【摘要】微電子學(xué)概論第二章半導(dǎo)體物理與器件(SemiconductorPhysicsAndDevice)?《半導(dǎo)體物理學(xué)》劉恩科等著國防工業(yè)出版社?《半導(dǎo)體物理學(xué)》葉良修高等教育出版社?《半導(dǎo)體物理與器件》(第3版)(美)DonaldA.Neamen著,趙毅強(qiáng)等譯
2024-08-04 05:07
【摘要】微觀經(jīng)濟(jì)學(xué)Microeconomics復(fù)旦大學(xué)經(jīng)濟(jì)學(xué)院第八章壟斷競爭與寡頭微觀經(jīng)濟(jì)學(xué)Microeconomics?CopyrightbyJianliangFeng2022Allrightsreserved.FudanUniversity?copyrightsbyJianlia
2025-01-30 15:36
【摘要】第二章半導(dǎo)體物理及器件物理基礎(chǔ)本節(jié)內(nèi)容?半導(dǎo)體材料、基本晶體結(jié)構(gòu)與共價(jià)鍵?能級與能帶?本征載流子濃度?施主和受主導(dǎo)電性:固態(tài)材料可分為三類,即絕緣體、半導(dǎo)體及導(dǎo)體。?絕緣體:電導(dǎo)率很低,約介于10-18S/cm~10-8S/cm,如熔融石英及玻璃;?導(dǎo)體:電導(dǎo)率較高,介于104S
2025-01-22 12:27
【摘要】微觀經(jīng)濟(jì)學(xué)Microeconomics復(fù)旦大學(xué)經(jīng)濟(jì)學(xué)院馮劍亮第八章壟斷競爭與寡頭壟斷微觀經(jīng)濟(jì)學(xué)Microeconomics?CopyrightbyJianliangFeng2023Allrightsreserved.FudanUniversity第八章壟斷競爭與寡頭壟斷
2025-02-02 01:15
【摘要】上一頁下一頁第八章電子郵件Windows電子郵件第八章電子郵件目標(biāo)準(zhǔn)備工作總結(jié)練習(xí)上一頁下一頁2學(xué)習(xí)目標(biāo):1、學(xué)會申請免費(fèi)電子郵件2、使用電子郵件收發(fā)郵件Windows電子郵件第八章
2024-08-04 22:52
【摘要】電子課文●第八章?農(nóng)業(yè)生產(chǎn)和糧食問題第一節(jié)?農(nóng)業(yè)概述?農(nóng)業(yè)是國民經(jīng)濟(jì)的基本生產(chǎn)部門。農(nóng)業(yè)為人類提供了吃、穿、用的物質(zhì)資料,保證了全社會人們的生活需要。農(nóng)業(yè)的發(fā)展,使一部分人可以從事農(nóng)業(yè)以外的活動(dòng),它還為工業(yè)生產(chǎn)提供了大量重要的原材料。隨著農(nóng)業(yè)現(xiàn)代化水平的提高,農(nóng)村已成為工業(yè)品日益重要的市場。因此工業(yè)、商業(yè)和交通運(yùn)輸?shù)绕渌块T的發(fā)展,都是以農(nóng)業(yè)生產(chǎn)的
2025-07-01 16:46
【摘要】第八章電子稅務(wù)(一)教學(xué)內(nèi)容電子稅務(wù)基礎(chǔ)、GtoB電子稅務(wù)、GtoG電子稅務(wù)、GtoE電子稅務(wù)、國際電子稅務(wù)發(fā)展、我國電子稅務(wù)發(fā)展。(二)教學(xué)要求:1、了解電子稅務(wù)的含義和主要模式。2、理解實(shí)施電子稅務(wù)的意義。3、掌握我國電子稅務(wù)發(fā)展中面臨的主要問題和加快電子稅務(wù)建設(shè)的若干措施。第一節(jié)電子稅務(wù)基礎(chǔ)一、電子稅務(wù)的含義電子稅務(wù),也有人稱之為“網(wǎng)
2024-08-12 08:45
【摘要】第八章微生物的遺傳第八章微生物的遺傳變異與育種理想的工業(yè)發(fā)酵菌種應(yīng)符合以下要求①遺傳性狀穩(wěn)定;②生長速度快,不易被噬菌體等異種微生物污染;③目標(biāo)產(chǎn)物的產(chǎn)量盡可能接近理論轉(zhuǎn)化率;④目標(biāo)產(chǎn)物最好能分泌到細(xì)胞外,以降低產(chǎn)物抑制并利于分離;⑤盡可能減少產(chǎn)物類似物的產(chǎn)量,以提高目標(biāo)產(chǎn)物的產(chǎn)量并利于分離;⑥培養(yǎng)基成
2024-08-16 15:28
【摘要】第1章半導(dǎo)體器件教學(xué)內(nèi)容§半導(dǎo)體的特性§半導(dǎo)體二極管§雙極型三極管§場效應(yīng)三極管教學(xué)要求本章重點(diǎn)是各器件的特性與模型,特別要注意器件模型的適用范圍和條件。對于半導(dǎo)體器件,主要著眼于在電路中的使用,關(guān)于器件內(nèi)部的物理過程只要求有一定的了解
2024-08-04 08:26
【摘要】半導(dǎo)體器件可靠性與失效分析2023-2023-1教材:付桂翠,陳穎等,北京航空航天大學(xué)出版社,2023年7月第一版.(普通高?!笆晃濉币?guī)劃教材)參考書:1.孔學(xué)東,恩云飛,,國防工業(yè)出版社,2023年9
2025-01-05 06:13
【摘要】第8章半導(dǎo)體器件雙極型晶體管PN結(jié)及其單向?qū)щ娦约儍舻陌雽?dǎo)體(稱為本征半導(dǎo)體)中含有自由電子(帶負(fù)電)和空穴(帶正電)兩種運(yùn)載電荷的粒子——載流子,自由電子和空穴的數(shù)量相等,整個(gè)半導(dǎo)體呈現(xiàn)電中性圖PN結(jié)
2024-10-10 19:16
【摘要】海南風(fēng)光第14講,P型硅,N型硅PN結(jié)及半導(dǎo)體二極管穩(wěn)壓二極管半導(dǎo)體三極管第10章半導(dǎo)體器件本征半導(dǎo)體現(xiàn)代電子學(xué)中,用的最多的半導(dǎo)體是硅和鍺,它們的最外層電子(價(jià)電子)都是四個(gè)。Si硅原子Ge鍺原子§半導(dǎo)體的基本知識通過一定的
2025-03-16 23:13
【摘要】第三章晶閘管§普通晶閘管Thyristor硅可控整流器,可控硅,SCR。一、結(jié)構(gòu):四層PNPN結(jié)構(gòu),三端器件符號正向阻斷:A—K接正電壓,J2反偏,漏電流很小。反向阻斷:A—K接負(fù)電壓,J1,J3反偏,漏電流很小。等效電路:由PN
2025-05-09 01:43
【摘要】第六章可關(guān)斷晶閘管(GTO)特點(diǎn):是SCR的一種派生器件;具有SCR的全部優(yōu)點(diǎn),耐壓高、電流大、耐浪涌能力強(qiáng),造價(jià)便宜;為全控型器件,工作頻率高,控制功率小,線路簡單,使用方便?!霨TO結(jié)構(gòu)及工作原理GateTurn-offThyristor——GTO一、結(jié)構(gòu):四層PNPN結(jié)構(gòu),三端器件;特點(diǎn):①
2025-05-10 06:14
【摘要】第八章房屋維修管理第一節(jié) 房屋維修管理概述一、房屋維修概念及特點(diǎn)(一)房屋維修概念l房屋維修的概念有廣義和狹義之分。2狹義的房屋維修僅指對房屋的維護(hù)和修繕;2廣義的房屋維修則包括房屋的維護(hù)、修繕和改建。l物業(yè)管理的基本目的不外乎3個(gè)方面:2使物業(yè)獲取最大的期望收益;2使物業(yè)得到良好的保值和增值效果;
2025-05-03 22:01