高電壓技術(shù)第四版習(xí)題答案-展示頁(yè)
2025-06-27 13:54本頁(yè)面
【正文】 正切tgδ稱為介質(zhì)損耗因素，常用％表示，為總的有功電流密度與總無(wú)功電流密度之比。Jg為真空和無(wú)損極化所引起的電流密度，為純?nèi)菪缘?；Jlk為漏導(dǎo)引起的電流密度，為純阻性的；Jp為有損極化所引起的電流密度，它由無(wú)功部分Jpc和有功部分Jpr組成。圖1－4－2中，Rlk為泄漏電阻；Ilk為泄漏電流；Cg為介質(zhì)真空和無(wú)損極化所形成的電容；Ig為流過(guò)Cg的電流；Cp為無(wú)損極化所引起的電容；Rp為無(wú)損極化所形成的等效電阻；Ip為流過(guò)Rp－Cp支路的電流，可以分為有功分量Ipr和無(wú)功分量Ipc。—R2圖中C1補(bǔ)充：由于介質(zhì)夾層極化，通常電氣設(shè)備含多層介質(zhì)，直流充電時(shí)由于空間電荷極化作用，電荷在介質(zhì)夾層界面上堆積，初始狀態(tài)時(shí)電容電荷與最終狀態(tài)時(shí)不一致；接地放電時(shí)由于設(shè)備電容較大且設(shè)備的絕緣電阻也較大則放電時(shí)間常數(shù)較大（電容較大導(dǎo)致不同介質(zhì)所帶電荷量差別大，絕緣電阻大導(dǎo)致流過(guò)的電流小，界面上電荷的釋放靠電流完成），放電速度較慢故放電時(shí)間要長(zhǎng)達(dá)5～10min。γ很小離子電導(dǎo)（自由電子）電子電導(dǎo)氣體，液體，固體1‐1.. . . ..第一章極化種類 電子式極化 離子式極化 偶極子極化 夾層極化產(chǎn)生場(chǎng)合所需時(shí)間能量損耗無(wú) 幾乎沒有有 有產(chǎn)生原因 束縛電子運(yùn)行軌道偏移 離子的相對(duì)偏移 偶極子的定向排列 自由電荷的移動(dòng)任何電介質(zhì)15 s 離子式結(jié)構(gòu)電介質(zhì)13 s 極性電介質(zhì)10～102 s 多層介質(zhì)的交界面1 s～數(shù)小時(shí)1‐4金屬導(dǎo)體電導(dǎo)形式電導(dǎo)率γ很大（自由電子、正離子、負(fù)離子、雜質(zhì)電導(dǎo)、自身離解、雜質(zhì)、離子）ρ很大金屬導(dǎo)電的原因是自由電子移動(dòng)；電介質(zhì)通常不導(dǎo)電，是在特定情況下電離、化學(xué)分解或熱離解出來(lái)的帶電質(zhì)點(diǎn)移動(dòng)導(dǎo)致。1‐6代表介質(zhì)的無(wú)損極化（電子式和離子式極化），C2代表各種有損極化，而R3則代表電導(dǎo)損耗。容性電流Jc與總電容電流密度向量J之間的夾角為δ，稱為介質(zhì)損耗角。第二章，四種電離的基本原理，表面電離的四種形式、負(fù)離子的產(chǎn)生，去游離的三種形式。，發(fā)展過(guò)程，自持放電條件，應(yīng)用范圍及二者區(qū)別；巴申曲線及其含義，物理解釋湯遜理論認(rèn)為，當(dāng)pd較小時(shí)，電子的碰撞電離和正離子撞擊陰極造成的表面電離起著主要作用，氣隙的擊穿電壓大體上是pd的函數(shù)。即空間光電離和陰極表面光電離）。流注理論認(rèn)為電子碰撞電離和空間光電離是維持自持放電的主要因素，并強(qiáng)調(diào)了空間電荷畸變電場(chǎng)的作用（充分注意到了空間電荷對(duì)電場(chǎng)畸變的作用）。的范圍內(nèi)有效。δ?Sc
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