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led芯片制程-展示頁

2025-01-07 01:06本頁面
  

【正文】 刻蝕光刻膠刻蝕技術濕法干法化學刻蝕電解刻蝕離子束濺射刻蝕(物理作用)等離子體刻蝕(化學作用)反應離子刻蝕(物理化學作用)16去膠強氧化劑或等離子體光刻膠濕法去膠:非金屬用濃硫酸去膠,金屬用有機溶劑去膠。顯影:濕法去膠,非金屬用濃硫酸去膠,金屬用有機溶劑去膠。主要溶劑有: H2SO4溶液、 H2O2溶液、氫氟酸溶液、鹽酸、 NH4OH等14n區(qū)光刻正性光刻膠光刻掩膜板紫外線 顯影光刻的目的就是在芯片或金屬薄膜上刻蝕出與掩模板完全對應的集合圖形,從而實現(xiàn)選擇性擴散和金屬薄膜不限的目的?! ?(7)可以進行大規(guī)模生產(chǎn)?! ?(5)可以生長純度很高的材料 ?! ?(3)可以生長超薄外延層,并能獲得很陡的界面過渡 。8參考文獻: Introduction to Nitride Semiconductor Blue Lasers and Light Emitting Diodes混晶的發(fā)光波長9用不同 顏 色及數(shù)目 LED加 熒 光粉所做成的白光 LED的 優(yōu) 點及缺點10LED 發(fā)光管是怎樣 “練 ”成的Sapphire藍寶石11LED生產(chǎn)流程圖基板(襯底 ) 磊晶制程 磊晶片清洗蒸鍍光刻作業(yè)化學刻蝕 熔合 研磨切割單晶爐、切片機磨片機、拋光機 外延爐( MOCVD)清洗機、烘箱蒸鍍機 /電子槍烘烤 上光阻照相曝光 顯影刻蝕機減薄機清洗機切割機、清洗機、甩干機測試探針測試臺顆粒度檢測儀封裝12MOCVD外延藍
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