擴散部工藝培訓(xùn)-展示頁
2025-06-26 04:32本頁面
【正文】 表面SiO2表面即生長1um的SiO2。熱氧化過程中摻入氯會使氧化層中含有一定量的氯原子，從而可以減少鈉離子沾污，鈍化SiO2中鈉離子的活性，抑制或消除熱氧化缺陷，改善擊穿特性，提高半導(dǎo)體器件的可靠性和穩(wěn)定性。人們從兩個方面來解釋速率變化的原因，其一：摻氯氧化時反應(yīng)產(chǎn)物有H2O，加速氧化；其二：氯積累在SiSiO2界面附近，氯與硅反應(yīng)生成氯硅化物，氯硅化物穩(wěn)定性差，在有氧的情況下易轉(zhuǎn)變成SiO2，因此，氯起了氧與硅反應(yīng)的催化劑的作用。 濕氧氧化的氧化層對雜質(zhì)掩蔽能力以及均勻性均能滿足工藝要求，并且氧化速率比干氧氧化有明顯提高，因此在厚層氧化中得到了較為廣泛的應(yīng)用，如場氧化等。2．2．3 濕氧氧化濕氧氧化反應(yīng)氣體中包括O2 和H2O ，實際上是兩種氧化的結(jié)合使用。2．2．2 水汽氧化 水汽氧化化學(xué)反應(yīng)式：2H2O+Si == SiO2+2H2水汽氧化生長速率快，但結(jié)構(gòu)疏松，掩蔽能力差，有較多缺陷。NWellSi(P)PWellSiO2PolyGateoxide2．2 熱氧化方法介紹2．2．1 干氧氧化 干氧氧化化學(xué)反應(yīng)式：Si+O2 == SiO2氧分子以擴散的方式通過氧化層到達二氧化硅硅表面，與硅發(fā)生反應(yīng)，生成一定厚度的二氧化硅層。如工藝中常用的場氧化就是生長較厚的二氧化硅膜，達到器件隔離的目的。在電容的制作過程中，電容的面積和光刻、腐蝕有較大的關(guān)系，而厚度則由二氧化硅的厚度決定。2．1．3電容的介質(zhì)材料 電容的計算公式： C=e0*er*S/d e0：真空介質(zhì)常數(shù) er：相對介電常數(shù) S：電容區(qū)面積 D：介質(zhì)層厚度 二氧化硅的相對介電常數(shù)為34。作為掩蔽膜時，一定要保證足夠厚的厚度，雜質(zhì)在二氧化硅中的擴散或穿透深度必須要小于二氧化硅的厚度，并有一定的余量，以防止可能出現(xiàn)的工藝波動影響掩蔽效果。SiO2NWELLPWLLS(P+)1960年二氧化硅就已被用作晶體管選擇擴散的掩蔽膜，從而導(dǎo)致了硅平面工藝的誕生，開創(chuàng)了半導(dǎo)體制造技術(shù)的新階段。2. 1氧化層的作用2．1．1用于雜質(zhì)選擇擴散的掩蔽膜常用雜質(zhì)(硼,磷,砷等)在氧化層中的擴散系數(shù)遠小于在硅中的擴散系數(shù)，因此氧化層具有阻擋雜質(zhì)向半導(dǎo)體中擴散的能力。熱氧化的目的是在硅片上制作出一定質(zhì)量要求的二氧化硅膜，對硅片或器件起保護、鈍化、絕緣、緩沖介質(zhì)等作用。FSI：負責爐前清洗。本文主要介紹熱氧化、擴散及合金工藝。Thermal process trainingEDIT BY YUMLCSMCHJ擴散部工藝培訓(xùn)主要設(shè)備、熱氧化、擴散、合金擴散部 2002年7月前言： 擴散部按車間劃分主要由擴散區(qū)域及注入?yún)^(qū)域組成，其中擴散區(qū)域又分擴散老區(qū)和擴散新區(qū)。擴散區(qū)域按工藝分，主要有熱氧化、擴散、LPCVD、合金、清洗、沾污測試等六大工藝。目錄第一章：擴散區(qū)域設(shè)備簡介……………………………………第二章：氧化工藝第三章：擴散工藝第四章：合金工藝第一章：擴散部擴散區(qū)域工藝設(shè)備簡介爐管設(shè)備外觀： 擴散區(qū)域的工藝、設(shè)備主要可以分為：類別主要包括按工藝分類熱氧化一氧、二癢、場氧、Post氧化擴散推阱、退火/磷摻雜LPCVDTEOS、SI3NPOLY清洗進爐前清洗、漂洗合金合金按設(shè)備分類臥式爐A、B、C、D、F、H、I六臺立式爐VTRVTRVTR3清洗機FSIFSI2爐管：負責高溫作業(yè)，可分為以下幾個部分：
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