【摘要】半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué)Chapter8.FET的補(bǔ)充分析CMOS器件設(shè)計(jì)與性能參數(shù)二、CMOS性能參數(shù)集成度、開關(guān)速度和功率消耗是VLSI的主要參數(shù),主要關(guān)注影響開關(guān)速度的若干因數(shù)?;綜MOS電路元件寄生單元(電阻與電容)CMOS延遲對(duì)器件參數(shù)的依賴先進(jìn)CMOS器件的
2025-05-12 08:13
【摘要】場(chǎng)效應(yīng)晶體管有二種結(jié)構(gòu)形式:又分增強(qiáng)型和耗盡型二類只有耗盡型場(chǎng)效應(yīng)晶體管在集成電路中被廣泛使用,絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)分為增強(qiáng)型和耗盡型兩大類,每類中又有N溝道和P溝道之分。不象雙極型晶體管只有NPN和PNP兩類
2024-12-04 19:59
【摘要】微電子器件原理第七章MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管2第七章MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管§基本工作原理和分類§閾值電壓§I-V特性和直流特性曲線§擊穿特性§頻率特性§功率特性和功率MOSFET結(jié)構(gòu)§開關(guān)特性§
2025-05-10 22:36
【摘要】雙端MOS結(jié)構(gòu)1、MOS結(jié)構(gòu)及其場(chǎng)效應(yīng)2、半導(dǎo)體的耗盡及反型3、平衡能帶關(guān)系4、柵壓-平帶電壓和閾值電壓5、電容(C-V)特性MOS-V+a.MOS結(jié)構(gòu)b.電場(chǎng)效應(yīng)1、雙端MOS結(jié)構(gòu)及其場(chǎng)效應(yīng)-V+_______
2025-05-22 19:00
【摘要】場(chǎng)效應(yīng)晶體管場(chǎng)效應(yīng)管的特點(diǎn)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管第四章絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管第四節(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管,用FET來表示(FieldEffectTransistor)。一、絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管是一種金屬—
2025-01-28 21:19
【摘要】微電子元器件與項(xiàng)目訓(xùn)練授課教師:余菲第4章MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管教師:余菲電子郵件:
【摘要】(Metal-Oxide-SemiconductorFieldEffectTransnsator)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET)金屬-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MESFET)MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管在微處理器和存儲(chǔ)器方面,MOS集成電路幾
2025-05-16 00:11
【摘要】MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管MOSFieldEffectTransistorMetal-Oxide-SemiconductorFieldEffectTransistorMOS管的結(jié)構(gòu)、工作原理和輸出特性MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)基本工作原理和輸出特性MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的分類MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓M
2025-01-23 04:31
【摘要】液晶的電光特性液晶是一種即具有液體的流動(dòng)性又具有類似于晶體的各向異性的特殊物質(zhì)(材料),它是在1888年內(nèi)奧地利植物學(xué)家首先發(fā)現(xiàn)的。在我們的日常生活中,適當(dāng)濃度的肥皂水溶液就是一種液晶。目前人們發(fā)現(xiàn)、合成的液晶材料已近十萬(wàn)種之多,有使用價(jià)值的也有4-5千種。隨著液晶在平板顯示器等領(lǐng)域的應(yīng)用和不斷發(fā)展,以及市場(chǎng)的巨大需求。人們對(duì)它的研究也進(jìn)入了一個(gè)空前的狀態(tài)。本實(shí)驗(yàn)希望通過一些基本的觀
2025-07-31 23:06
【摘要】MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管MOSFieldEffectTransistorMetal-Oxide-SemiconductorFieldEffectTransistorMOS管的結(jié)構(gòu)、工作原理和輸出特性MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)基本工作原理和輸出特性MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的分類MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓MOS管閾值電壓的定義
2025-08-13 22:40
【摘要】自旋場(chǎng)效應(yīng)晶體管摘要:自旋電子學(xué)是近年來新興的備受關(guān)注的學(xué)科,其發(fā)展講對(duì)未來電子工業(yè)發(fā)展起到重要作用。本文介紹了以自旋電子學(xué)為基礎(chǔ)的一種新型半導(dǎo)體器件—自旋場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)要介紹了其基本原理,研究現(xiàn)狀,及電導(dǎo)特性,應(yīng)用前景。關(guān)鍵詞:自旋電子學(xué)電光效應(yīng)自旋注入效率引言:自旋電子學(xué)自1994年被確認(rèn)為凝聚
2025-07-01 19:07
【摘要】一、晶體和非晶體的比較及晶體的微觀結(jié)構(gòu)、多晶體及非晶體的區(qū)別與聯(lián)系(1)區(qū)別固體可以分為晶體、非晶體兩大類,其中晶體又分為單晶體和多晶體,其區(qū)別和聯(lián)系如下:(2)聯(lián)系:在一定條件下,晶體可以變?yōu)榉蔷w,非晶體也可以變?yōu)榫w.(1)在物理性質(zhì)上,單晶體具有各向異性,
2025-07-26 23:09
【摘要】本科畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文)題目:腔內(nèi)倍頻非線性晶體熱效應(yīng)的研究院(系):光電工程學(xué)院專業(yè):電子科學(xué)與技術(shù)班級(jí):080113學(xué)生:張攀學(xué)號(hào):
2025-01-25 20:23
【摘要】1功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管是20世紀(jì)70年代中后期開發(fā)的新型功率半導(dǎo)體器件,通常又叫絕緣柵功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱為PMOSFET,用字母PM表示。功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管已發(fā)展了多種結(jié)構(gòu)型式,本節(jié)主要介紹目前使用最多的單極VDMOS、N溝道增強(qiáng)型PM,2G(柵極)S(源極)D
2025-05-17 00:18
2025-06-18 13:14