【正文】 ) w3 ~　　答：是在蝕刻室的清凈或更換零件后，為要穩(wěn)定制程條件，使用仿真（dummy） 晶圓進行數(shù)次的蝕刻循環(huán)。x/ ]/ ^amp。 T! _ C( f$ W　　答：蝕刻過多造成底層被破壞) j1 Vamp。 H, n m Z3 o% a。 e$ j3 t6 |! U4 a　　答：,負電荷及中性粒子之總和。A2 l　　何謂濕式蝕刻　　答：利用液相的酸液或溶劑。 `2 n/ V　　答：Oxide etch and nitride etch　　半導(dǎo)體中一般介電質(zhì)材質(zhì)為何?$ T {+ \ n. G8 h2 _ n　　答：氧化硅/氮化硅* V: K2 j9 G$ B. O0 k | m　　答：將形成在晶圓表面上的薄膜全部，或特定處所去除至必要厚度的制程。 c　　答：半導(dǎo)體業(yè)通常用Torr作為真空的壓力單位,一大氣壓相當(dāng)760Torr,低于760Torr壓力的環(huán)境稱為真空.　　真空Pump的作用？8 A8 x8 P: c _ q( T% X% ^9 L: l　　答：降低反應(yīng)室(Chamber)內(nèi)的氣體密度和壓力　　何謂內(nèi)部連鎖(Interlock)　　答：機臺上interlock有些屬于保護操作人員的安全,有些屬于水電氣等規(guī)格訊號,用以保護機臺.　　機臺設(shè)定許多interlock有何作用?　　答：機臺上interlock主要避免人員操作錯誤及防止不相關(guān)人員動作.: ~) C。 d. Tamp。U R9 w! o$ `　　氟在CVD的工藝上，有何應(yīng)用　　答：作為清潔反應(yīng)室(Chamber)用之化學(xué)氣體4 Zamp。 O5 U D8 Y. P) X　　( Y! 1 J! X+ P。 ~ I3 f8 i( Y! M) q, U　　答：摻雜硼磷的硅玻璃(Borophosphosilicate glass)6 f/ g4 Uamp。1 X8 g39。 T8 Y, N7 l5 q+ b　　何謂IMD(InterMetal Dielectric)9 u9 j4 F1 U! Q/ ? j% y7 O/ Q m。 S6 J, l$ i5 B。 \8 g3 P. G　　答：VLSI(Very Large Scale Integration)超大規(guī)模集成電路5 E3 U8 tamp。 b。 b5 w。 E4 B3 m. M( N( _?！　〕Ｓ玫陌雽?dǎo)體材料為何39。最常用的半導(dǎo)體材料是硅及鍺。CVD　　晶圓制造廠非常昂貴的原因之一，是需要一個無塵室，為何需要無塵室　　答：由于微小的粒子就能引起電子組件與電路的缺陷　　何謂半導(dǎo)體?。 I* s N* v8 Y! H3 a8 q4 a1 R0 \ W　　答：半導(dǎo)體材料的電傳特性介于良導(dǎo)體如金屬(銅、鋁，以及鎢等)和絕緣和橡膠、塑料與干木頭之間。半導(dǎo)體最重要的性質(zhì)之一就是能夠藉由一種叫做摻雜的步驟刻意加入某種雜質(zhì)并應(yīng)用電場來控制其之導(dǎo)電性。 u* k9 `+ D1 v1 U f5 [7 G　　答：硅(Si)、鍺(Ge)和砷化家(AsGa): j* z$ X0 wamp。 o4 D　　何謂VLSI39。 M }。 。 \t9 x5 L4 K% _2 f　　在半導(dǎo)體工業(yè)中，作為絕緣層材料通常稱什幺0 r7 i, `/ G1 P! U w! I　　答：介電質(zhì)(Dielectric). w j 9 Y2 {0 L0 fw　　薄膜區(qū)機臺主要的功能為何　　答：沉積介電質(zhì)層及金屬層　　何謂CVD(Chemical Vapor Dep.)　　答：CVD是一種利用氣態(tài)的化學(xué)源材料在晶圓表面產(chǎn)生化學(xué)沉積的制程　　CVD分那幾種?　　答：PECVD(電漿增強型)及ThermalCVD(熱耦式)　　為什幺要用鋁銅(AlCu)合金作導(dǎo)線?4 Z* y3 A, Gf+ zX* Y5 ?　　答：良好的導(dǎo)體僅次于銅　　介電材料的作用為何?% Y/ W) h39。 f9 [　　答：做為金屬層之間的隔離　　何謂PMD(PreMetal Dielectric)　　答：稱為金屬沉積前的介電質(zhì)層，其界于多晶硅與第一個金屬層的介電質(zhì)5 |3 X. M$ o。 N, b　　答：金屬層間介電質(zhì)層。 qa0 h3 k4 r X$ l. l　　何謂USG?　　答：未摻雜的硅玻璃(Undoped Silicate Glass): u0 F0 d! AM+ U( w/ Q　　何謂FSG?　　答：摻雜氟的硅玻璃(Fluorinated Silicate Glass)　　何謂BPSG?amp。 D/ }5 W　　何謂TEOS?　　答：Tetraethoxysilane用途為沉積二氧化硅　　TEOS在常溫時是以何種形態(tài)存在?　　答：液體 q) ]0 H 9 p7 C8 P。 b* _$ g　　答： H9 v39。 Z5 a* E6 m+ F　　簡述Endpoint [2 d$ j l7 p4 V. f　　答：clean制程時,利用生成物或反應(yīng)物濃度的變化,因其特定波長光線被 detector 偵測到強度變強或變?nèi)?當(dāng)超過某一設(shè)定強度時,即定義制程結(jié)束而該點為endpoint. {1 t4 t! D! H, Q6 {　　機臺使用的管件材料主要有那些?　　答：有不銹鋼制(Stainless Steal),黃銅制(Brass),塑膠制(PVC),特氟隆制(Teflon)四種.　　機器維修時要放置停機維修告示牌目的為何?　　答：告知所有的人勿操作機臺，避免危險　　機臺維修至少兩人配合，有何目的?7 n4 e* o% i d　　答：幫忙拆卸重物，并隨時警戒可能的意外發(fā)生　　更換過任何氣體管路上的零件之后，一定要做何動作?　　答：用氦氣測漏機來做測漏. {0 R1 R u% H, m7 a F9 w　　維修尚未降至室溫之反應(yīng)室(Chamber)，應(yīng)配帶何種手套　　答：石棉材質(zhì)之防熱手套并宜在80攝式度下始可動作9 |/ _39。 r6 N F0 A7 V　　何為真空(Vacuum)?半導(dǎo)體業(yè)常用真空單位是什幺? {3 Y I u。 d H% k7 e! G) R　　Wafer Scrubber的功能為何?　　答：移除芯片表面的污染粒子6 D/ ^ ~6 s9 Sh. Z! X: Y) d, \　　+ L( G+ m6 G8 l, D+ E　　ETCH　　何謂蝕刻(Etch)?+ `( Z( a5 H39?！　∥g刻種類:　　答：(1) 干蝕刻(2) 濕蝕刻　　蝕刻對象依薄膜種類可分為:　　答：poly,oxide, metal　　半導(dǎo)體中一般金屬導(dǎo)線材質(zhì)為何?　　答：鵭線(W)/鋁線(Al)/銅線(Cu)9 \/ y% ~. R9 T0 l　　何謂 dielectric 蝕刻(介電質(zhì)蝕刻)?n \9 } a2 _1 `) Y2 eamp。將不要的薄膜去除* z* ^) J8 YB8 E$ \. TL　　何謂電漿 Plasma?amp。其中包含電子,正離子,負離子,中性分子,活性基及發(fā)散光子等, QJ6 H1 j6 ?9 J0 w) u　　何謂干式蝕刻?　　答：利用plasma將不要的薄膜去除　　何謂Underetching(蝕刻不足)?0 e* k7 Z1 s3 L: g　　答：系指被蝕刻材料，在被蝕刻途中停止造成應(yīng)被去除的薄膜仍有殘留}amp。 { Q　　何謂Overetching(過蝕刻 )$ i, Famp。 K6 L* N! h: x ^n　　何謂Etch rate(蝕刻速率)　　答：單位時間內(nèi)可去除的蝕刻材料厚度或深度7 Q。 j, M　　何謂Seasoning(陳化處理)39。: r. g6 g) `+ f9 Q* \+ n　　Asher的主要用途:1 y2 z2 ze) d/ e　　答：光阻去除3 R8 V9 p/ f) A _) b　　Wet bench dryer 功用為何?( O! C) z2 o。 I R! e。 B　　答：利用表面張力將晶圓表面的水份去除7 Y _4 w。 e8 N O. _1 e　　何謂 IPA Vapor Dryer　　答：利用IPA(異丙醇)和水共溶原理將晶圓表面的水份去除　　測Particle時,使用何種測量儀器?。 B+ amp。 X% L% G39。 x { K2 w。 u$ U　　金屬蝕刻機臺轉(zhuǎn)非金屬蝕刻機臺時應(yīng)如何處理?　　答：清機防止金屬污染問題　　金屬蝕刻機臺Asher的功用為何?　　答：去光阻及防止腐蝕 w2 N$ i 7 e Uamp。 G( Lu( ay ~　　何種氣體為Poly ETCH主要使用氣體?amp。 e/ l6 O3 ^! b7 j2 P　　答：Cl2, HBr, HCl　　用于Al 金屬蝕刻的主要氣體為 x0 C X T4 ^　　答：Cl2, BCl3$ p0 N4 v. E I( Wamp。 N( G. Q　　用于W金屬蝕刻的主要氣體為$ f0 x39。 ) |0 s　　答：SF6。 x39。 t3 T! L9 V1 _+ t　　答：H2SO4/H2O2. y|B. `8 E$ i　　AMP槽的化學(xué)成份為:. G: K) _9 h C% S　　答：NH4OH/H2O2/H2O　　UV curing 是什幺用途?　　答：利用UV光對光阻進行預(yù)處理以加強光阻的強度　　UV curing用于何種層次?0 N) D7 m+ w5 O9 _　　答：金屬層, Z6 _7 z X6 Y8 O5 F* ~* ?　　何謂EMO?　　答：機臺緊急開關(guān)5 s. r t8 B9 x8 T! V! {7 S9 L1 T2 _　　EMO作用為何?5 a7 c j, V! A　　答：當(dāng)機臺有危險發(fā)生之顧慮或已不可控制,可緊急按下　　濕式蝕刻門上貼有那些警示標示?7 X。 i3 v39。 J7 F r1 [/ M　　BOE槽之主成份為何?) q, ER: w9 M　　答：HF(氫氟酸)與NH4F(氟化銨).　　BOE為那三個英文字縮寫 ?, x7 }39?！　∮卸練怏w之閥柜(VMB)功用為何?　　答：當(dāng)有毒氣體外泄時可利用抽氣裝置抽走,并防止有毒氣體漏出　　 MHz,為何不用其它頻率?　　答：為避免影響通訊品質(zhì),目前只開放特定頻率,作為產(chǎn)生電漿之用,如380~420KHz ,　　何謂ESC(electrical static chuck)2 B z. J damp。 G0 o2 a0 `　　答：利用靜電吸附的原理, 將 Wafer 固定在極板 (Substrate) 上/ E Y2 U, d, d) ^, L6 m! K, \　　Asher主要氣體為　　答：O2　　Asher機臺進行蝕刻最關(guān)鍵之參數(shù)為何?　　答：溫度　　簡述TURBO PUMP 原理。 a* J5 C X　　熱交換器(HEAT EXCHANGER)之功用為何？w0 W |7 h* {3 [! D　　答：將熱能經(jīng)由介媒傳輸,以達到溫度控制之目地39。End point detector利用波長偵測蝕刻終點　　何謂MFC？　　答：mass flow controler氣體流量控制器。 W+ W+ t9 Y. `/ zamp。側(cè)壁側(cè)向蝕刻的機率均等　　何謂 anisotropic etch? Q( w( V。側(cè)壁側(cè)向蝕刻的機率少　　何謂 etch 選擇比?7 N/ `39。 D$ ^7 t. R h6 R% w　　答：不同材質(zhì)之蝕刻率比值amp。 F3 T% j9 l　　何謂AEI CD?　　答：蝕刻后特定圖形尺寸之大小,特征尺寸(Critical Dimension)9 U。 K) d7 z$ [$ E3 X　　何謂CD bias?　　答：蝕刻CD減蝕刻前黃光CDE, `。 M) q0 d。 ?7 v9 G Q　　答：蝕刻過程中,所施予之功率并不會完全地被反應(yīng)腔內(nèi)接收端所接受,會有部份值反射掉,此反射之量,稱為反射功率　　Load Lock 之功能為何?　　答：Wafers經(jīng)由loadlock后再進出反應(yīng)腔,確保反應(yīng)腔維持在真空下不受粉塵及濕度的影響.　　廠務(wù)供氣系統(tǒng)中何謂 Bulk Gas ?　　答：Bulk Gas 為大氣中普遍存在之制程氣體, 如 N2, O2, Ar h2 V。 R7 X　　廠務(wù)供氣系統(tǒng)中何謂Inert Gas?　　答：Inert Gas 為一些特殊無強烈毒性的氣體, 如 NH3, CF4, CHF3, SF6 等. U2 r8 b [/ Z! P, S: l　　廠務(wù)供氣系統(tǒng)中何謂Toxic Gas ?, E r$ `4 t6 J! g　　答：Toxic Gas 為具有強烈危害人體的毒性氣體, 如 SiH4, Cl2, BCl3 等.　　機臺維修時,異常告示排及機臺控制權(quán)應(yīng)如何處理?　　答：將告示牌切至異常且將機臺控制權(quán)移至維修區(qū)以防有人誤動作6 Famp。 X* T$ h: Oamp。 ~　　冷卻器的冷卻液為何功用 ?　　答：傳導(dǎo)熱2 W ~+ I. K e0 p! CT3 n7 O( ^ H2 J. X! R　　Etch之廢氣有經(jīng)何種方式處理 ?　　答：利用水循環(huán)將廢氣溶解之后排放至廢酸槽4 U。 kE39。 C a* c! C3 D　　一氧化碳(CO)偵測器警報異常處理程序 R) W* R/ c+ P4 Z [+ d C% x1 ^　　答：(1) 警告周圍人員. (2) 按 Pause 鍵,暫止 Run 貨. (3) 立即關(guān)閉 VMB 閥,并通知廠務(wù). (4) 進行測漏.　　高壓電擊異常處理程序/ 2 J`/ b* \9 y I　　答：(1) 確認安全無慮下,按 EMO鍵(2) 確認受傷原因(誤觸電源,漏水等)(3) 處理受傷人員　　T/C (傳送Transfer