模擬電路基捶20090915第五次-展示頁(yè)
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【正文】 向基區(qū)擴(kuò)散 —— 多子注入 ? 正偏發(fā)射結(jié)使發(fā)射區(qū)自由電子（多子）向基區(qū)注入（擴(kuò) 散），形成電流 iEN。 ICBO IC=ICE+ICBO?ICE IBE ICE 從基區(qū)擴(kuò)散來(lái)的電子作為集電結(jié)的少子，漂移進(jìn)入集電結(jié)而被收集，形成ICE。 發(fā)射結(jié)正偏，發(fā)射區(qū)電子不斷向基區(qū)擴(kuò)散，形成發(fā)射極電流 IE。 晶體管內(nèi)部載流子運(yùn)動(dòng)與外部電流 B E C N N P IE 基區(qū)空穴向發(fā)射區(qū)的擴(kuò)散電流 IEP可忽略。Chap2 雙極型晶體三級(jí)管 （ 6學(xué)時(shí)，第五次課 ） 晶體二極管 ：?jiǎn)蜗驅(qū)щ娦? 晶體三極管 ：放大作用 雙極型晶體管 （ BJT， Bipolar Junction Transistor） 場(chǎng)效應(yīng)管 （ FET， Field Effect Transistor） 單極型 晶體管概述 雙極型晶體管： ? 工作原理 ? 靜態(tài)特性曲線 ? 主要參數(shù) ? 直流模型 ? 交流小信號(hào)模型 BJT工作原理 三個(gè)獨(dú)立的摻雜區(qū)和兩個(gè) PN結(jié)構(gòu)成的三端器件，可分為 NPN管和PNP管兩種類型，如圖所示。 B E C N N P 基極 發(fā)射極 集電極 NPN型 P N P 集電極 基極 發(fā)射極 B C E PNP型 BJT結(jié)構(gòu) BJT內(nèi)部結(jié)構(gòu) 三個(gè)區(qū)： 發(fā)射區(qū)（ Emitter） —— 發(fā)射載流子的區(qū)域 基 區(qū) （ Base） —— 傳輸載流子的區(qū)域 集電區(qū) （ Collector） —— 收集載流子的區(qū)域 三個(gè)極 : 發(fā)射極 （ E） 基極 （ B） 集電極 （ C） N N P B E C 基極 發(fā)射極 集電極 發(fā)射結(jié) 集電結(jié) 兩個(gè)結(jié) B E C N N P 基極 發(fā)射極 集電極 基區(qū)：很薄，摻雜濃度最低 集電區(qū)：面積大；摻雜濃度低于發(fā)射區(qū) 發(fā)射區(qū)：摻 雜濃度最高 BJT結(jié)構(gòu)特點(diǎn) 三極管的不同封裝形式 金屬封裝 塑料封裝 大功率管 中功率管 放大狀態(tài)下 BJT內(nèi)部載流子的傳輸過(guò)程 外部偏置 —— 當(dāng) BJT的發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)反偏時(shí)，BJT處于放大狀態(tài)；對(duì)于 NPN管，要求：（ VBE0 ，VBC0 ）。 EC EB RB IBE 進(jìn)入 P區(qū)的電子少部分與基區(qū)的空穴復(fù)合，形成電流 IBE ，多數(shù)擴(kuò)散到集電結(jié)。 BJT的電流放大作用 —— 內(nèi)外部電流 B E C N N P EB RB EC IE 集電結(jié)反偏，有少子形成的反向電流 ICBO。 IB IB=IBEICBO?IBE BJT的電流放大作用 —— 內(nèi)外部電流 以上看出，三極管內(nèi)有兩種載流子 (自由電子和空穴 )參與導(dǎo)電，故稱為雙極型三極管。 ? 基區(qū)空穴向發(fā)射區(qū)注入，形成空穴注入電流 iEP 。 ? 發(fā)射極電流的主要部分是自由電子形成的電流，即 iE ≈iEN 2. 基區(qū)非平衡少子向集電結(jié)方向邊擴(kuò)散邊復(fù)合 —— 少子擴(kuò)散復(fù)合 ? 由于基區(qū)的空穴濃度很低，且基區(qū)很薄，只有很少部分的 自由電子被基區(qū)空穴（多子）復(fù)合，形成基區(qū)復(fù)合電流 iBN。因此，基極電流： iB = iBN + iEP ICBO 3. 集電區(qū)收集基區(qū)非平衡少子 —— 少子抽取 ? 擴(kuò)散到達(dá)集電結(jié)邊界的基區(qū)非平衡少子（發(fā)射區(qū)擴(kuò)散到 基區(qū)的自由電子），在電場(chǎng)力的作用下均被抽?。ㄆ疲? 到集電區(qū)，形成集電極電流的主要成分 iCN。一般 ? = ? ????? 14. 放大偏置時(shí)電流分配關(guān)系 (2) IC 與 IB的關(guān)系 C B
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