《資料總結ffs》ppt課件-文庫吧
2025-04-18 18:25 本頁面
【正文】 ge Electrode center Slit center ? 影響液晶光軸方向的因素 : 介電扭矩 N=?ε*sin2α*E2 (其中 α 摩擦方向與水平電場間夾角， E電場強度， ?ε 介電常數(shù)各向異性 ) 3. 相鄰液晶分子間的 彈性力 LC分子旋轉情況 (關態(tài) ) 恢復力 Change life with heart ?FFS專利 : 1996年 ? FFS 首次引進市場 : 1999 ? 邊緣電場技術 (FFS): 寬視角 ,高光透過率 ? 一開始用 負性液晶 (Δε): ” XGA 優(yōu)點 : 光效率高 ((因為負性液晶在邊緣電場下都是在水平平面上排列 ) 缺點 :響應速度慢 (因為負性液晶旋轉粘性高 ),存在色偏 (由于單疇結構 ),驅動電壓高 , 殘余直流電壓高 ,殘像嚴重 ,價格貴 ? 開發(fā) 正性液晶 (+Δε): ” SXGA, ” UXGA, ” XGA 優(yōu)點 :響應速度快 ,驅動電壓低 ,飽和電壓低 ,殘余直流電壓低 ,價格便宜 缺點 :光效率低 (因為正性液晶在邊緣電場作用下有可能傾斜排列 ) ? UltraFFS TFTLCD : 雙疇像素結構解決了色偏問題 ? 通過電動力學優(yōu)化研制出先進 FFS技術 (AFFS) :高亮度 ,真彩色 ,超寬視角 ? AFFS技術系列品牌 :2022年 9月 FFS 技術發(fā)展 1 Change life with heart Data line FFS技術發(fā)展 2 AFFS 技術先進像素概念介紹 (one pixel rule) ?目的 :消除像素邊緣由于 楔形變形 引起的暗態(tài)區(qū)域 . ?重要參數(shù) : 物理性能 (BM/OC/LC的 R, ε , n), 電場方向和強度 ,像素形狀 , 控制 楔形變形 , 像素邊緣電場方向 Version I : 改進像素邊緣的 LC扭轉排列 ,提高亮度和對比度 Version II : 優(yōu)化像素 黑矩陣 數(shù)據(jù)線間的電動力學 ,減低黑矩陣尺寸， 提高開口率 設計 (A1 = , B(BM) = 22μm), A (有效 寬 度 = μm) A’ = A + D= μm, B’(BM)=18181。m Normal FFS Pixel Brightness 165nits Contrast Ratio 450:1 B 原 來 FFS (L255) (Brightness 165nits, CR 450:1) Advanced FFS (L255) (Brightness 191nits, CR 700:1) A39。 B39。 ” XGA with PCF polarizer比 較 A D : ~4μm 像素暗區(qū) A1 邊緣暗區(qū) BM LC 傾 斜排列 Disclination Disclination沒 有 暗態(tài)區(qū)域 AFFS: 2nd ITO Slit edge形狀變化 ,1st ITO CD amp。2nd ITO CD變化 ,數(shù)據(jù)線側 BM寬度降低 Change life with heart FFS技術發(fā)展 3 ?AFFS技術開發(fā)的新產(chǎn)品： Table PC:”XGA,”XGA。Notebook:”SXGA+,15”UXGA。 Monitor:15”SXGA+ ,”XGA(黑白 )。 LCD TV:” XGA B B39。 Parameter HT10X21200 (400) HT12X21100 (HT12X21200) HT14P21100 HT15P41 (HT15U21) HT20X21
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