【摘要】《模擬電子技術(shù)基礎》典型習題解答半導體器件的基礎知識1,已知ui=5sinωt(V),二極管導通電壓UD=。試畫出ui與uO的波形,并標出幅值。????????&
2025-06-09 18:04
【摘要】《模擬電子技術(shù)基礎》典型習題解答第一章半導體器件的基礎知識,已知ui=5sinωt(V),二極管導通電壓UD=。試畫出ui與uO的波形,并標出幅值。????????
2024-08-25 11:21
【摘要】·110·第2章半導體二極管及直流穩(wěn)壓電源習題2,,測得,試問二極管VD是否良好(設外電路無虛焊)?解:內(nèi)部PN結(jié)或電極已開路,D已損壞。,,試分別估算開關(guān)斷開和閉合時輸出電壓的數(shù)值。解:S斷開:斷開VD,。所以VD
2025-08-03 12:13
【摘要】第4章場效應管放大電路與功率放大電路,請分別說明場效應管各屬于何種類型。說明它的開啟電壓(或夾斷電壓)約是多少。解:(a)N溝道耗盡型FETUP=-3V;(b)P溝道增強型FETUT=-4V;(c)P溝道耗盡型FETUP=2V。某MOSFET的IDSS=10mA且UP=-8V。(1)此元件是P溝道還是N溝道?(2)計算
【摘要】《電力電子技術(shù)》(??频诙?習題解答第1章思考題與習題?導通后流過晶閘管的電流和負載上的電壓由什么決定?答:晶閘管的導通條件是:晶閘管陽極和陽極間施加正向電壓,并在門極和陽極間施加正向觸發(fā)電壓和電流(或脈沖)。導通后流過晶閘管的電流由負載阻抗決定,負載上電壓由輸入陽極電壓UA決定。? 如何實現(xiàn)? 晶閘管處于阻斷狀態(tài)時其兩端的電壓大小由什么決定?答:晶閘管的關(guān)
2025-04-03 06:06
【摘要】習題6確定圖中晶體管其它兩個電流的值(a)IC=βIB=200×=25(mA)IE=IB+IC=(mA)(b)IB=IE/(1+β)=5/(1+100)=(μA)IC=IE-IB=(mA)(c)IB=IC/β=3/120=25(μA)IE=IB+IC=(mA)測得放大電路中的晶體三極管3個電極①、②、③,試判
2024-08-26 05:36
【摘要】模擬電子技術(shù)基礎自測題與習題解答第1章常用半導體器件自測題一、判斷下列說法是否正確,用“×”和“√”表示判斷結(jié)果填入空內(nèi)。(1)在N型半導體中如果摻入足夠量的三價元素,可將其改型為P型半導體。(√)(2)因為N型半導體的多子是自由電子,所以它帶負電。(×)(3)PN結(jié)在無光照、無外加電
【摘要】第1章常用半導體器件自測題一、判斷下列說法是否正確,用“×”和“√”表示判斷結(jié)果填入空內(nèi)。(1)在N型半導體中如果摻入足夠量的三價元素,可將其改型為P型半導體。(√)(2)因為N型半導體的多子是自由電子,所以它帶負電。(×)(3)PN結(jié)在無光照、無外加電壓時,結(jié)電流為零。(√)(4)處于放大狀態(tài)的晶體管,集電極電流是多子
2025-04-03 04:55
【摘要】第2章一階動態(tài)電路的暫態(tài)分析習題解答。解電流源電流為分段計算電容電壓期間時,期間s時,時瞬時功率為 電容的儲能為(a)中,電感,電流波形如圖(b)所示,求電壓、時電感吸收功率及儲存的能量。解(b)可寫出電流的函數(shù)時 ,已知,,,求時
2025-04-03 06:24
【摘要】模擬電子技術(shù)基礎第四版清華大學電子學教研組編童詩白華成英主編自測題與習題解答2第1章常用半導體器件自測題一、判斷下列說法是否正確,用“×”和“√”表示判斷結(jié)果填入空內(nèi)。(1)在N型半導體中如果摻
2024-11-18 01:14
【摘要】電工與電子技術(shù)習題與解答《電工與電子技術(shù)》習題與解答電工電子教研室第一章一單項選擇題1如題1圖已知U220VI1A則元件消耗的功率P為CA220WB0WC220WD不能確定2直流電路如題2圖所示電
2024-11-21 11:42
【摘要】《電力電子技術(shù)》習題解答第2章思考題與習題?導通后流過晶閘管的電流和負載上的電壓由什么決定?答:晶閘管的導通條件是:晶閘管陽極和陽極間施加正向電壓,并在門極和陽極間施加正向觸發(fā)電壓和電流(或脈沖)。導通后流過晶閘管的電流由負載阻抗決定,負載上電壓由輸入陽極電壓UA決定。? 如何實現(xiàn)? 晶閘管處于阻斷狀態(tài)時其兩端的電壓大小由什么決定?答:晶閘管的關(guān)斷條件是:要使
【摘要】1習題解答第一章234567891011121314151617【題1-9】18192021222324252627282930
2024-10-28 19:40
【摘要】第三部分習題與解答習題1客觀檢測題一、填空題1、在雜質(zhì)半導體中,多數(shù)載流子的濃度主要取決于摻入的雜質(zhì)濃度,而少數(shù)載流子的濃度則與溫度有很大關(guān)系。2、當PN結(jié)外加正向電壓時,擴散電流大于漂移電流,耗盡層變窄。當外加反向電壓時,擴散電流小于漂移電流,耗盡層變寬。3
2024-11-06 19:21
【摘要】目錄習題一………………………………………1習題二………………………………………6習題三………………………………………16習題四………………………………………24習題五………………………………………30習題六………………………………………35習
2024-11-08 03:17