【摘要】《數(shù)字電子技術(shù)》模擬試題一、填空題(每題2分,共20分)1、十六進(jìn)制數(shù)97,對(duì)應(yīng)的十進(jìn)制數(shù)為151。2、“至少有一個(gè)輸入為0時(shí),輸出為0”描述的是與運(yùn)算的規(guī)則。3、4變量邏輯函數(shù)有16個(gè)最小項(xiàng)。4、基本邏輯運(yùn)算有:與、或和非運(yùn)算。5、兩二進(jìn)制數(shù)相加時(shí),不考慮低位的進(jìn)位信號(hào)是半加器。6、TTL器件輸入腳懸空相當(dāng)于輸入
2025-07-01 14:53
【摘要】1、工作在放大區(qū)的某三極管,如果當(dāng)IB從12μA增大到22μA時(shí),IC從1mA變?yōu)?mA,那么它的β約為。【】A.83B.91C.1002、已知圖所示電路中VCC=12V,RC=3kΩ,靜態(tài)管壓降UCEQ=6V;并在輸出端加負(fù)載電阻RL,其阻值為3kΩ。選擇一個(gè)合適的答案填入空內(nèi)。(1)該電路的
2025-07-07 20:13
【摘要】《電工電子技術(shù)》模擬試題一、填空題(每題2分,共20分)1、電路的組成部分包括(1)、(2)和(3)。2、(4)型半導(dǎo)體中,自由電子是多數(shù)載流子,空穴是少數(shù)載流子。3、為提高多級(jí)放大電路的帶負(fù)載能力,常選用(5)電路作為輸出級(jí)。4、三極管的輸出特性
2024-11-17 05:29
【摘要】華成英2022/11/22模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)清華大學(xué)華成英華成英2022/11/22緒論一、電子技術(shù)的發(fā)展二、模擬信號(hào)與模擬電路三、電子信息系統(tǒng)的組成四、模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)課的特點(diǎn)五、如何學(xué)習(xí)這門課程六、課程的目的七、考查方法華成英2022/11/22一、電
2024-08-30 22:39
【摘要】1《模擬電子技術(shù)》模擬試題一一、填空題:(每空1分共40分)1、PN結(jié)正偏時(shí)(),反偏時(shí)(),所以PN結(jié)具有()導(dǎo)電性。2、漂移電流是()電流,它由()載流子形成,其大小與()有關(guān),而與外加電壓()。3、所謂理想二極管,就是當(dāng)其正偏時(shí),結(jié)電阻為(),
2024-11-05 11:04
【摘要】1第一章半導(dǎo)體二極管一.半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識(shí)---導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)(如硅Si、鍺Ge)。---光敏、熱敏和摻雜特性。----純凈的具有單晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體。4.兩種載流子----帶有正、負(fù)電荷的可移動(dòng)的空穴和電子統(tǒng)稱為載流子。----在本征半導(dǎo)體中摻入微量雜質(zhì)形成的半導(dǎo)體。體現(xiàn)的是
2024-11-19 06:41
【摘要】填空題1.在常溫下,硅二極管的門檻電壓約為,導(dǎo)通后在較大電流下的正向壓降約為;鍺二極管的門檻電壓約為,。2、二極管的正向電阻小;反向電阻大。3、二極管的最主要特性是單向?qū)щ娦浴#校谓Y(jié)外加正向電壓時(shí),擴(kuò)散電流大于漂移電流,耗盡層變窄。4、二極管最主要的電特性是單向?qū)щ娦裕€(wěn)壓二極管在使用時(shí),穩(wěn)壓二極管與負(fù)載并聯(lián),
2025-04-04 01:56
【摘要】TianhuangTeachingApparatuses天煌教儀模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)FundamentalofAnalogElectronicsTechnology天煌教儀杭州天科技術(shù)實(shí)業(yè)有限公司杭州天煌電器設(shè)備廠第一部分模擬電路部分
2024-11-19 16:25
【摘要】《模擬電子技術(shù)》模擬試題一一、填空題:(每空1分共40分)1、PN結(jié)正偏時(shí)(),反偏時(shí)(),所以PN結(jié)具有()導(dǎo)電性。2、漂移電流是()電流,它由()載流子形成,其大小與()有關(guān),而與外加電壓()。3、所謂理想二極管,就是當(dāng)其正偏時(shí),結(jié)電阻為(),等效成一條直線;當(dāng)其反偏時(shí),結(jié)電阻為(),等效成斷開;
2025-06-16 06:38
【摘要】《電工及電子技術(shù)基礎(chǔ)》復(fù)習(xí)資料一、填空:(本大題包括10小題,每小題2分,共計(jì)20分)1.實(shí)際電壓源的內(nèi)阻越小,其特性越接接近于理想________源。2.電路中電位參考點(diǎn)發(fā)生變化后,其它各點(diǎn)的電位_______________________。3.在對(duì)稱三相電路中,若負(fù)載作三角形連接,其相電流iAB=5sin(314t+60°)A。則線電流iA=_____
2025-06-08 23:55
【摘要】《模擬電子技術(shù)》模擬試題一一、填空題:(每空1分共40分)1、PN結(jié)正偏時(shí)(導(dǎo)通),反偏時(shí)(截止),所以PN結(jié)具有(單向)導(dǎo)電性。2、漂移電流是(溫度)電流,它由(少數(shù))載流子形成,其大小與(溫度)有關(guān),而與外加電壓(無關(guān))。3、所謂理想二極管,就是當(dāng)其正偏時(shí),結(jié)電阻為(0),等效成一條直線;當(dāng)其反偏時(shí),結(jié)電阻
2025-07-02 22:48
【摘要】《模擬電子技術(shù)》模擬試題一一、填空題:(每空1分共40分)1、PN結(jié)正偏時(shí)(導(dǎo)通),反偏時(shí)(截止),所以PN結(jié)具有(單向)導(dǎo)電性。2、漂移電流是(溫度)電流,它由(少數(shù))載流子形成,其大小與(溫度)有關(guān),而與外加電壓(無關(guān))。3、所謂理想二極管,就是當(dāng)其正偏時(shí),結(jié)電阻為(0),等效成一條直線;當(dāng)其反偏時(shí),結(jié)電阻為
2025-06-09 18:04
【摘要】第一章半導(dǎo)體二極管(如硅Si、鍺Ge)。、熱敏和摻雜特性。。4.兩種載流子----帶有正、負(fù)電荷的可移動(dòng)的空穴和電子統(tǒng)稱為載流子。。體現(xiàn)的是半導(dǎo)體的摻雜特性。*P型半導(dǎo)體:在本征半導(dǎo)體中摻入微量的三價(jià)元素(多子是空穴,少子是電子)。*N型半導(dǎo)體:在本征半導(dǎo)體中摻入微量的五價(jià)元素(多子是電子,少子是空穴)。6.雜質(zhì)半導(dǎo)體的
2025-04-26 04:21
【摘要】1第1章直流電路習(xí)題解答在圖所示電路中,(1)選d為參考點(diǎn),求aV、b和cV;(2)選c為參考點(diǎn),求aV、b和dV。圖習(xí)題電路圖解(1)當(dāng)選d為參考點(diǎn)時(shí),V3ada??uVV112cdbcbdb??????uuuV;V1cdc
2024-10-25 09:08
【摘要】第一章半導(dǎo)體二極管(如硅Si、鍺Ge)。、熱敏和摻雜特性。。本征半導(dǎo)體中載流子熱平衡濃度的高低取決于溫度和價(jià)電子擺脫共價(jià)鍵所需的能量4.兩種載流子----帶有正、負(fù)電荷的可移動(dòng)的空穴和電子統(tǒng)稱為載流子。。體現(xiàn)的是半導(dǎo)體的摻雜特性。*P型半導(dǎo)體:在本征半導(dǎo)體中摻入微量的三價(jià)元素(多子是空穴,少子是電子)。*N型半導(dǎo)體:在本征
2024-08-26 02:51