mos反相器ppt課件-展示頁
2025-05-10 23:38本頁面
【正文】 tf 2022/5/25 CMOS反相器的下降時間 tf Vin=VDD 飽和區(qū) Vin Vout 1. VOUT 從 90%VDD 下降到 VDDVTH N管的 VDSVGSVTH, 工作在飽和區(qū) 02 ??? )VV(KdtdVC TNDDNOLOTNDDNL dV)VV(K Cdt2???2902902110)VV(K)(CdV)VV(KCdV)VV(KCtTNDDNDDTNLVVV.OTNDDNLVVV.OTNDDNLfTNDDDDTNDDDD?????????????2022/5/25 CMOS反相器的下降時間 tf Vin=VDD 線性區(qū) Vin Vout 2. VOUT 從 VDDVTH 下降到 10%VDD N管的 VDSVGSVTH, 工作在線性區(qū) )VVVln ()VV(KC)VV(VdV)VV(KCtDDTNDDTNDDNLV.VV TNDDOOTNDDNLfDDTNDD2022222102 2??????? ??02 2 ???? ]VV)VV([KdtdVC OOTNDDNOL2022/5/25 CMOS反相器的下降時間 tf Vin=VDD Vin Vout 設 VTN≈， 則 DDNLf VkCt 2?下降時間由 N管的尺寸決定 21 fff ttt ??)]VVVl n ()VV()([)VV(KC)VVVl n ()VV(KC)VV(K)(CtDDTNDDTNDDDDTNTNDDNLDDTNDDTNDDNLTNDDNDDTNLf2022211020222102????????????2022/5/25 CMOS反相器的上升時間 tr Vin=0 Vin Vout 設 |VTP|≈， 則 DDPLr VkCt 2? 上升時間由 P管的尺寸決定 如果 N管和 P管尺寸相等， KP ≈ (μp ≈ μ n),則 tr ≈ 2tf， 因此，若希望 tr＝ tf， 則 WP ≈ 2WN 2022/5/25 CMOS反相器延時的測量 環(huán)形振蕩器 N階反相器 N必須為奇數 T=2n*tpd T T=n*(tPHL+tPLH) 1 0 1 0 0 tPHL tPLH tPHL tPLH 通常用在測試電路中測試電路的工作速度 nft pd 21?2022/5/25 MOS反相器的設計 反相器的設計主要是確定 MOS管的寬度 對有比反相器： 對 CMOS反相器 : VM確定尺寸 （ WP/WN≈2:1) RRTNTPDDM KKVVVV????1根據 VOL確定兩管尺寸 2022/5/25 三態(tài) CMOS反相器 Vin Vout S S 符號 Vin Vout S S 電路圖 低電平，高阻 用于多個電路模塊共享一條數據總線的情形 2022/5/25 CMOS反相器中的功耗 CL Vdd n p 0 ? n管截止 ,p管導通 ,輸出為“ 1” 0?1 ? n p管同時導通 ,輸出從“ 1”?“0” 1 ? p管截止 , n管導通 ,輸出為“ 0” 1?0 0 1 CMOS反相器工作在兩種狀態(tài) 靜止狀態(tài) 電荷轉移狀態(tài) （動態(tài)） 2022/5/25 CL Vdd VDD 0 t V 0時： 輸出保持 1不變，沒有電荷轉移 0－ 1(發(fā)生跳變 )時： 輸出從“ 1”轉變?yōu)椤?0” , 有電荷轉移 0 1 VDD時： 輸出保持 0不變，沒有電荷轉移 CMOS反相器的功耗 動態(tài)功耗 靜態(tài)功耗 2022/5/25 CMOS反相器的功耗 功耗組成： 1. 靜態(tài)功耗 2. 動態(tài)功耗 PS 輸入 輸出 輸出 在輸入為 0或 1（ VDD)時，兩個 MOS管中總是一個截止一個導通，因此沒有從 VDD到 VSS的直流通路，也沒有電流流入柵極，因此其靜態(tài)電流和功耗幾乎為 0。這是CMOS電路低功耗的主要原因。半導體 集成電路 2022/5/25 第 7章 MOS反相器 ? MOS反相器的基本概念及靜態(tài)特性 ? 電阻型反相器 ? E/E MOS反相器 ? E/D MOS反相器 ? CMOS反相器 工作原理 CMOS反相器的靜態(tài)特性 CMOS反相器的瞬態(tài)特性 ?
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