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2025-05-12 18:25本頁面
【正文】 電場分布 : 電極分布不同 ,電場方向不同 (平面電場 vs 邊緣電場 ),電場有效面積不同 ? FFS(Cst)IPS(Cst) FFS Cst由 1st ITO amp。 2nd ITO組成 .1st ITO是 Box形狀 ,面積大 . 因此 FFS產(chǎn)品只能采 用 Cst on mon方式 . IPS FFS TA TA Glass Glass Glass Glass E d w l x y z l’ Cst Off state On state Common electrode Pixel electrode Common electrode Off state On state IPS FFS l/d 1 ≤1 l/w 1 ≤1 Field Ey(平面電場 ) Ey,Ez(邊緣電場） Electrodes Slit Metal/ITO Box/Slit ITO Change life with heart Fringe Field Switching Mode原理 1 ? 上下偏振片相互垂直 。液晶分子在取向膜平面上排向 (預(yù)傾角 2~3176。 )。Φ:扭轉(zhuǎn) 角度 ) off off Φ Φ 偏光片 檢 光片 下板摩擦方向 上板摩擦方向 Off/On states俯 視圖 Change life with heart Field Fringe Switching Mode原理 2 ? FFS邊緣電場分布 ： Ey在像素電極邊上位置極強 ,在電極中間 (pixel electrode center amp。 Ez同時存在，極強點在電極中間 ,極弱點在像素邊緣 。 。 。m) Change life with heart Fringe Field Switching Mode原理 3 (開態(tài) ) 扭轉(zhuǎn)變形 Counter electrode Pixel electrode 時間 模擬 LC在加電壓時排列情況 Array Cell 隨時間變化的光透過率 Disclination lines Electrode edge Electrode center Slit center ? 影響液晶光軸方向的因素 : 介電扭矩 N=?ε*sin2α*E2 (其中 α 摩擦方向與水平電場間夾角， E電場強度， ?ε 介電常數(shù)各向異性 ) 3. 相鄰液晶分子間的 彈性力 LC分子旋轉(zhuǎn)情況 (關(guān)態(tài) ) 恢復(fù)力 Change life with heart ?FFS專利 : 1996年 ? FFS 首次引進市場 : 1999 ? 邊緣電場技術(shù) (FFS): 寬視角 ,高光透過率 ? 一開始用 負(fù)性液晶 (Δε): ” XGA 優(yōu)點 : 光效率高 ((因為負(fù)性液晶在邊緣電場下都是在水平平面上排列 ) 缺點 :響應(yīng)速度慢 (因為負(fù)性液晶旋轉(zhuǎn)粘性高 ),存在色偏 (由于單疇結(jié)構(gòu) ),驅(qū)動電壓高 , 殘余直流電壓高 ,殘像嚴(yán)重 ,價格貴 ? 開發(fā) 正性液晶 (+Δε): ” SXGA, ” UXGA, ” XGA 優(yōu)點 :響應(yīng)速度快 ,驅(qū)動電壓低 ,飽和電壓低 ,殘余直流電壓低 ,價格便宜 缺點 :光效率低 (因為正性液晶在邊緣電場作用下有可能傾斜排列 ) ? UltraFFS TFTLCD : 雙疇像素結(jié)構(gòu)解決了色偏問題 ? 通過電動力學(xué)優(yōu)化研制出先進 FFS技術(shù) (AFFS) :高亮度 ,真彩色 ,超寬視角 ? AFFS技術(shù)系列品牌 :2022年 9月 FFS 技術(shù)發(fā)展 1 Change life with hear
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