集成門電路ppt課件-展示頁(yè)
2025-05-14 07:06本頁(yè)面
【正文】 、外部特性 雙值 電路 “ VL” “ V H” 符號(hào) “ 0” “ 1” 前面介紹了邏輯變量是 雙值 變量 概述 工程上： 用 “ 0” 表示 VL， 用 “ 1” 表示 VH稱 正 邏輯。 用 “ 0” 表示 VH， 用 “ 1” 表示 VL稱 負(fù) 邏輯。 VH= VDD TTL: VCC=+5V。 VH= （雙極型半導(dǎo)體器件） : （場(chǎng)效應(yīng)管） : 特點(diǎn) :速度快、負(fù)載能力強(qiáng)，但是功耗大、 結(jié)構(gòu)較 復(fù)雜 ，集成 規(guī)模受 到一定 限制 。 小規(guī)模 (SSI):100元器件 中規(guī)模 (MSI):100999元器件 大規(guī)模 (LSI):10009999元器件 超大規(guī)模 (VLSI):100000元器件 非定制電路（ 標(biāo)準(zhǔn)邏輯器件 ） 全定制電路（專用集成電路） 半定制電路（ PLD） A B U R △ t 動(dòng)態(tài)特性 : △ t 0( 斷開(kāi) 閉合 ) 斷開(kāi) RAB ∞ 靜態(tài)特性 閉合 RAB=0 一、理想開(kāi)關(guān) 二極管開(kāi)關(guān)電路及特性曲線如圖所示 : 二、二極管開(kāi)關(guān) 硅管 UTH= 具有單向?qū)щ娞匦?，?并非理想 開(kāi)關(guān)電路。 開(kāi)關(guān)，它的正向?qū)娮?rD非 0(約為數(shù)十歐 )， 反向截止電阻 r0也 非無(wú)窮大 (數(shù)百千歐 )。 A B UD ID rD=0 r0=∞ 0 t t UD ID t1 t2 ID=UD/R 由圖可見(jiàn)，反向恢復(fù)時(shí)間 Δt 2Δt 1，影響二極管 開(kāi)關(guān)速度的主要是 Δt 2。 ，由于 PN結(jié)內(nèi) 部尚有一定數(shù)量的存儲(chǔ)電荷，因而瞬間有較大的 反 向電流 ，此后以指數(shù)規(guī)律趨于 0。 時(shí)延的產(chǎn)生： 一、靜態(tài)特性 Rb Ui RC VCC UCE UBE IC Ib 晶體管開(kāi)關(guān)電路 結(jié)果 : IC=0 截止條件 :Ube≤0( 工程上 ) Icbo b e c c e b Ube≈ ～ IC=βI b Ube0(e結(jié)正偏 ) Ubc0(c結(jié)反偏 ) Rb Ui RC VCC UCE UBE IC Ib RC β VCC Uces 飽和狀態(tài) : Ib≥I bs= = ICS β (Ibs稱為臨界飽和基極電流 ) (等效開(kāi)關(guān)導(dǎo)通 ) Rb Ui RC VCC UCE= UBE= IC Ib Ube0(e結(jié)正偏 ) Ubc0(c結(jié)正偏 ) Ubes Uces b c e e c b e Ubes b c 二、動(dòng)態(tài)特性 在動(dòng)態(tài)情況下，由于三極管內(nèi)部電荷的 建立 和 消散 過(guò)程均需要一定的時(shí)間，故 IC和 UO的變化均 滯后于 Ui的變化。 真 值 表 A B F 0 0 0 0 1 0 1 0 0
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