【正文】 IBQ 。 VCE不可能為負(fù)值， 此時(shí)， Q（ 120uA， 6mA， 0V）， 例題 （ 453） 放大電路靜態(tài)工作點(diǎn)的穩(wěn)定問題 溫度對靜態(tài)工作點(diǎn)的影響 射極偏置電路 1. 基極分壓式射極偏置電路 2. 含有雙電源的射極偏置電路 3. 含有恒流源的射極偏置電路 （ 454） 溫度對靜態(tài)工作點(diǎn)的影響 ，溫度上升時(shí)， BJT的反向電流 ICBO、ICEO及電流放大系數(shù) ?或 ?都會增大，而發(fā)射結(jié)正向壓降 VBE會減小。此時(shí) BJT工作在哪個(gè)區(qū)域？（忽略 BJT的飽和壓降） 解： （ 1） μA4030 0k2V1bBECCBQ ????? R VVI（ 2）當(dāng) Rb=100k?時(shí)， 3 . 2 m AμA4080BQCQ ???? βII 5 . 6 V3 . 2 m A2kV12CQcCCC EQ ???????? IRVV靜態(tài)工作點(diǎn)為 Q（ 40?A， ， ）， BJT工作在放大區(qū)。=80， Rb=300k? ， Rc=2k?， VCC= +12V，求： （ 1）放大電路的 Q點(diǎn)。 （ 452） 共射極放大電路 放大電路如圖所示。 優(yōu)點(diǎn) ： 分析放大電路的動(dòng)態(tài)性能指標(biāo) (Av 、 Ri和 Ro等 )非常方便，且適用于頻率較高時(shí)的分析。 H參數(shù)的值是在靜態(tài)工作點(diǎn)上求得的。 rbe= rbb′ + (1+ ? ) re 其中對于低頻小功率管 rbb′≈200? 則 )mA()mV(26)1(200EQbe Ir ?????)mA()mV(26)mA()mV(EQEQe IIVr T ??而 (T=300K) 一般也用公式估算 rbe （忽略 r′e ） （ 447） 小信號模型分析法 2. 用 H參數(shù)小信號模型分析基本共射極放大電路 （ 1）利用直流通路求 Q點(diǎn) 共射極放大電路 bBEBBB RVVI ??一般硅管 VBE=，鍺管 VBE=， ? 已知 。 （ 445） 1. BJT的 H參數(shù)及小信號模型 ? 模型的簡化 hre和 hoe都很小，常忽略它們的影響。 hrevce是一個(gè)受控電壓源。 受控 電流源 hfeib ，反映了 BJT的基極電流對集電極電流的控制作用。 ? H參數(shù)與工作點(diǎn)有關(guān)，在放大區(qū)基本不變。 其中： 四個(gè)參數(shù)量綱各不相同，故稱為混合參數(shù)（ H參數(shù)）。建立小信號模型，就是將非線性器件做線性化處理，從而簡化放大電路的分析和設(shè)計(jì)。 （ 440） 小信號模型分析法 1. BJT的 H參數(shù)及小信號模型 建立小信號模型的意義 建立小信號模型的思路 當(dāng)放大電路的輸入信號電壓很小時(shí)，就可以把三極管小范圍內(nèi)的特性曲線近似地用直線來代替，從而可以把三極管這個(gè)非線性器件所組成的電路當(dāng)作線性電路來處理。能全面地分析放大電路的靜態(tài)、動(dòng)態(tài)工作情況。 bBBBBE RiV ??v（ 434） ? 根據(jù) vs的波形，在 BJT的輸入特性曲線圖上畫出 vBE 、 iB 的波形 2. 動(dòng)態(tài)工作情況的圖解分析 ωtV s insms ?vbBsBBBE RiV ??? vv（ 435） ? 根據(jù) iB的變化范圍在輸出特性曲線圖上畫出 iC和 vCE 的波形 2. 動(dòng)態(tài)工作情況的圖解分析 cCCCCE RiV ??v（ 436） 2. 動(dòng)態(tài)工作情況的圖解分析 ? 共射極放大電路中的電壓、電流波形 （ 437） 3. 靜態(tài)工作點(diǎn)對波形失真的影響 截止失真的波形 （ 438） 飽和失真的波形 3. 靜態(tài)工作點(diǎn)對波形失真的影響 （ 439） 4. 圖解分析法的適用范圍 幅度較大而工作頻率不太高的情況 優(yōu)點(diǎn)： 直觀、形象。 共射極放大電路 （ 432） 圖解分析法 1. 靜態(tài)工作點(diǎn)的圖解分析 ? 列輸入回路方程 ? 列輸出回路方程（直流負(fù)載線） VCE=VCC－ iCRc ? 首先，畫出直流通路 直流通路 bBBBBE RiV ??v（ 433） ? 在輸出特性曲線上，作出直流負(fù)載線 VCE=VCC－ iCRc，與 IBQ曲線的交點(diǎn)即為 Q點(diǎn)，從而得到 VCEQ 和 ICQ。此時(shí)，BJT各極電流及電壓都將在靜態(tài)值的基礎(chǔ)上隨輸入信號作相應(yīng)的變化。 溫度對輸入特性的影響 溫度升高時(shí)正向特性左移， 反之右移 60 40 20 0 I / mA U / V 溫度對輸入特性的影響 200 600 溫度對輸出特性的影響 溫度升高將導(dǎo)致 IC 增大 iC uCE O iB 200 600 溫度對輸出特性的影響 （ 426） 基本共射極放大電路 基本共射極放大電路的組成 基本共射極放大電路的工作原理 （ 427） 基本共射極放大電路的組成 基本共射極放大電路 （ 428） 基本共射極放大電路的工作原理 1. 靜態(tài) (直流工作狀態(tài) ) 輸入信號 vi＝ 0時(shí)，放大電路的工作狀態(tài)稱為靜態(tài)或直流工作狀態(tài)。 反之，當(dāng)溫度降低時(shí) ICBO減少。 ? V(BR)CEO—— 基極開路時(shí)集電極和發(fā)射 極間的擊穿電壓。 BJT的主要參數(shù) （ 422） (2) 集電極發(fā)射極間的反向飽和電流 ICEO ICEO=（ 1+ ） ICBO ? BJT的主要參數(shù) 2. 極間反向電流 （ 423） (1) 集電極最大允許電流 ICM (2) 集電極最大允許功率損耗 PCM PCM= ICVCE 3. 極限參數(shù) BJT的主要參數(shù) （ 424） 3. 極限參數(shù) BJT的主要參數(shù) (3) 反向擊穿電壓 ? V(BR)CBO—— 發(fā)射極開路時(shí)的集電結(jié)反 向擊穿電壓。 BJT的 VI 特性曲線 （ 419） (1) 共發(fā)射極直流電流放大系數(shù) =（ IC－ ICEO） /IB≈IC / IB ? vCE=const. ??1. 電流放大系數(shù) BJT的主要參數(shù) ? 與 iC的關(guān)系曲線 (2) 共發(fā)射極交流電流放大系數(shù) ? ? =?iC/?iB?vCE=const. （ 420） 1. 電流放大系數(shù) (3) 共基極直流電流放大系數(shù) =（ IC－ ICBO） /IE≈IC/IE ?? (4) 共基極交流電流放大系數(shù) α α =?iC/?iE?vCB=const. 當(dāng) ICBO和 ICEO很小時(shí)， ≈?、 ≈?，可以不加區(qū)分。 放大區(qū)： iC平行于 vCE軸的區(qū)域，曲線基本平行等距。 iC=f(vCE)? iB=const. 2. 輸出特性曲線 輸出特性曲線的三個(gè)區(qū)域 : 截止區(qū)： iC接近零的區(qū)域，相當(dāng) iB=0的曲線的下方。 1. 輸入特性曲線 （以共射極放大電路為例） + b c e 共射極放大電路 UBB UCC uBE iC iB + uCE uCE = 0V uBE /V uCE = 0V uCE ? 1V uBE /V （ 418） 飽和區(qū)： iC明顯受 vCE控制的區(qū)域，該區(qū)域內(nèi)，一般 vCE＜ (硅管 )。 （ 417） BJT的 VI 特性曲線 iB=f(vBE)? vCE=const. (2) 當(dāng) vCE≥1V時(shí)， vCB= vCE vBE0，集電結(jié)已進(jìn)入反偏狀態(tài)，開始收集電子，基區(qū)復(fù)合減少，同樣的 vBE下 IB減小，特性曲線右移。 實(shí)現(xiàn)這一傳輸過程的兩個(gè)條件是： （ 1） 內(nèi)部條件： 發(fā)射區(qū)雜質(zhì)濃度遠(yuǎn)大于基區(qū)雜質(zhì)濃度，且基區(qū)很薄。 根據(jù) IE=IB+ IC IC= INC+ ICBO ENCII?? 且令 ?BCC E OC IIII ??? ? 時(shí)，當(dāng)ICEO= (1+ ? ) ICBO （穿透電流） （ 414） 三極管的三種組態(tài) (c) 共集電極接法 ，集電極作為公共電極，用 CC表示。同樣，它也只與管子的結(jié)構(gòu)尺寸和摻雜濃度有關(guān)，與外加電壓無關(guān)。一般 ? = ? 。 ICBO 晶體管內(nèi)部載流子的運(yùn)動(dòng) （ 411） b e c e Rc Rb 電流分配關(guān)系 IEP ICBO IC IB IEN IBN ICN IC = ICN + ICBO IE= ICN + IBN + IEP = IEN+ IEP IB=IEP+ IBN－ ICBO IE =IC+IB 晶體管內(nèi)部載流子的運(yùn)動(dòng)與外部電流 （ 412） 發(fā)射極注入電流傳輸?shù)郊姌O的電流設(shè) ?? ENCII?? 即根據(jù)傳輸過程可知 IC= INC+ ICBO 通常 IC IC