模擬電路基捶20090917第六次-展示頁
2025-05-21 18:47本頁面
【正文】 少部分的 自由電子被基區(qū)空穴（多子）復合，形成基區(qū)復合電流 IBN。 ? 基區(qū)空穴向發(fā)射區(qū)注入，形成空穴注入電流 IEP。 IB IB=IBNICBO?IBN BJT的電流放大作用 —— 內(nèi)外部電流 以上看出，三極管內(nèi)有兩種載流子 (自由電子和空穴 )參與導電，故稱為雙極型三極管。 BJT的電流放大作用 —— 內(nèi)外部電流 B E C N N P VBB RB VCC IE 集電結(jié)反偏，有少子形成的反向電流 ICBO。 VCC VBB RB IBN 進入 P區(qū)的電子少部分與基區(qū)的空穴復合，形成電流 IBN ，多數(shù)擴散到集電結(jié)。 B E C N N P 基極 發(fā)射極 集電極 NPN型 P N P 集電極 基極 發(fā)射極 B C E PNP型 BJT結(jié)構(gòu) BJT內(nèi)部結(jié)構(gòu) 三個區(qū)： 發(fā)射區(qū)（ Emitter） —— 發(fā)射載流子的區(qū)域 基 區(qū) （ Base） —— 傳輸載流子的區(qū)域 集電區(qū) （ Collector） —— 收集載流子的區(qū)域 三個極 : 發(fā)射極 （ E） 基極 （ B） 集電極 （ C） N N P B E C 基極 發(fā)射極 集電極 發(fā)射結(jié) 集電結(jié) 兩個結(jié) B E C N N P 基極 發(fā)射極 集電極 基區(qū)：很薄，摻雜濃度最低 集電區(qū)：面積大；摻雜濃度低于發(fā)射區(qū) 發(fā)射區(qū)：摻 雜濃度最高 BJT結(jié)構(gòu)特點 三極管的不同封裝形式 金屬封裝 塑料封裝 大功率管 中功率管 放大狀態(tài)下 BJT內(nèi)部載流子的傳輸過程 外部偏置 —— 當 BJT的發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)反偏時，BJT處于放大狀態(tài)；對于 NPN管，要求：（ VBE0 ，VBC0 ）。Chap2 雙極型晶體三級管 （ 6學時，第六次課 ） 答疑：周四課后 A302 晶體二極管 ：單向?qū)щ娦? 晶體三極管 ：放大作用 雙極型晶體管 （ BJT， Bipolar Junction Transistor） 場效應管 （ FET， Field Effect Transistor） 單極型 晶體管概述 雙極型晶體管： ? 工作原理 ? 靜態(tài)特性曲線 ? 主要參數(shù) ? 直流模型 ? 交流小信號模型 BJT工作原理 在同一個硅片上制作出三個獨立的摻雜區(qū)，并形成兩個 PN結(jié)，所構(gòu)成的三端器件就是晶體管。 分 NPN管和 PNP管兩種類型，如圖所示。 晶體管內(nèi)部載流子運動與外部電流 B E C N N P IE 基區(qū)空穴向發(fā)射區(qū)的擴散電流 IEP，濃度小，可忽略。 發(fā)射結(jié)正偏，發(fā)射區(qū)電子不斷向基區(qū)擴散，形成發(fā)射極電流 IEN。 ICBO IC=ICN+ICBO?ICN IBN ICN 從基區(qū)擴散來的電子作為集電結(jié)的少子，漂移進入集電結(jié)而被收集，形成ICN。 晶體管三電極電流之間的關系 則可得三電極的電流關系： 根據(jù)傳輸過程可知 : 又， IEP很小，可以忽略 IC=ICN+ICBO IE=IEN+IEP IB=IBN+IEPICBO IE=IB+IC 1. 發(fā)射區(qū)多子向基區(qū)擴散（又稱注入） ? 正偏發(fā)射結(jié)使發(fā)射區(qū)自由電子（多子）向基區(qū)注入（擴 散），形成電流 IEN。 ? 兩電流之和構(gòu)成發(fā)射極電流 IE = IEN + IEP 。 ? 由 PN結(jié)的原理，反偏集電結(jié)還存在著集電結(jié)反向飽和電 流 ICBO。 ? 因此，集電極電流為： IC = ICN + ICBO BJT放大內(nèi)外部條件 內(nèi)部載流子 的傳輸過程 三極管的放大作用是在一定的外部條件控制下，通過載流子傳輸體現(xiàn)出
教學課件相關推薦
鄂ICP備17016276號-1