模電總結(jié)復(fù)習(xí)資料-模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)-展示頁
2025-04-26 04:21本頁面
【正文】 削底，PNP管削頂。 3. 靜態(tài)工作點(diǎn)與非線性失真（1）截止失真*產(chǎn)生原因Q點(diǎn)設(shè)置過低 *失真現(xiàn)象NPN管削頂，PNP管削底。 *作用分析信號(hào)被放大的過程。 3）改變VCC：直流負(fù)載線平移，Q點(diǎn)發(fā)生移動(dòng)。*電路參數(shù)對(duì)靜態(tài)工作點(diǎn)的影響 1）改變Rb ：Q點(diǎn)將沿直流負(fù)載線上下移動(dòng)。 *畫法電容視為開路。、不失真、能傳輸。溫度升高ICBO、 ICEO 、 IC以及β均增加。 截止區(qū)發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏。3. 共射電路的特性曲線*輸入特性曲線同二極管。，且摻雜濃度最低；發(fā)射區(qū)摻雜濃度很高，與基區(qū)接觸 面積較?。患妳^(qū)摻雜濃度較高，與基區(qū)接觸面積較大。 微變等效電路法 3. 穩(wěn)壓二極管及其穩(wěn)壓電路*穩(wěn)壓二極管的特性正常工作時(shí)處在PN結(jié)的反向擊穿區(qū)，所以穩(wěn)壓二極管在電路中要反向連接。 若 V陽 V陰( 反偏 )，二極管截止(開路)。 2) 等效電路法216。 若 V陽 V陰( 反偏 )，二極管截止(開路)。 *。 *二極管伏安特性同ＰＮ結(jié)。 * PN結(jié)的單向?qū)щ娦哉珜?dǎo)通，反偏截止。 *轉(zhuǎn)型通過改變摻雜濃度，一種雜質(zhì)半導(dǎo)體可以改型為另外一種雜質(zhì)半導(dǎo)體。6. 雜質(zhì)半導(dǎo)體的特性 *載流子的濃度多子濃度決定于雜質(zhì)濃度，少子濃度與溫度有關(guān)。 *P型半導(dǎo)體: 在本征半導(dǎo)體中摻入微量的三價(jià)元素（多子是空穴，少子是電子）。 。第一章 半導(dǎo)體二極管(如硅Si、鍺Ge)。、熱敏和摻雜特性。 4. 兩種載流子 帶有正、負(fù)電荷的可移動(dòng)的空穴和電子統(tǒng)稱為載流子。體現(xiàn)的是半導(dǎo)體的摻雜特性。 *N型半導(dǎo)體: 在本征半導(dǎo)體中摻入微量的五價(jià)元素（多子是電子，少子是空穴）。 *體電阻通常把雜質(zhì)半導(dǎo)體自身的電阻稱為體電阻。7. PN結(jié) * ~，~。 8. PN結(jié)的伏安特性二. 半導(dǎo)體二極管 *單向?qū)щ娦哉驅(qū)ǎ聪蚪刂埂? *~，~。，分析二極管兩端電位的高低: 若 V陽 V陰( 正偏 )，二極管導(dǎo)通(短路)。1）圖解分析法 該式與伏安特性曲線的交點(diǎn)叫靜態(tài)工作點(diǎn)Q。 直流等效電路法 *總的解題手段將二極管斷開，分析二極管兩端電位的高低: 若 V陽 V陰( 正偏 )，二極管導(dǎo)通(短路)。 *三種模型216。第二章 三極管及其基本放大電路一. 三極管的結(jié)構(gòu)、類型及特點(diǎn)。 二. 三極管的工作原理1. 三極管的三種基本組態(tài)2. 三極管內(nèi)各極電流的分配 * 共發(fā)射極電流放大系數(shù) (表明三極管是電流控制器件 式子 稱為穿透電流。* 輸出特性曲線(飽和管壓降，用UCES表示放大區(qū)發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。4. 溫度影響溫度升高，輸入特性曲線向左移動(dòng)。三. 低頻小信號(hào)等效模型（簡(jiǎn)化）hie輸出端交流短路時(shí)的輸入電阻， 常用rbe表示； hfe輸出端交流短路時(shí)的正向電流傳輸比， 常用β表示；四. 基本放大電路組成及其原則1. VT、 VCC、 Rb、 Rc 、CC2的作用。五. 放大電路的圖解分析法1. 直流通路與靜態(tài)分析 *概念直流電流通的回路。 *作用確定靜態(tài)工作點(diǎn) *直流負(fù)載線由VCC=ICRC+UCE 確定的直線。 2）改變Rc ：Q點(diǎn)在IBQ所在的那條輸出特性曲線上移動(dòng)。 2. 交流通路與動(dòng)態(tài)分析*
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