【正文】 求電壓放大倍數(shù)。，作出直流負(fù)載線 VCE=VCC－ ICRc，與IBQ曲線的交點(diǎn)即為 Q點(diǎn)，從而得到 VCEQ 和 ICQ。Date4849河北工程大學(xué) 信電學(xué)院電子技術(shù)基礎(chǔ)OiB = 0QuCE/ViC / mAACBD E交流負(fù)載線② 放大電路的動(dòng)態(tài)范圍放大電路要想獲得大的不失真輸出幅度，要求： ? 工作點(diǎn) Q要設(shè)置在輸出特性曲線放大區(qū)的中間部位；? 要有合適的交流負(fù)載線。Date4647河北工程大學(xué) 信電學(xué)院電子技術(shù)基礎(chǔ)iC 、 uCE (uo )波形失真NPN 管截止失真時(shí)的輸出 uo 波形。AuBE/ViB / 181。Date4445河北工程大學(xué) 信電學(xué)院電子技術(shù)基礎(chǔ)當(dāng)工作點(diǎn)進(jìn)入飽和區(qū)或截止區(qū)時(shí)，將產(chǎn)生非線性失真 。 交流負(fù)載線是有交流輸入信號(hào)時(shí) 工作點(diǎn)的運(yùn)動(dòng)軌跡。 R39。Date4041河北工程大學(xué) 信電學(xué)院電子技術(shù)基礎(chǔ)(3) 列輸出回路方程（直流負(fù)載線）：VCE=VCC－ ICRc(4) 在輸出特性曲線上，作出直流負(fù)載線 VCE=VCC－ ICRc，與 IBQ曲線的交點(diǎn)即為 Q點(diǎn)，從而得到 VCEQ 和 ICQ。過(guò)程：或者 1. 先用估算的方法計(jì)算輸入回路 IBQ、 UBEQ。一般用 IB、 IC、和 VCE （或 IBQ、 ICQ、和VCEQ ） 表示。 動(dòng)態(tài)： 輸入信號(hào)不為零時(shí)，放大電路的工作狀態(tài)，也稱 交流工作狀態(tài) 。Date3334河北工程大學(xué) 信電學(xué)院電子技術(shù)基礎(chǔ)輸入回路（基極回路） 輸出回路（集電極回路） 共射極基本放大電路共射極基本放大電路Date3435河北工程大學(xué) 信電學(xué)院電子技術(shù)基礎(chǔ)該電路也稱 阻容耦合 單管共射放大電路。 5． 輸 出回路的接法 應(yīng)該 使集 電 極 電 流的 變 化量 △ iC 能夠轉(zhuǎn)化為集電極電壓的變化量 △ uCE， 并傳送到放大電路的輸出端。　 2． 設(shè) 置直流 電 源， 為電 路提供能源。 共射極放大電路Date3132河北工程大學(xué) 信電學(xué)院電子技術(shù)基礎(chǔ) 共射極放大電路的組成共射極放大電路的組成VT： NPN 型三極管，為放大元件；VCC： 為輸出信號(hào)提供能量；RC： 當(dāng) iC 通過(guò)電阻，將電流的變化轉(zhuǎn)化為集電極電壓的變化，傳送到電路的輸出端；VBB (Rb)： 為發(fā)射結(jié)提供正向偏置電壓，提供靜態(tài)基極電流 (靜態(tài)基流 )。核心元件： 雙極型三極管 和場(chǎng)效應(yīng)管。小能量對(duì)大能量的控制作用稱為 放大作用 。解：解：Date3031河北工程大學(xué) 信電學(xué)院電子技術(shù)基礎(chǔ)補(bǔ)充：放大的概念　　本質(zhì)： 實(shí)現(xiàn)能量的控制。管型為 NPN管。　　 電流的正方向和 KCL。 IA＝ 2mA,IB＝ ,IC＝ +,試判斷管腳、管型?！?　 安全工作區(qū) 同時(shí)要受 PCM、 ICM 和 U(BR)CEO限制?！?　 U(BR)CEO： 基極開(kāi)路時(shí)，集電極和發(fā)射極之間的反向擊穿電壓。2. 集電極最大允許耗散功率 PCM過(guò)損耗區(qū)安全 工 作 區(qū) 將 IC 與 UCE 乘積等于規(guī)定的 PCM 值各點(diǎn)連接起來(lái)，可得一條雙曲線。值 愈大，則該管的 ICEO 也愈大。飽和管壓降 UCES V(硅管 )， UCES 0. 2 V(鍺管 )飽和區(qū)飽和區(qū)飽和區(qū)Date2223河北工程大學(xué) 信電學(xué)院電子技術(shù)基礎(chǔ)[例 1]:三極管工作狀態(tài)的判斷例：測(cè)量某硅材料 NPN型 BJT各電極對(duì)地的電壓值如下，試判別管子工作在什么區(qū)域？（（ 1）） VC ＝＝ 6V　　 　　 VB ＝＝ 　　 VE ＝＝ 0V（（ 2）） VC ＝＝ 6V　　 　　 VB ＝＝ 4V　　 VE ＝＝ （（ 3）） VC ＝＝ 3V　　 VB ＝＝ 4V　　 VE ＝＝ 3V解：原則：正偏反偏反偏集電結(jié)正偏正偏反偏發(fā)射結(jié)飽和放大截止對(duì) NPN管而言，放大時(shí) VC ＞＞ VB ＞＞ VE （ 1）放大區(qū)（ 2）截止區(qū)（ 3）飽和區(qū)　Date2324河北工程大學(xué) 信電學(xué)院電子技術(shù)基礎(chǔ)一、電流放大系數(shù)表征管子放大作用的參數(shù)，有以下幾個(gè)：1. 共射電流放大系數(shù) ?2. 共射直流電流放大系數(shù)忽略穿透電流 ICEO 時(shí)，　　 BJT的主要參數(shù)的主要參數(shù)Date2425河北工程大學(xué) 信電學(xué)院電子技術(shù)基礎(chǔ)3. 共基電流放大系數(shù) ?4. 共基直流電流放大系數(shù)忽略反向飽和電流 ICBO 時(shí)，? 和 ? 這兩個(gè)參數(shù)不是獨(dú)立的，而是互相聯(lián)系，關(guān)系為：Date2526河北工程大學(xué) 信電學(xué)院電子技術(shù)基礎(chǔ)二、極間反向飽和電流1. 集電極和基極之間的反向飽和電流 ICBO ICEO(a)ICBO測(cè)量電路(b)ICEO測(cè)量電路ICBO ceb?AICEO?Aceb 小功率鍺管 ICBO 約為幾微安；硅管的 ICBO 小，有的為納安數(shù)量級(jí)。 I C ? ? IB。A20 181。A60 181。AIB =0O 5 10 154321放大區(qū)　 　 集電極電流和基極電流體現(xiàn)放大作用，即放大區(qū)放大區(qū)對(duì) NPN 管 UBE 0， UBC 0圖 　 NPN 三極管的輸出特性曲線Date2122河北工程大學(xué) 信電學(xué)院電子技術(shù)基礎(chǔ)3. 飽和區(qū)：條件 ：兩個(gè)結(jié)均正偏I(xiàn)C / mAUCE /V100 181。A40 181。A80181。截止區(qū)截止區(qū)Date2021河北工程大學(xué) 信電學(xué)院電子技術(shù)基礎(chǔ)2. 放大區(qū)條件： 發(fā)射結(jié)正偏　　　集電結(jié)反偏　 　 特點(diǎn) ：各條輸出特性曲線比較平坦，近似為水平線，且等間隔?！?　 IB= 0 時(shí)， IC = ICEO。A20 181。A60 181。圖 　三極管的輸入特性UCE = 1 VDate1920河北工程大學(xué) 信電學(xué)院電子技術(shù)基礎(chǔ)二、輸出特性圖 　 NPN 三極管的輸出特性曲線IC / mAUCE /V100 181。UCE UBE， 三極管處于放大狀態(tài)。所以，當(dāng) b、 e 之間加正向電壓時(shí)，應(yīng)為兩個(gè)二極管并聯(lián)后的正向伏安特性。Date1617河北工程大學(xué) 信電學(xué)院電子技術(shù)基礎(chǔ)輸出回路輸入回路+UCE?　三極管的特性曲線　三極管的特性曲線　 　 指 BJT各電極電壓與電流之間的關(guān)系曲線，是 BJT內(nèi)部載流子運(yùn)動(dòng)的外部表現(xiàn)，可從半導(dǎo)體器件手冊(cè)查得。（ 2） 外部條件： 發(fā)射結(jié)正向偏置，集電結(jié)反向偏置。Date1314河北工程大學(xué) 信電學(xué)院電子技術(shù)基礎(chǔ)若 ?vI = 20mV 使 當(dāng)則電壓放大倍數(shù)?iE = 1 mA，?iC = ? ?iE = mA， ?vO = ?iC? RC = V，? = 時(shí)，RCe cb1k? 共基極放大電路VCCVEBIC+?vEB?vO++?iC+?iE+?iB+?vIVEEIEIBDate1415河北工程大學(xué) 信電學(xué)院電子技術(shù)基礎(chǔ)?vI = 20mV 設(shè)若則電壓放大倍數(shù)?iB = 20 uA?vO = ?iC? RC = V，? = 使+b ceRC1k?共射極放大電路 共射極放大電路VBBVCCVBEIBIEIC?vI+?vBE?vO++?iC+?iE+?iB+結(jié)論： 共射放大電路既有電流放大能力又有電壓放大能力。 3. 共射極電流放大系數(shù)共基極電流放大系數(shù)Date1213河北工程大學(xué) 信電學(xué)院電子技術(shù)基礎(chǔ)IB/mA ? 0 IC/mA