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復(fù)旦大學(xué)(微電子)半導(dǎo)體器件第八章mosfe-展示頁

2025-05-21 23:29本頁面
  

【正文】 y 0 L V(0) = 0 V(L) = VDS B ? ?TGSoxn VVCQ ??反型層薄層電阻 ? ?chchnnchsh ddQdR?? 1??? ?TGSoxnnn VVCQ ??? ??11? ? ? ? DSTGSnoxsh DSchDSDS VVVLWCWLRVRVI ???? ?可調(diào)電阻 嚴(yán)格推導(dǎo)(考慮到 VDS 對溝道中反型電子濃度的影響): 強(qiáng)反型條件下( VGS VT) VDS 較小時(shí) ? ? ?????? ??? 221 DSDSTGSnoxDS VVVVLWCI ? LWC nox ?? ?跨導(dǎo)參數(shù) (1) 當(dāng) VDS = VDSsat 時(shí) 定義 VDSsat ? VGS ? VT Qn(L) = 0 反型電子消失 溝道被 夾斷 ? ?? ? ? ? ?????? ????? 221 TGSTGSTGSnoxDS VVVVVVLWCI ?MOSFET 的飽和區(qū) Leff ?L y ? ? 22 2121 DSs atTGSnox VVVLWC ?? ???(2) 當(dāng) VDS VDS sat 時(shí) 夾斷點(diǎn)左移,有效溝道縮短 ?????? ?????? LLLLLL e ff 1221DSs atDSs atDS VII ???IDSsat 不飽和, 溝道長度調(diào)制效應(yīng) NMOS(增強(qiáng)型) NMOS(耗盡型) PMOS(增強(qiáng)型) PMOS(耗盡型) 四種 MOSFET 的輸出特性 溝道長度調(diào)制效應(yīng) ? 溝道長度調(diào)制效應(yīng)使輸出特性的飽和區(qū)發(fā)生傾斜。 MOSFET 的類型和符號 NMOS PMOS 增強(qiáng)型 耗盡型 增強(qiáng)型 耗盡型 襯底 p n S/D n+ p+ 載流子 電子 空穴 VDS + ? IDS D ? S S ? D 載流子運(yùn)動(dòng)方向 S ? D S ? D VT + ? ? + 符號 G D B S G D B S G D B S G D B S MOSFET 的閾值電壓 oxABFBoxBBFBT CdqNVVCdQVVV m a xm a x 2)(2 ?????????? oxtoxoxoxssmsFB dxxtxCCQV0 )(1 ??其中 功函數(shù)差 smms WWq ???n 溝 MOS ( NMOS) ??????????iAoxAoxssmsTn nNqkTCdqNCQV ln2max???????????iDoxDoxssmsTp nNqkTCdqNCQV ln
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