線陣ccd測(cè)徑系統(tǒng)電路設(shè)計(jì)-展示頁(yè)
2025-07-09 08:38本頁(yè)面
【正文】 當(dāng)在MOS電容器的柵極上加上一個(gè)小的正電壓時(shí)，半導(dǎo)體中的自由空穴被排斥到遠(yuǎn)離柵極的一邊，在SiO2的表面下形成一層電子的耗盡區(qū)，當(dāng)柵壓繼續(xù)增加，耗盡層將進(jìn)一步向半導(dǎo)體內(nèi)延伸，這一耗盡層對(duì)于帶負(fù)電荷的電子而言是一個(gè)勢(shì)能特別低的區(qū)域，因此也叫做勢(shì)阱[1]。1 CCD電荷的產(chǎn)生、轉(zhuǎn)移原理CCD是由一系列排得很緊密的MOS電容器組成，每一個(gè)光敏像元就是一個(gè)MOS電容器。因此，必須有一套高精度的實(shí)時(shí)在線檢測(cè)系統(tǒng)，一方面可使生產(chǎn)人員及時(shí)了解線徑的大小及偏差，一方面給生產(chǎn)機(jī)構(gòu)伺服系統(tǒng)提供正比于偏差的反饋量，實(shí)現(xiàn)反饋控制。在生產(chǎn)實(shí)際中，許多場(chǎng)合需要對(duì)一維尺寸進(jìn)行測(cè)量，例如對(duì)帶、管、條等的測(cè)。目前，CCD技術(shù)已發(fā)展成一項(xiàng)具有廣泛應(yīng)用前景的新技術(shù)，成為現(xiàn)代光電子與測(cè)試技術(shù)中最受關(guān)注的研究熱點(diǎn)之一。從CCD傳感器的電荷產(chǎn)生、轉(zhuǎn)移原理入手，針結(jié)CCD傳感器的信號(hào)特點(diǎn)進(jìn)行系統(tǒng)硬件設(shè)計(jì)，完成CCD的驅(qū)動(dòng)電路、信號(hào)放大電路、A/D轉(zhuǎn)換電路、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)電路及與計(jì)算機(jī)的數(shù)據(jù)通信，將CCD表面的亮度變化再現(xiàn)于計(jì)算機(jī)上。線陣CCD測(cè)徑系統(tǒng)電路設(shè)計(jì)摘要：研究了線陣CCD測(cè)徑系統(tǒng)的硬件設(shè)計(jì)。測(cè)試結(jié)果表明，該系統(tǒng)成功實(shí)現(xiàn)了CCD的光電轉(zhuǎn)換、串行數(shù)據(jù)輸出、數(shù)據(jù)采集與顯示，能夠用于工業(yè)生產(chǎn)中的長(zhǎng)度測(cè)量。 關(guān)鍵詞：CCD傳感器 相關(guān)雙采樣 像素 勢(shì)阱自二十世紀(jì)80年代開(kāi)始，攝影技術(shù)出現(xiàn)了革命性的突破，即電荷耦合器件CCD（Charged Coupled Device）的廣泛應(yīng)用。例如，在國(guó)防軍事領(lǐng)域，CCD成像技術(shù)在微光、夜視、遙感應(yīng)用中發(fā)揮著巨大的作用，適應(yīng)了現(xiàn)代高技術(shù)戰(zhàn)爭(zhēng)的需求，成為軍事微電子學(xué)的研究熱門(mén)；在科研領(lǐng)域，由于其靈敏度高、噪聲低，成為研究宏觀（如天體）和微觀（如生物細(xì)胞）現(xiàn)象不
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