， ?直流電流放大系數(shù)定義直流電流放大系數(shù)定義 交流電流放大系數(shù)定義交流電流放大系數(shù)定義當(dāng)晶體管接成發(fā)射極電路時(shí)，當(dāng)晶體管接成發(fā)射極電路時(shí)， 表示晶體管特性的數(shù)據(jù)稱(chēng)為晶體管的參數(shù)，晶體管的參數(shù)表示晶體管特性的數(shù)據(jù)稱(chēng)為晶體管的參數(shù)，晶體管的參數(shù)也是設(shè)計(jì)電路、選用晶體管的依據(jù)。 放大 ,硅管 截止 飽和+正偏 反偏+ +正偏 反偏+放大 VcVbVe 放大 VcVbVe例 1：若將 為 ?例 2： 圖中已標(biāo)出各硅晶體管電極的電位，判斷晶體管的狀態(tài)。(2) 飽和區(qū) :Je正偏， Jc正偏 ； 即 vCE?vBE ， vCE? ； iC ?iB 。 深度飽和時(shí)， 硅管 vCES ? ， 鍺管 vCES ? 。飽和區(qū)截止區(qū)截止區(qū)（（ 3）飽和區(qū)）飽和區(qū) 當(dāng) vCE? vBE時(shí) ， 晶體管工作于飽和狀態(tài)。+bceRLiB=020?A40?A60?A80?A100?A3 6iC(mA )1234vCE(V)9 12O（（ 2）截止區(qū)）截止區(qū)iB ＝＝ 0 以下區(qū)域?yàn)橐韵聟^(qū)域?yàn)?截止區(qū)，有截止區(qū)，有 iC =ICEO? 0 。(3) 輸入特性曲線的三個(gè)部分① 死區(qū) ② 非線性區(qū)③ 線性區(qū) 結(jié)論：整體是非線性的，局部可看作是線性的2. 輸出特性IB=020?A40?A60?A80?A100?A3 6iC(mA)1234vCE(V)9 12O放大區(qū)輸出特性曲線通常分三個(gè)工作區(qū)：輸出特性曲線通常分三個(gè)工作區(qū)：(1) 放大區(qū) 在放大區(qū)有 iC=? iB ，也 稱(chēng)為 線性區(qū) ，具有恒流特性。 電流分配關(guān)系IE＝ IC＋ IB（ 3） （ 4）（ 2）（ 1）☆☆ （ 5）電流放大系數(shù) 發(fā)射極是輸入回路、輸出回路的公共端發(fā)射極是輸入回路、輸出回路的公共端 1. 共發(fā)射極電路輸入回路 輸出回路ICVBBmA
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