模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)典型習(xí)題解答-展示頁
2025-06-09 00:00本頁面
【正文】 電路的、Ri、Ro。 解：（1）因為通常β＞＞1，所以電壓放大倍數(shù)分別應(yīng)為 試問：?。?）=/≈? =/≈? （2）畫出輸入電壓和輸出電壓ui、uouo2 的波形?！ ? 解：（1）靜態(tài)分析： 動態(tài)分析： ?。?） Ri增大，Ri≈；減小，≈－。 解：在空載和帶負(fù)載情況下，電路的靜態(tài)電流、rbe均相等，它們分別為 空載時，靜態(tài)管壓降、電壓放大倍數(shù)、輸入電阻和輸出電阻分別為 RL＝5kΩ時，靜態(tài)管壓降、電壓放大倍數(shù)分別為 ，晶體管的b＝100，=100Ω。分別計算RL＝∞和RL＝3kΩ時的Q點、Ri 和Ro?！ лd時：IBQ＝20μA，ICQ＝2mA，UCEQ＝3V；。 （a）所示，圖（b）是晶體管的輸出特性，靜態(tài)時UBEQ＝。 （d）在VBB支路加Rb，在－VCC與集電極之間加Rc。 （b）在＋VCC 與基極之間加Rb。要求保留電路原來的共射接法和耦合方式。 ?。╡）可能 所以，時，管子飽和?！ 」芴枴1 T2 T3 T4 T5 T6 上 e c e b c b 中 b b b e e e 下 c e c c b c 管型 PNP NPN NPN PNP PNP NPN 材料 Si Si Si Ge Ge Ge 解：晶體管三個極分別為上、中、下管腳?！ ??！ ?（a）、（b）所示，穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓UZ＝3V，R的取值合適，uI的波形如圖（c）所示?！。?）29mA＞IZM＝25mA，穩(wěn)壓管將因功耗過大而損壞。故 當(dāng)UI＝15V時，若UO＝UZ＝6V，則穩(wěn)壓管的電流小于其最小穩(wěn)定電流，所以穩(wěn)壓管未擊穿。 ＝6V，最小穩(wěn)定電流IZmin＝5mA，最大穩(wěn)定電流IZmax＝25mA?！ ?已知穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓UZ＝6V，穩(wěn)定電流的最小值IZmin＝5mA，最大功耗PZM＝150mW。 （a）所示，其輸入電壓uI1和uI2的波形如圖（b）所示，二極管導(dǎo)通電壓UD＝。 解：?！ ? 《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》典型習(xí)題解答 第一章 半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)知識 ，已知ui＝5sinωt (V)，二極管導(dǎo)通電壓UD＝。試畫出ui與uO的波形，并標(biāo)出幅值?！ ≡嚠嫵鲚敵鲭妷簎O的波形，并標(biāo)出幅值。 解：。 解：穩(wěn)壓管的最大穩(wěn)定電流 IZM＝PZM/UZ＝25mA 電阻R的電流為IZM～I(xiàn)Zmin，所以其取值范圍為 ?。?） 別計算UI為10V、15V、35V三種情況下輸出電壓UO的值； ?。?） 若UI＝35V時負(fù)載開路，則會出現(xiàn)什么現(xiàn)象?為什么？ 解：（1）當(dāng)UI＝10V時，若UO＝UZ＝6V，則穩(wěn)壓管的電流小于其最小穩(wěn)定電流，所以穩(wěn)壓管未擊穿。故 當(dāng)UI＝35V時，穩(wěn)壓管中的電流大于最小穩(wěn)定電流IZmin，所以UO＝UZ＝6V?！≡嚪謩e畫出uO1和uO2的波形。 解： 在圓圈中畫出管子，并分別說明它們是硅管還是鍺管?！? ，試問β大于多少時晶體管飽和？ 解：取UCES＝UBE，若管子飽和，則 ?！ 〗猓海╝）可能 （b）可能 ?。╟）不能 （d）不能，T的發(fā)射結(jié)會因電流過大而損壞。 第二章 基本放大電路 ，使它們有可能放大正弦波信號?！ ? 解：（a）將－VCC改為＋VCC 。 （c）將VBB反接，且在輸入端串聯(lián)一個電阻?！±脠D解法分別求出RL＝∞和RL＝3kΩ時的靜態(tài)工作點和最大不失真輸出電壓Uom（有效值）?！ ? 解：空載時：IBQ＝20μA，ICQ＝2mA，UCEQ＝6V；?！?。 ，晶體管的b＝80，=100Ω。 （1）求電路的Q點、Ri和Ro； （2） 若電容Ce開路，則將引起電路的哪些動態(tài)參數(shù)發(fā)生變化？如何變化？ ?！ 。?）兩個電壓放大倍數(shù)說明 uo1≈－ui，uo2≈ui?！ ? ，晶體管的b＝80，rbe=1kΩ?！ 。?）求解Q點、Ri和Ro； （2）設(shè)＝10mV（有效值），問＝？＝？若C3開路，則＝？＝？ 解：（1）Q點： 、Ri和Ro的分析： （2）設(shè)＝10mV（有效值），則 若C3開路，則 （a）所示電路中場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性
公司管理相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1