n結(jié)機理與特性ppt課件-展示頁
2025-05-14 18:20本頁面
【正文】 間電荷區(qū)的電場、點位和寬度 線性緩變結(jié)的電場分布 E（ x）、最大電場強度 Em、點位分布 U（ x）和空間電荷區(qū)寬度 Xm分別為 ? ?? ?? ?22022002301 / 30222 2 82 2 312j msj mMSSj mSSDjqa XE x xqa q a jXXmEqa X xU x xX m U Uqa??? ? ? ?????????? ? ?????????????? ? ? ???????????????????????????????線性緩變雜質(zhì)分布示意圖 線性緩變結(jié)中的電荷電場、點位分布 a) 電荷 b)電場 c)點位 PN結(jié)擊穿機理與擊穿特性 PN結(jié)擊穿機理 ? 熱電擊穿 PN結(jié)加偏壓增加，溫度上升，反向電流增大，兩者循環(huán)下去，最終導致反向電流無限增大而發(fā)生擊穿。 反向 PN結(jié)的準費米能級示意圖 ? 反向 PN結(jié)少子濃度分布 ? ? ? ?39。 ? PN結(jié)的反向抽取作用是指反向結(jié)空間電荷區(qū)具有的抽取 (或收集 )少子的重要作用。 平衡 PN結(jié)載流子濃度分布 a） U（ x）分布 b）能帶 c）載流子濃度分布 正向 PN結(jié)機理與特性 正向偏置與正向注入效應(yīng) 正向偏置時 PN結(jié)勢壘變化及其能帶圖 正向 PN結(jié)邊界少子濃度和少子濃度分布 正向 PN結(jié)少子濃度分布示意圖 邊界少子濃度是指在空間電荷區(qū)靠 N區(qū)邊界 XN處的空穴濃度 p（ XN）和靠近 P區(qū)邊界 XP處的電子濃度 n（ XP）。 2lnDADiNNTUqn?? 平衡 PN結(jié)的載流子濃度分布 平衡 PN結(jié)的載流子濃度分布如圖。第二章 PN結(jié)機理與特性 平衡 PN結(jié)的機理與特性 PN結(jié)的制備與雜質(zhì)分布 在 N型 (或 P型 )半導體單晶片襯底上，分別采用不同的摻雜方法，使原來半導體的一部分變成 P型，（或 N型），那么在 P型半導體與 N型半導體的交界面處就形成了 PN結(jié)，如圖 ? 合金法及其雜質(zhì)分布 合金法制備 PN結(jié)的基本過程如圖所示 ? 擴散法及其雜質(zhì)分布 用擴散法制備 PN結(jié)的基本過程如圖 擴散結(jié)的形成過程 a）氧化 b）光刻 c） P型雜質(zhì)的擴散 d） ? 離子注入法及雜質(zhì)分布 擴展結(jié)的雜質(zhì)分布 a）恒定源雜質(zhì)的分布 b）限定源雜質(zhì)的分布 c）線性源變節(jié)近似 離子注入 PN結(jié)及其雜質(zhì)分布 ? 外延生長法 平衡 PN結(jié)形成與能帶 ? 1 平衡 PN結(jié)形成 平衡 PN結(jié)空間電荷區(qū)的形成 a） P區(qū)與 N區(qū)載流子擴散 b） PN結(jié)空間電荷區(qū) 平衡 PN結(jié)表現(xiàn)出來的 3個主要特征： 1.
教學課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1