mosfet基礎(chǔ)1mos結(jié)構(gòu),cv特性-展示頁
2025-05-05 08:59本頁面
【正文】 QCQVQ39。 )2()gm s m fpox SEeV? ? ? ??? ? ? ?? ? ?)cm10,K3 0 0(V2 2 :SiS i OAl:Si39。第十一章 金屬 氧化物 半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管基礎(chǔ) 1 ? 雙端ＭＯＳ結(jié)構(gòu) ? 電容－電壓特性 ? ＭＯＳＦＥＴ基本工作原理 ? 頻率限制特性 ? ＣＭＯＳ技術(shù) ? 小結(jié) 雙端 MOS結(jié)構(gòu) ? 能帶圖 ? 耗盡層厚度 ? 功函數(shù)差 ? 平帶電壓 ? 閾值電壓 ? 電荷分布 3 MOS電容 MOS電容結(jié)構(gòu) 氧化層厚度 氧化層介電常數(shù) Al或高摻雜的多晶 Si n型 Si或 p型 Si SiO2 4 實際的鋁線 氧化層 半導(dǎo)體 （ M:約 10000A O:250A S:約 ~1mm） 5 MOS電容 表面能帶圖 :p型襯底 (1) 負(fù)柵壓情形 導(dǎo)帶底能級 禁帶中心能級 費(fèi)米能級 價帶頂能級 ? ?FS vFS vEEEE??? 6 MOS電容 表面能帶圖 :p型襯底 (2) 小的正柵壓情形 大的正柵壓情形 (耗盡層 ) (反型層 +耗盡層 ) dTX? ?FS vFS FiEEEE???? ?FS vFS FiEEEE??? 7 MOS電容 表面能帶圖 :n型襯底 (1) 正柵壓情形 ? ?FS cFS CEEEE??? 8 MOS電容 表面能帶圖 :n型襯底 (2) 小的負(fù)柵壓情形 大的負(fù)柵壓情形 (耗盡層 ) n型 (反型層 +耗盡層 ) n型 ? ?FS cFS FiEEEE???? ?FS cFS FiEEEE??? 9 小節(jié)內(nèi)容 ? 能帶圖 ? 隨便畫能帶圖 ,要知道其半導(dǎo)體類型 ? 加什么電壓往那里彎曲 10 MOS電容 空間電荷區(qū)厚度 :表面耗盡情形 費(fèi)米勢 表面勢 表面空間電荷區(qū)厚度 s?半導(dǎo)體表面電勢與體內(nèi)電勢之差 半導(dǎo)體體內(nèi)費(fèi)米能級與禁帶中心能級之差的電勢表示 采用單邊突變結(jié)的耗盡層近似 P型襯底 11 MOS電容 空間電荷區(qū)厚度 :表面反型情形 閾值反型點(diǎn) 條件：表面處的電子濃度 =體內(nèi)的空穴濃度 表面空間電荷區(qū)厚度 P型襯底 表面電子濃度： e x p ( )F F ii EEnn kT??e xp( )s fpi een kT????體內(nèi)空穴濃度： e x p ( )F i Fi EEpn kT??ex p ( )fpi en kT??2s fp???柵電壓 =閾值
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