公司機(jī)構(gòu)技術(shù)管理及服務(wù)管理知識分析-展示頁
2025-07-01 23:10本頁面
【正文】 超聲波萃取法 US EPA 3550C:2007只測試BPP、DBP、DEHP、DINP、DIDP、DNOP10四溴雙酚A11六溴環(huán)十二烷2電子電工產(chǎn)品1低溫電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)A:低溫GB/T 只測: 溫度范圍:常溫～40℃ 容積≤ 2m32高溫電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)B:高溫GB/T 只測: 溫度范圍:常溫～90℃, 容積≦ 2m33恒定濕熱電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Cab:恒定濕熱試驗(yàn)GB/T 只測: 溫度范圍:(40～90)℃。濕度范圍:(20%～96%).容積≤ 2m32電子電工產(chǎn)品4交變 濕熱電子電工產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn): 第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Db:交變濕熱（12h+12h循環(huán)） GB/T 只測: 溫度范圍:(40～90)℃。濕度范圍: (20%～96%),容積≤ 2m37正弦 振動電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Fc和導(dǎo)則:振動(正弦)GB/T 只測：頻率:5Hz~320Hz；位移:≤5mm(峰－峰)；加速度幅值:≤50m/s2；推力:600N；2電子電工產(chǎn)品8隨機(jī) 振動電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Fh:寬帶隨機(jī)振動(數(shù)字控制)和導(dǎo)則GB/T 只測：頻率:5Hz~320Hz；位移:≤5mm(峰－峰)；加速度幅值:≤50m/s2；推力:600N；9自由 跌落電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Ed:自由跌落GB/T 只測：方法1自由跌落 跌落高度：≦120cm；10鹽霧電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn):Ka鹽霧 GB/T 只測：容積≤108L11膠帶粘合性0355膠帶試驗(yàn)測定粘合性的方法ASTM D335920092電子電工產(chǎn)品12漆膜硬度0355鉛筆試驗(yàn)測定漆膜硬度的方法ASTM D336320053金屬及金屬制品1晶粒度0351金屬平均晶粒度測定方法 GB/T63942002不作比較法2非金屬夾雜物0351鋼中非金屬夾雜物含量的測定 標(biāo)準(zhǔn)評級圖顯微檢驗(yàn)法 GB/T105612005只作A法3鍍層 厚度0202金屬覆蓋層 覆蓋層厚度測量 X射線光譜方法GB/T 169212005只用發(fā)射法4金屬和氧化物覆蓋層厚度0355金屬和氧化物覆蓋層厚度測量顯微鏡法 GB/T646220055洛氏硬度0301金屬洛氏硬度試驗(yàn)方法 第1部分：試驗(yàn)方法 GB/T 只作HRA、HRB、HRC6維氏 硬度0301金屬維氏硬度試驗(yàn)方法 第1部分：試驗(yàn)方法 GB/T 、HV14運(yùn)輸包裝件1抗壓0329包裝 運(yùn)輸包裝件基本試驗(yàn) 第4部分：采用壓力試驗(yàn)機(jī)進(jìn)行的抗壓和堆碼試驗(yàn)方法 GB/T 只測： 載荷≤20kN2跌落包裝 運(yùn)輸包裝件 跌落試驗(yàn)方法GB/T 只測： 跌落高度：≦120cm；5瓦楞紙板1耐破 強(qiáng)度瓦楞紙板耐破強(qiáng)度的測定方法GB/T 654519986計算機(jī)1關(guān)機(jī)模式能耗試驗(yàn)0438計算機(jī)節(jié)能認(rèn)證技術(shù)規(guī)范CQC3114:2009只測:臺式計算機(jī)2空閑模式能耗試驗(yàn)只測:臺式計算機(jī)3睡眠模式能耗試驗(yàn)只測:臺式計算機(jī)B類，睡眠模式下喚醒為網(wǎng)絡(luò)連接提供信號喚醒31 / 31 CHINA NATIONAL ACCREDITATION SERVICE FOR CONFORMITY ASSESSMENTAPPENDIX OF ACCREDITATION CERTIFICATE(Registration No. CNAS L3232) NAME:Technology Service Department of Maintek Computer (Suzhou) Co., Ltd. ADDRESS:, Jinfeng Road, Suzhou, Jiangsu, China Accreditation Criteria:ISO/IEC 17025:2005 and relevant requirements of CNASDate of Issue:20121214 Date of Expiry:20151213 Date of Update：20121214APPENDIX 2 ACCREDITED TESTING№Test ObjectItem/ParameterCode of Field Title, Code of Standard or Method Limitation Note№Item/ Parameter1Solid Waste1Lead0240Acid digestion of sediments,sludges,and soilsUS EPA 3050B:1996Microwave assisted acid digestion of siliceous and organically based matrices US EPA 3052:1996Inductively coupled plasmaatomic emission spectrometryUS EPA 6010C:2007 Electrotechnical Products Determination of levels of six regulated substances (lead, mercury, cadmium, hexavalent chromium, polybrominated biphenyls, polybrominated diphenyl ethers) IEC62321:2008Accredited only for ICPOES method1Solid Waste2Cadmium0240Acid digestion of sediments,sludges,and soilsUS EPA 3050B:1996Microwave assisted acid digestion of siliceous and organically based matrices US EPA 3052:1996PlasticsDetermination ofcadmiumWet deposition methodBS EN 1122:2001Inductively coupled plasmaatomic
物理相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1