國(guó)內(nèi)外rfid研究現(xiàn)狀與發(fā)展趨勢(shì)-展示頁(yè)
2024-11-14 08:26本頁(yè)面
【正文】 emiPassive Tag)和有源標(biāo)簽 (Active Tag)三種。兩種不同頻率的系統(tǒng)均采用電感耦合原理實(shí)現(xiàn)能量傳遞和數(shù)據(jù)交換，主要用于短距離、低成本的應(yīng)用中。 從分類上看， RFID 技術(shù)根據(jù)電子標(biāo)簽工作頻率的不同 通常可分為低頻系統(tǒng) (125kHz、 )，高頻系統(tǒng) ()，超高頻(860MHz960MHz)和微波系統(tǒng) (、 )等。 19912020 年 RFID 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化問(wèn)題日趨得到重視， RFID 產(chǎn)品得到廣泛采用。 19711980 年 RFID 技術(shù)與產(chǎn)品研發(fā)處于一個(gè)大發(fā)展時(shí)期，各種 RFID 技術(shù)測(cè)試得到加速，出現(xiàn)了一些最早的 RFID應(yīng)用。經(jīng)過(guò)多年的發(fā)展， 以下的 RFID 技術(shù)已相對(duì)成熟，目前業(yè)界最關(guān)注的是位于中高頻段的 RFID 技術(shù)，特別是 860MHz960MHz(UHF 超高頻段 )的遠(yuǎn)距離 RFID 技術(shù)發(fā)展最快 [1] 。 1 技術(shù)概述 RFID 射頻識(shí)別技術(shù)實(shí)際上是一項(xiàng)較早的技術(shù)，在 20 世紀(jì) 60 年代的時(shí)候，RFID 射頻識(shí)別技術(shù)的理論已經(jīng)得到發(fā)展，并且開始了一些嘗試性的應(yīng)用。 20 世紀(jì) 90 年代起，這項(xiàng)技術(shù)進(jìn)入商業(yè)應(yīng)用階段。 表 1 RFID 技術(shù)發(fā)展的歷程 時(shí)期 發(fā)展情況 19611970 年 RFID 技術(shù)的理論得到了發(fā)展，開始了 一些應(yīng)用嘗試。 19811990 年 RFID 技術(shù)及產(chǎn)品進(jìn)入商業(yè)應(yīng)用階段，各種封閉系統(tǒng)應(yīng)用開始出現(xiàn)。 2020現(xiàn)在 標(biāo)準(zhǔn)化問(wèn)題日趨為人們所重視， RFID 產(chǎn)品種類更加豐富，有源電子標(biāo)簽、無(wú)源電子標(biāo)簽及半無(wú)源電子標(biāo)簽均得到發(fā)展，電子標(biāo)簽成本不斷降低。 低頻和高頻系統(tǒng)的特點(diǎn)是閱讀距離短、閱讀天線方向性不強(qiáng)等，其中，高頻系統(tǒng)的通訊速度也較慢。 超高頻、微波系統(tǒng)的標(biāo)簽采用電磁后向散射耦合原理進(jìn)行數(shù)據(jù)交換，閱讀距離較遠(yuǎn) (可達(dá)十幾米 )，適應(yīng)物體高速運(yùn)動(dòng)，性能好；閱讀天線及電子標(biāo)簽天線均有較強(qiáng)的方向性，但該系統(tǒng) 標(biāo)簽和讀寫器成本都比較高。 無(wú)源電子標(biāo)簽不含電池，它接收到讀寫器發(fā)出的微波信號(hào)后，利用讀寫器發(fā)射的電磁波提供能量，無(wú)源標(biāo)簽一般免維護(hù)，重量輕、體積小、壽命長(zhǎng)、較便宜，但其閱讀距離受到讀寫器發(fā)射能量和標(biāo)簽芯片功能等因素限制； 半有源標(biāo)簽內(nèi)帶有電池，但電池僅為標(biāo)簽內(nèi)需維持?jǐn)?shù)據(jù)的電路或遠(yuǎn)距離工作時(shí)供電，電池能量消耗很少； 有源標(biāo)簽工作所需的能量全部由標(biāo)簽內(nèi)部電池供應(yīng)，且它可用自身的射頻能量主動(dòng)發(fā)送數(shù)據(jù)給讀寫器，閱讀距離很遠(yuǎn) (可達(dá) 30 米 )，但壽命有限，價(jià)格昂貴。歐洲 RFID標(biāo)準(zhǔn)追隨美國(guó)主導(dǎo)的 EPCglobal標(biāo)準(zhǔn)。日本雖然已經(jīng)提出 UID 標(biāo)準(zhǔn)，但主要得到的是本國(guó)廠商的支持，如要成為國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)還有很長(zhǎng)的路要走。目前，美國(guó)、英國(guó)、德國(guó)、瑞典、瑞士、日本、南非等國(guó)家均有較為成熟且先
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