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模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)第四版習(xí)題解答-展示頁(yè)

2025-04-03 04:55本頁(yè)面
  

【正文】 b2短路;(6)RC短路; 解:(1),,∴。判斷下列結(jié)論是否正確,在括號(hào)內(nèi)打“√”和“”表示。 所示。 (a) (b) 解:空載時(shí):; , 。 (a)所示,圖(b)是晶體管的輸出特性,靜態(tài)時(shí)。,圖(b):。; (a) (b) (c) (d) (a)、 (b)所示兩電路各屬哪種放大電路,并寫(xiě)出的表達(dá)式。設(shè)所有電容對(duì)交流信號(hào)均可視為短路。(d)在VBB支路加Rb,在VCC與集電極之間加Rc。(b)在+VCC與基極之間加Rb。要求保留電路原來(lái)的共射接法和耦合方式。解:根據(jù)電路接法,可分別采用耗盡型N溝道和P溝道MOS管, 所示。 六、試將合適的場(chǎng)效應(yīng)管接入電路,使之能夠正常放大。 減小 C. 減小五、現(xiàn)有直接耦合基本放大電路如下: 、(a)、 (a)、 . 9(a)所示;設(shè)圖中,且、均相等。選擇一個(gè)合適的答案填入空內(nèi)。若負(fù)載電阻值與相等,則帶上 負(fù)載后輸出電壓有效值( )=( )V。(1)當(dāng)時(shí),測(cè)得,若要基極電流, 則和之和=( )≈( 565 );而若測(cè)得,則=( )≈( 3 )。三. 所示電路中,已知, 晶體管β=100。圖(i)不能。圖(h)不合理。輸出始終為零。輸入信號(hào)被電容C2短路。晶體管基極回路因無(wú)限流電阻而燒毀。輸入信號(hào)與基極偏置是并聯(lián)關(guān)系而非串聯(lián)關(guān)系。圖(b)可以。 (a) (b) (c) (d) (e) (f) (g) (h) (i)解:圖(a)不能。()二.,簡(jiǎn)述理由。(√),所以當(dāng)輸入直流信號(hào)時(shí),任何放大電路的輸出都毫無(wú)變化。()。()。 補(bǔ)圖P4第2章 基本放大電路自測(cè)題一.在括號(hào)內(nèi)用“√”和“”表明下列說(shuō)法是否正確。你認(rèn)為應(yīng)選用哪只管子?為什么?解:選用β=100 , 的管子,因其β適中,較小,因而溫度穩(wěn)定性較另一只管子好。(a) (b) (c) 補(bǔ)圖P1 解:波形如下圖所示 ?解:。(a)、(b)所示,穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓, R 的取值合適,的波形如圖(c)所示。 所示各電路中的場(chǎng)效應(yīng)管是否有可能工作在恒流區(qū)。當(dāng)=8V時(shí),設(shè)T 工作在恒流區(qū),根據(jù)輸出 特性可知,管壓降, 因此,小于開(kāi)啟電壓,說(shuō)明假設(shè)成立,即T工作在恒流區(qū)。解: 所示T的輸出特性可知,其開(kāi)啟電壓為5V 。 (a) (b)解:在場(chǎng)效應(yīng)管的恒流區(qū)作橫坐標(biāo)的垂線(xiàn)( (a)所示),讀出其與各條曲線(xiàn)交點(diǎn)的縱坐標(biāo)值及值,建立坐標(biāo)系,描點(diǎn),連線(xiàn),即可得到轉(zhuǎn)移特性曲線(xiàn), (b)所示。 解:管子可能是增強(qiáng)型管、耗盡型管和結(jié)型管,三個(gè)極① 、② 、③ 與G 、S 、D 所示。① 、② 、③ 的電位分別為4V 、8V 、12V ,管子工作在恒流區(qū)。(a) (b) (c) (d) (e)解:(a)可能;(b)可能;(c)不能;(d)不能,T 的發(fā)射結(jié)會(huì)因電流過(guò)大而損壞。當(dāng)時(shí),晶體管飽和。,晶體管的β=50 ,,飽和管壓降;穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓, 正向?qū)妷骸?2)當(dāng)時(shí),因?yàn)? 所以T處于放大狀態(tài)。試分析為0V、1V、3V三種情況下T 的工作狀態(tài)及輸出電壓的值。 解:。放大倍數(shù)分別為和。分別求另一電極的電流,標(biāo)出其方向,并在圓圈中畫(huà)出管子,且分別求出它們的電流放大系數(shù)β。試問(wèn):(1)開(kāi)關(guān)S 在什么位置時(shí)發(fā)光二極管才能發(fā)光?(2)R的取值范圍是多少?解:(1)S閉合。(2)當(dāng)負(fù)載開(kāi)路時(shí),故穩(wěn)壓管將被燒毀。(1)分別計(jì)算為10V 、15V 、35V 三種情況下輸出電壓的值;(2)若時(shí)負(fù)載開(kāi)路,則會(huì)出現(xiàn)什么現(xiàn)象? 為什么?解:(1)只有當(dāng)加在穩(wěn)壓管兩端的電壓大于其穩(wěn)壓值時(shí),輸出電壓才為6V。 (2)并聯(lián)相接可得2種:;6V。試問(wèn)二極管中流過(guò)的交流電流的有效值為多少?解:二極管的直流電流 其動(dòng)態(tài)電阻: 故動(dòng)態(tài)電流的有效值:,穩(wěn)壓值分別是6V和8V。 解:。,已知(V),二極管導(dǎo)通電壓UD=。設(shè)二極管導(dǎo)通電壓可忽略不計(jì)。 (4)當(dāng)場(chǎng)效應(yīng)管的漏極直流電流ID從2mA變?yōu)?mA時(shí),它的低頻跨導(dǎo)gm將( A ) 。 (2)當(dāng)溫度升高時(shí),二極管的反向飽和電流將(A) 。習(xí)題。 管號(hào)UGS(th)/VUS/VUG/VUD/V工作狀態(tài)T14513恒流區(qū)T243310截止區(qū)T34605可變電阻區(qū)解:因?yàn)槿还茏泳虚_(kāi)啟電壓,所以它們均為增強(qiáng)型MOS 管。 (2)∵, ∴六、測(cè)得某放大電路中三個(gè)MOS 所示,它們的開(kāi)啟電壓也在表中。五、VCC=15V,b=100,UBE=。 (a) (b) 解:左圖中穩(wěn)壓管工作在擊穿狀態(tài),故UO1=6V。四、已知穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓值UZ=6V,穩(wěn)定電流的最小值IZmin=5mA。 管 管 三、 所示各電路的輸出電壓值,設(shè)二極管導(dǎo)通電壓UD=。 (3)當(dāng)晶體管工作在放大區(qū)時(shí),發(fā)射結(jié)電壓和集電結(jié)電壓應(yīng)為 B 。(l) PN 結(jié)加正向電壓時(shí),空間電荷區(qū)將 A 。( √ ) (6)若耗盡型N 溝道MOS 管的 大于零,則其輸入電阻會(huì)明顯變小。( √ ) (4)處于放大狀態(tài)的晶體管,集電極電流是多子漂移運(yùn)動(dòng)形成的。( √ ) (2)因?yàn)镹 型半導(dǎo)體的多子是自由電子,所以它帶負(fù)電。第1章 常用半導(dǎo)體器件自測(cè)題一、判斷下列說(shuō)法是否正確,用“”和“√”表示判斷結(jié)果填入空內(nèi)。(1)在N 型半導(dǎo)體中如果摻入足夠量的三價(jià)元素,可將其改型為P 型半導(dǎo)體。( ) (3)PN 結(jié)在無(wú)光照、無(wú)外加電壓時(shí),結(jié)電流為零。( )(5)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管外加的柵一源電壓應(yīng)使柵一源間的耗盡層承受反向電壓,才能保證其大的特點(diǎn)。( ) 二、選擇正確答案填入空內(nèi)。 (2)穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓區(qū)是其工作在 C 。、后者也反偏 、后者反偏 、后者也正偏(4) UGS=0V時(shí),能夠工作在恒流區(qū)的場(chǎng)效應(yīng)管有 A 、C 。 解:UO1=, UO2=0V, UO3=, UO4=2V, UO5=, UO6=2V。 所示電路中UO1和UO2各為多少伏。右圖中穩(wěn)壓管沒(méi)有擊穿,故UO2=5V。試問(wèn): (1)Rb=50kW時(shí),Uo=? (2)若T臨界飽和,則Rb=?解:(1), ,。試分析各管的工作狀態(tài)(截止區(qū)、恒流區(qū)、可變電阻區(qū)),并填入表內(nèi)。根據(jù)表中所示各極電位可判斷出它們各自的工作狀態(tài)。(l)在本征半導(dǎo)體中加入( A )元素可形成N 型半導(dǎo)體,加入( C )元素可形成P 型半導(dǎo)體。 (3)工作在放大區(qū)的某三極管,如果當(dāng)IB 從12 uA 增大到22 uA 時(shí),IC 從lmA 變?yōu)?mA ,那么它的β約為( C ) 。; ; 所示,已知(V),試畫(huà)出與的波形。 解:。試畫(huà)出與的波形圖,并標(biāo)出幅值。, 二極管導(dǎo)通電壓UD=,常溫下,電容C對(duì)交流信號(hào)可視為短路;為正弦波,有效值為10mV。試問(wèn):(1)若將它們串聯(lián)相接,則可得到幾種穩(wěn)壓值?各為多少?(2)若將它們并聯(lián)相接,則又可得到幾種穩(wěn)壓值?各為多少?解:(1)串聯(lián)相接可得4種:;14V;;。 所示電路中穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓,最小穩(wěn)定電流,最大穩(wěn)定電流。∴時(shí),;時(shí),;時(shí),∴。 所示電路中,發(fā)光二極管導(dǎo)通電壓UD = ,正向電流在5~15mA 時(shí)才能正常工作。 (2) R的范圍為: 。 (a) (b) (a) (b) 解:。在圓圈中畫(huà)出管子,并說(shuō)明它們是硅管還是鍺管。 ,晶體管導(dǎo)通時(shí),β=50。解: (1)當(dāng)時(shí),T 截止。(3)當(dāng)時(shí),因?yàn)椋?所以T處于飽和狀態(tài)。試問(wèn):當(dāng)時(shí)?;當(dāng)時(shí)?解:當(dāng)時(shí),晶體管截止,穩(wěn)壓管擊穿。因?yàn)椋? , 所示各電路中晶體管是否有可能工作在放大狀態(tài)。(e)可能。試判斷它可能是哪種管子(結(jié)型管、MOS 管、增強(qiáng)型、耗盡型),并說(shuō)明① 、② 、③ 與G 、S 、D 的對(duì)應(yīng)關(guān)系。 ,畫(huà)出它在恒流區(qū)的轉(zhuǎn)移特性曲線(xiàn)。,,分析當(dāng)=4V、8V 、12V 三種情況下場(chǎng)效應(yīng)管分別工作在什么區(qū)域。當(dāng)=4V時(shí),小于開(kāi)啟電壓,故T 截止。 當(dāng)=12V時(shí),由于,必然使T工作在可變電阻區(qū)。 (a) (b) (c) (d) 解:(a)可能,(b)不能,(c)不能,(d)可能。試分別畫(huà)出和的波形。,一只的β=200 , ;另一只的β=100 , ,其它參數(shù)大致相同。,試問(wèn)β大于多少時(shí)晶體管飽和?解:取,若管子飽和,則, 即所以,時(shí),管子飽和。,才稱(chēng)其有放大作用。(√)。()。(),輸出電壓的底部失真都是飽和失真。設(shè)圖中所有電容對(duì)交流信號(hào)均可視為短路。VBB將輸入信號(hào)短路。圖(c)不能。圖(d)不能。圖(e)不能。圖(f)不能。圖(g)可能。因?yàn)镚S間電壓將大于零。因?yàn)門(mén)截止。填空:要求先填文字表達(dá)式后填得數(shù)。 (2)若測(cè)得輸入電壓有效值時(shí),輸出電壓有效值,則電壓放大倍數(shù)( )≈( 120 )。四、 所示電路中,靜態(tài)管壓降并在輸出端加負(fù)載電阻,其阻值為3。(1)該電路的最大不失真輸出電壓有效值( A ); (2)當(dāng)時(shí),若在不失真的條件下,減小Rw ,則輸出電壓的幅值將( C ); (3)在時(shí),將Rw 調(diào)到輸出電壓最大且剛好不失真,若此時(shí)增大輸入電壓,則輸出電壓波形將( B ); (4)若發(fā)現(xiàn)電路出現(xiàn)飽和失真,則為消除失真,可將( B )。選擇正確答案填入空內(nèi),只需填A(yù) 、B 、… …(l)輸入電阻最小的電路是( C ),最大的是( D、E );(2)輸出電阻最小的電路是( B );(3)有電壓放大作用的電路是( A、C、D ); (4)有電流放大作用的電路是( A、B、D、E );(5)高頻特性最好的電路是( C );(6)輸入電壓與輸出電壓同相的電路是( B、C、E );反相的電路是( A、D )。要求給出兩種方案。
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