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理學(xué)]模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)第四版習(xí)題解答-展示頁(yè)

2024-11-18 01:14本頁(yè)面
  

【正文】 端的 電壓大于其穩(wěn)壓值時(shí),輸出電壓才為 6V。 (2)并聯(lián)相接可得 2 種: ; 6V。試問(wèn)二極管中流過(guò)的交流電流的有效值為多少? 解: 二極管的直流電流 ( ) / V U R m A? ? ? 其動(dòng)態(tài)電阻 : / 10D T Dr U I? ? ? 圖 故動(dòng)態(tài)電流的有效值 : /1d i DI U r mA?? 現(xiàn)有兩只穩(wěn)壓管,穩(wěn)壓值分別是 6V 和 8V,正向?qū)妷簽?。 5 圖 解圖 解: 波形如 解圖 所示。 電路如 圖 所示,已知 tui ?sin5? (V),二極管導(dǎo)通電壓 UD=。設(shè)二極管導(dǎo)通電壓可忽略不計(jì)。 (4)當(dāng)場(chǎng)效應(yīng) 管的漏極直流電流 ID從 2mA 變?yōu)?4mA 時(shí) ,它的低頻跨導(dǎo) gm 將 ( A ) 。 (2)當(dāng)溫度升高時(shí),二極管的反向飽和電流將 (A) 。 習(xí)題 選擇合適答案填入空內(nèi)。 表 管號(hào) UGS(th)/V US/V UG/V UD/V 工作狀態(tài) T1 4 5 1 3 恒流區(qū) T2 4 3 3 10 截止區(qū) T3 4 6 0 5 可變電阻區(qū) 解: 因?yàn)槿还茏泳虚_(kāi)啟電壓,所以它們均為增強(qiáng)型 MOS 管。 圖 (2)∵ 2 .8 6C C B ECS cVUI m AR???, / C SI I A???? ∴ 4 5 .5B B B Eb BSVURkI?? ? ? 六 、 測(cè)得某放大電路中三個(gè) MOS 管的三個(gè)電極的 電位如 表 所示,它們的開(kāi)啟電壓也在表中。 五、電路如 圖 所示, VCC=15V, ?=100, UBE=。 (a) (b) 圖 解: 左圖中穩(wěn)壓管工作在擊穿狀態(tài),故 UO1=6V。 四、已知穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓值 UZ=6V,穩(wěn)定電流的最小值 IZmin=5mA。 MOS 管 MOS 管 三、寫(xiě)出 圖 所示各電路的輸出電壓值,設(shè)二極管導(dǎo)通電壓 UD=。 (3)當(dāng)晶體管工作在放大區(qū)時(shí),發(fā)射結(jié)電壓和集電結(jié)電壓應(yīng)為 B 。 (l) PN 結(jié)加正向電壓時(shí),空間電荷區(qū)將 A 。 ( √ ) (6)若耗盡型 N 溝道 MOS 管的 GSU 大于零,則其輸入電阻會(huì)明顯變小。 ( √ ) (4)處于放大狀態(tài)的晶體管,集電極電流是多子漂移運(yùn)動(dòng)形成的。 ( √ ) (2)因?yàn)?N 型半導(dǎo)體的多子是自由電子,所以它帶負(fù)電。 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 第四版 清華大學(xué)電子學(xué)教研組 編 童詩(shī)白 華成英 主編 自測(cè)題與習(xí)題解答 2 第 1 章 常用半導(dǎo)體器件 自測(cè)題 一、判斷下列說(shuō)法是否正確,用 “ ”和 “√ ”表示判斷結(jié)果填入空內(nèi)。 (1)在 N 型半導(dǎo)體中如果摻入足夠量的三價(jià)元素,可將其改型為 P 型半導(dǎo)體。 ( ) (3)PN 結(jié)在無(wú)光照、無(wú)外加電壓時(shí),結(jié)電流為零。 ( ) (5)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管外加的柵一源電壓應(yīng)使柵一源間的耗盡層承受反向電壓,才能保證其 GSR 大的特點(diǎn)。 ( ) 二、選擇正確答案填入空內(nèi)。 (2)穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓區(qū)是其工作在 C 。 、后者也反偏 、后者反偏 、后者也正偏 (4) UGS=0V 時(shí),能夠工作在恒流區(qū)的場(chǎng)效應(yīng)管有 A 、 C 。 圖 解: UO1=, UO2=0V, UO3=, UO4=2V, UO5=, UO6=2V。求 圖 所示電路 3 中 UO1 和 UO2 各為多少伏。 右圖中穩(wěn)壓管沒(méi)有擊穿,故 UO2=5V。 試問(wèn): (1)Rb=50k?時(shí), Uo=? (2)若 T 臨界飽和,則 Rb=? 解: (1) 26B B B EB bVUIAR ????, I m A??? , 2O C C C cU V I R V? ? ?。試分析各管的工作狀態(tài)(截止區(qū)、恒流區(qū)、可變電阻區(qū)),并填入表內(nèi)。根據(jù)表中所示 4 各極電位可判斷出它們各自的工作狀態(tài),如 表 最后一欄 所示。 (l)在本征半導(dǎo)體中加入 ( A )元素可形成 N 型半導(dǎo)體,加入 ( C )元素可形成 P 型半導(dǎo)體。 (3)工作在放大區(qū)的某三極管,如果當(dāng) IB 從 12 uA 增大到 22 uA 時(shí), IC 從 lmA 變?yōu)?mA ,那么它的 β約為 ( C ) 。 ; ; 電路如 圖 所示,已知 10siniut?? (V),試畫(huà)出 iu 與 ou 的波形。 圖 解圖 解: iu 與 ou 的波形如 解圖 所示。試畫(huà)出 iu 與 ou 的波形圖,并標(biāo)出幅值。 電路如 圖 所示 , 二極管導(dǎo)通電壓 UD=,常溫下 mVUT 26? ,電容 C對(duì)交流信號(hào)可視為短路; iu 為正弦波,有效值為 10mV。試問(wèn): 6 (1)若將它們串聯(lián)相接,則可得到幾種穩(wěn)壓值?各為多少? (2)若將它們并聯(lián)相接,則又可得到幾種穩(wěn)壓值?各為多少? 解: (1)串聯(lián)相接可得 4 種: ; 14V; ; 。 已知 圖 所示電路中穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓 6ZUV? ,最小穩(wěn)定電流 min 5ZI mA? ,最大穩(wěn)定電流 max 25ZI mA? 。 ∴ VUI 10? 時(shí), VURR RU ILLO ???; 圖 VUI 15? 時(shí), 5LOILRU U VRR??? ; VUI 35? 時(shí), 1 1 .7LO I ZLRU U V URR? ? ?? , ∴ VUU ZO 6?? 。 在 圖 所示電路中,發(fā)光二極管導(dǎo)通電壓 UD = ,正向電流在 5~15mA 時(shí)才能正常工作。 (2) R 的范圍為 : m i n m a x( ) / 233DDR V U I? ? ? ? 7 m a x m i n( ) / 700DDR V U I? ? ? ? 圖 現(xiàn)測(cè)得 放大電路中 兩只管 子兩個(gè)電極 的電流如 圖 所示。 (a) (b) (a) (b) 圖 解圖 解: 答案如 解圖 所示。在圓圈中畫(huà)出管子,并說(shuō)明 它們 是硅管還是鍺管。 解圖 8 電路如 圖 所示,晶體管導(dǎo)通時(shí) ? , β=50。 解: (1)當(dāng) 0BBV ? 時(shí), T 截止, 12OuV? 。 (3)當(dāng) 3BBVV? 時(shí),因?yàn)?460B B B E QBQ bVUIAR ????, 2 3 1 1 .3C C C E SC Q B Q C S cVUI I m A I m AR? ?? ? ? ?, 所以 T 處于飽和狀態(tài)。試問(wèn):當(dāng)0IuV? 時(shí) Ou? ?;當(dāng) 5IuV?? 時(shí) Ou? ? 解:當(dāng) 0IuV? 時(shí),晶體管截止,穩(wěn)壓管擊穿, 5OZu U V? ? ? ? 。 因?yàn)椋? 圖 9 480I B EB buUIAR ????, 24CBI I m A???, 0E C CC C cU V I R? ? ? 分別判斷 圖 所示各電路中晶體管是否有可能工作在放大狀態(tài)。 (e)可能。試判斷它可能是哪種管子(結(jié)型管、 MOS 管、增強(qiáng)型、耗盡型),并說(shuō)明 ① 、 ② 、 ③ 與 G 、 S 、 D 的對(duì)應(yīng)關(guān)系。 10 解圖 已知場(chǎng)效應(yīng)管的輸出特性曲線如 圖 所示,畫(huà) 出它在恒流區(qū)的轉(zhuǎn)移特性曲線。 電路如 圖 所示, T 的 輸出特性如 圖 所示 ,分析當(dāng) Iu =4V、 8V 、 12V 三種情況下場(chǎng)效應(yīng)管分別工作在什么區(qū)域。 當(dāng) Iu =4V 時(shí), GSu 小于開(kāi)啟電壓,故 T 截止。 圖 當(dāng) Iu =12V時(shí),由于 12DDVV? ,必然使 T 工作在可變電阻區(qū)。 (a) (b) (c) (d) 圖 解: (a)可能 ,(b)不能 ,(c)不能 ,(d)可能。試分別畫(huà)出 1Ou 和 2Ou 的波形。 補(bǔ)充 ,一只的 β=200 , 200CEOIA?? ;另一只的 β=100 , 10CEOIA?? ,其它參數(shù)大致相同。 補(bǔ)充 補(bǔ) 圖 P4 所示,試問(wèn) β大于多少時(shí)晶體管飽和? 解: 取 CES BEUU? ,若管子飽和, 則 C C B E C C B EbcV U V URR? ????, 即 bcRR?? 所以 , 100bcRR? ?? 時(shí) ,管子飽和。 ,才稱其有放大作用。 (√) 。 () 。 () ,輸出電壓的底部失真都是飽和失真。設(shè)圖中所有電容對(duì)交流信號(hào)均可視為短路。 VBB 將輸入信號(hào)短路。 14 圖 (c)不能 。 圖 (d)不能 。 圖 (e)不能 。 圖 (f)不能 。 圖 (g)可 能 。因?yàn)?GS 間電壓將大于零。因?yàn)?T 截止。 100bRk??。 (1)當(dāng) 0iUV? 時(shí),測(cè)得 ? ,若要基極電流 20BQIA?? , 則 39。 (2)若測(cè)得輸入電壓有效值 5iU mV? 時(shí), 輸出電壓有效值 39。 若負(fù)載電阻 LR 值與 cR 相等,則帶上 圖 負(fù)載后輸出電壓有效值 oU? ( 39。 四、已知 圖 所示電路中 12 , 3C C cV V R k? ? ?,靜態(tài)管壓降 6,CEQUV? 并在輸出端加負(fù)載電阻 LR ,其阻值為 3k? 。 (1)該電路的最大不失真輸出 電壓有效值 omU? ( A ); (2)當(dāng) 1iU mV? 時(shí),若在不失真的條件下,減小 Rw ,則輸出電壓的幅值將 ( C ); 15 (3)在 1iU mV? 時(shí),將 Rw 調(diào)到輸出電壓最大且剛好不失真,若此時(shí)增大輸入電壓,則輸出電壓波形將 ( B ); (4)若發(fā)現(xiàn)電路出現(xiàn)飽和失真,則為消除失真,可將 ( B )。選擇正確答案填入空內(nèi),只需填 A 、 B 、? ? (l)輸入電阻最小的電路是 ( C ),最大的是 ( D、 E ); (2)輸出電阻最小的電路是 ( B ); (3)有電壓放大作用的電路是 ( A、 C、 D ); (4)有電流放大作用的電路是 ( A、 B、 D、 E ); (5)高頻特性最好的電路是 ( C ); (6)輸入電壓與輸出電壓同相的電路是 ( B、 C、 E );反相的電路是 ( A、 D )。要求給出兩種方案。 圖 解圖 習(xí)題 16 分別改正 圖 所示各電路中的錯(cuò)誤,使它們有可能放大正弦波信號(hào)。 (a) (b) (c) (d) 圖 解: (a)將 VCC 改為 +VCC。 (c)將 VBB 反接,且在輸入端串聯(lián)一個(gè)電阻。 畫(huà)出 圖 所示各電路的直流通路和交流通路。 (a) (b) 17 (c) (d) 圖 解: 將電容開(kāi)路、變壓器線圈短路即為直流通路,圖略。 解: 圖 (a): 1 2 3(1 )C C B E QBQ VUI
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