【摘要】第1章常用半導(dǎo)體器件。(l)在本征半導(dǎo)體中加入(A)元素可形成N型半導(dǎo)體,加入(C)元素可形成P型半導(dǎo)體。B.四價(jià)C.三價(jià)(2)當(dāng)溫度升高時(shí),二極管的反向飽和電流將(A)。(3)工作在放大區(qū)的某三極管,如果當(dāng)IB從12uA增大到2
2025-06-23 22:43
【摘要】第一章直流電路分析第二章一階動(dòng)態(tài)電路第三章正弦交流穩(wěn)態(tài)第四章半導(dǎo)體二極管及其基本電路第五章晶體三極管及其放大電路第六章放大器中的反饋第七章集成運(yùn)算放大器的應(yīng)用電路電路與模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)成謝鋒,周井泉第一章直流電路?主要內(nèi)容:1電路中的基本物
2025-03-18 22:11
【摘要】第一篇:模擬電子技術(shù)總結(jié) 《模擬電子技術(shù)》院精品課程建設(shè)與實(shí)踐 成果總結(jié) 模擬電子技術(shù)是一門在電子技術(shù)方面入門性質(zhì)的技術(shù)基礎(chǔ)課程,它既有自身的理論體系,又有很強(qiáng)的實(shí)踐性;是高等院校工科電子信息、...
2025-11-06 22:27
【摘要】模擬電子技術(shù)復(fù)習(xí)資料總結(jié)第一章半導(dǎo)體二極管(如硅Si、鍺Ge)。、熱敏和摻雜特性。。4.兩種載流子----帶有正、負(fù)電荷的可移動(dòng)的空穴和電子統(tǒng)稱為載流子。。體現(xiàn)的是半導(dǎo)體的摻雜特性。*P型半導(dǎo)體:在本征半導(dǎo)體中摻入微量的三價(jià)元素(多子是空穴,少子是電子)。*N型半導(dǎo)體:在本征半導(dǎo)體中摻入微量的五價(jià)元素(多子是電子,少子
2025-06-23 22:28
【摘要】—多媒體教學(xué)課件模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)FundamentalsofAnalogElectronics童詩(shī)白、華成英 主編第四版童詩(shī)白11.本課程的性質(zhì)電子技術(shù)基礎(chǔ)課2.特點(diǎn)?非純理論性課程?實(shí)踐性很強(qiáng)?以工程實(shí)踐的觀點(diǎn)來(lái)處理電路中的一些問(wèn)題3.研究?jī)?nèi)容
2025-01-05 03:58
【摘要】上頁(yè)下頁(yè)返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)晶體管晶體管又稱半導(dǎo)體三極管晶體管是最重要的一種半導(dǎo)體器件之一,它的放大作用和開關(guān)作用,促使了電子技術(shù)的飛躍。2晶體管及放大電路基礎(chǔ)上頁(yè)下頁(yè)返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)晶體管圖片上頁(yè)下頁(yè)返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)上頁(yè)下頁(yè)返回模擬電子技術(shù)基
2025-01-02 09:04
【摘要】填空題1.在常溫下,硅二極管的門檻電壓約為,導(dǎo)通后在較大電流下的正向壓降約為;鍺二極管的門檻電壓約為,。2、二極管的正向電阻?。环聪螂娮璐?。3、二極管的最主要特性是單向?qū)щ娦?。PN結(jié)外加正向電壓時(shí),擴(kuò)散電流大于漂移電流,耗盡層變窄。4、二極管最主要的電特性是單向?qū)щ娦?,穩(wěn)壓二極管在使用時(shí),穩(wěn)壓二極管與負(fù)載并聯(lián),
2025-03-26 01:56
【摘要】1《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》各章習(xí)題2第一章常用半導(dǎo)體器件自測(cè)題一、判斷下列說(shuō)法是否正確,用“√”和“×”表示判斷結(jié)果填入空內(nèi)。(1)在N型半導(dǎo)體中如果摻入足夠量的三價(jià)元素,可將其改型為P型半導(dǎo)體。()(2)因?yàn)?/span>
2025-10-23 00:49
【摘要】模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)信號(hào)模擬信號(hào)和數(shù)字信號(hào)信號(hào)的頻譜放大電路模型放大電路的主要性能指標(biāo)概述電子電路——由若干相互聯(lián)接、相互作用的基本電子電路組成的、具有特定功能的電路整體分:數(shù)字電子電路模擬電子電路模-數(shù)混合電路集成電路分立原件電路數(shù)字電路——處理數(shù)字信號(hào)的電路稱之
2025-05-01 02:36