【正文】 制作工藝的日益成熟和各集成電路廠商的不斷競爭，使集成電路發(fā)揮了它更大的功能，更好的服務于社會。1997年：300MHz奔騰Ⅱ問世,，奔騰系列芯片的推出讓計算機的發(fā)展如虎添翼，發(fā)展速度讓人驚嘆。[1] 集成電路的發(fā)展集成電路的發(fā)展經歷了一個漫長的過程，以下以時間順序，簡述一下它的發(fā)展過程。 simulation of LEdit three, CMOS operational amplifier.I use the PSPICE software to design the circuit structure of CMOS operational amplifier circuit, debug the parameters, calculation and finally use the LEdit software to draw the layout.Keywords: CMOS, operational amplifier, design, simulation.0文獻綜述 集成電路概述所謂集成電路（IC），就是在一塊極小的硅單晶片上，利用半導體工藝制作上許多晶體二極管、三極管及電阻、電容等元件，并連接成完成特定電子技術功能的電子電路。The CMOS operational amplifierHuang HaibinCollege of Engineering and Technology, Southwest University, Chongqing 400715, ChinaAbstract: The full name of CMOS Complementary Metal Oxide Semiconductor, which is plementary metal oxide semiconductor, is a largescale integrated circuit chip manufacturing raw materials. The characteristics of CMOS technology makes the circuit has low power consumption, because the gate circuit posed of a CMOS MOS in the circuit moments or NMOS conduction, or is the PMOS conduction, or stop, so the efficiency is very high, the power consumption is very low.The CMOS operational amplifier with high reliability, low cost, convenient debugging, in various fields of the electronic circuits are widely used, digital system in 99% with CMOS technology. So the CMOS operational amplifier has bee the hot spot of research.This paper focuses on the design and Simulation of CMOS operational amplifier, this paper mainly studies the key problems in the following aspects: the circuit structure, CMOS operational amplifier circuit parameters。本人對CMOS運放電路采用了pspice軟件設計電路結構，計算并調試參數、最后采用了LEdit軟件繪制了版圖。因此CMOS運放成為了研究熱點。CMOS加工工藝使得電路擁有低功耗的特點，由于CMOS中一堆MOS組成的門電路在電路工作的瞬間要么是NMOS導通、要么是PMOS導通、要么都截止，因此效率很高，功耗很低。涉密論文按學校規(guī)定處理。作者簽名： 日期： 年 月 日學位論文版權使用授權書本學位論文作者完全了解學校有關保留、使用學位論文的規(guī)定，同意學校保留并向國家有關部門或機構送交論文的復印件和電子版，允許論文被查閱和借閱。對本文的研究做出重要貢獻的個人和集體，均已在文中以明確方式標明。作者簽名：　　 　 　　 日　 期：　　 　 　　 學位論文原創(chuàng)性聲明本人鄭重聲明：所呈交的論文是本人在導師的指導下獨立進行研究所取得的研究成果。對本研究提供過幫助和做出過貢獻的個人或集體，均已在文中作了明確的說明并表示了謝意。集成電路應用領域 6 CMOS集成電路 9 運算放大器 9 CMOS運算放大器 101 引言 11 運算放大器簡介 11 本文研究內容 122 CMOS運算放大器 12 CMOS運算放大器簡介 12 CMOS運算放大器的設計流程 133 CMOS運算放大器電路設計 14 電路的PSpice模擬及理論計算 14 電路結構分析及參數調試 15 電路仿真 154 CMOS 運算放大器版圖設計 25 版圖設計流程 25 工藝設計規(guī)則 26 單元器件的繪制——圖元 27 CMOS放大器的版圖設計 31 TSpice仿真 345 總結 38參考文獻 39致謝 41畢業(yè)設計（論文）原創(chuàng)性聲明和使用授權說明原創(chuàng)性聲明本人鄭重承諾：所呈交的畢業(yè)設計（論文），是我個人在指導教師的指導下進行的研究工作及取得的成果。西南大學本科畢業(yè)論文（設計）目 錄摘要 3Abstract 40 文獻綜述 5 集成電路概述 5 集成電路的發(fā)展 5 盡我所知，除文中特別加以標注和致謝的地方外，不包含其他人或組織已經發(fā)表或公布過的研究成果，也不包含我為獲得 及其它教育機構的學位或學歷而使用過的材料。作 者 簽 名：　　 　 　　日　 期：　　 　 　　 指導教師簽名：　　 　 　　 日　　期：　　 　 　　 使用授權說明本人完全了解 大學關于收集、保存、使用畢業(yè)設計（論文）的規(guī)定，即：按照學校要求提交畢業(yè)設計（論文）的印刷本和電子版本；學校有權保存畢業(yè)設計（論文）的印刷本和電子版，并提供目錄檢索與閱覽服務；學?？梢圆捎糜坝　⒖s印、數字化或其它復制手段保存論文；在不以贏利為目的前提下，學?？梢怨颊撐牡牟糠只蛉績热荨３宋闹刑貏e加以標注引用的內容外，本論文不包含任何其他個人或集體已經發(fā)表或撰寫的成果作品。本人完全意識到本聲明的法律后果由本人承擔。本人授權　　 　 　大學可以將本學位論文的全部或部分內容編入有關數據庫進行檢索，可以采用影印、縮印或掃描等復制手段保存和匯編本學位論文。作者簽名： 日期： 年 月 日導師簽名： 日期： 年 月 日CMOS運算放大器摘要：CMOS全稱Complementary Metal Oxide Semiconductor,即互補金屬氧化物半導體，是一種大規(guī)模應用于集成電路芯片制造的原料。CMOS運算放大器由于具有可靠性高、成本低廉、調試方便，在電子電路的各個領域中應用都相當廣泛，當今99%的數字系統(tǒng)采用CMOS工藝實現。本文著重論述CMOS運算放大器的設計與仿真，論文中主要研究了以下幾方面的關鍵問題：一、CMOS運算放大器的電路結構；二、CMOS運算放大器的電路參數；三、CMOS運算放大器的LEdit仿真。關鍵詞：CMOS、運算放大器、電路模擬、版圖設計。 two, CMOS operational amplifier。從外觀上看，它已成為一個不可分割的完整器件，集成電路在體積、重量、耗電、壽命、可靠性及電性能方面遠遠優(yōu)于晶體管元件組成的電路，目前為止已廣泛應用于電子設備、儀器儀表及電視機、錄像機等電子設備中。1906年，第一個電子管誕生；1912年前后，電子管的制作日趨成熟引發(fā)了無線電技術的發(fā)展；1918年前后，逐步發(fā)現了半導體材料；1920年，發(fā)現半導體材料所具有的光敏特性；1932年前后，運用量子學說建立了能帶理論研究半導體現象；1956年，硅臺面晶體管問世；1960年12月，世界上第一塊硅集成電路制造成功；1966年，美國貝爾實驗室使用比較完善的硅外延平面工藝制造成第一塊公認的大規(guī)模集成電路。1988年：16MDRAM問世，1平方厘米大小的硅片上集成有3500萬個晶體管，標志著進入超大規(guī)模集成電路階段的更高階段。2009年：intel酷睿i系列全新推出，創(chuàng)紀錄采用了領先的32納米工藝，并且下一代22納米工藝正在研發(fā)。由此集成電路從產生到成熟大致經歷了如下過程：電子管——晶體管——集成電路——超大規(guī)模集成電路1) 集成電路的前奏——電子管、晶體管電子管，是一種在氣密性封閉容器中產生電流傳導，利用電場對真空中的電子流的作用以獲得信號放大或振蕩的電子器件。晶體管，是一種固體半導體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關、穩(wěn)壓、信號調制和許多其它功能。[3]雖然晶體管的功能比電子管大了很多，但由于電子信息技術的發(fā)展，晶體管也越來越不適合科技的發(fā)展，隨之出現的就是能力更強的集成電路了。第四代計算機的基本元件是大規(guī)模集成電路，甚至超大規(guī)模集成電路，集成度很高的半導體存儲器替代了