清華大學(xué)-微機(jī)原理-展示頁
2024-10-10 18:37本頁面
【正文】 1???Hrre )1(1???二、存儲(chǔ)器訪問的局部性原理 存儲(chǔ)系統(tǒng)的基本概念 追求 1 0 r=1 r=2 r=10 r=100 e H 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 一、半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的分類 RAM 靜態(tài) RAM（ SRAM） 動(dòng)態(tài) RAM（ DRAM） ROM 掩膜型 ROM 可編程 ROM（ PROM） 可擦除可編程 ROM（ EPROM） 電可擦除可編程 ROM（ E2PROM) 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 二、半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的組成 P. 157 三、靜態(tài) RAM（ SRAM） ?SRAM基本存儲(chǔ)電路 P. 159 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 三、靜態(tài) RAM（ SRAM） 存儲(chǔ)矩陣 地址譯碼器 地址寄存器 地址總線 讀寫放大器 數(shù)據(jù)寄存器 數(shù)據(jù)總線 控制電路 OE WE CE SRAM芯片的結(jié)構(gòu) 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 三、靜態(tài) RAM（ SRAM） ?SRAM的特點(diǎn) 讀寫速度快 所用管子數(shù)目多，單個(gè)器件容量小 T T2總有一個(gè)處于到通狀態(tài)，功耗較大 SRAM通常用來做 Cache 四、動(dòng)態(tài) RAM（ DRAM） 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 行選擇信號 列選擇信號 數(shù)據(jù)輸入輸出線 刷新放大器 單管動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)電路 四、動(dòng)態(tài) RAM（ DRAM） 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 存儲(chǔ)矩陣 地址總線 I/O緩沖器 數(shù)據(jù)總線 讀寫控制 /動(dòng)態(tài)刷新電路 RAS DRAM芯片的結(jié)構(gòu) 地址鎖存器 CAS WE 四、動(dòng)態(tài) RAM（ DRAM） 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 ?DRAM的特點(diǎn) 所用管子少，芯片位密度高 功耗小 需要刷新 存取速度慢 DRAM主要用來做內(nèi)存 四、動(dòng)態(tài) RAM（ DRAM） 半導(dǎo)
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