1500噸多晶硅工藝說(shuō)明-展示頁(yè)
2024-11-08 15:16本頁(yè)面
【正文】 ，相比硅烷法、流化床法，其沉積速率與轉(zhuǎn)換效率是最高的。該方法通過(guò)采用大型還原爐，降低了單位產(chǎn)品的能耗。具體生產(chǎn)工藝流程見(jiàn)圖 1。 在西門(mén)子法工藝的基礎(chǔ)上，通過(guò)增加還原尾氣干法回收系統(tǒng)、 SiCl4 氫化工藝，實(shí)現(xiàn)了閉路循環(huán)，于是形成了改良西門(mén)子法 —— 閉環(huán)式 SiHCl3 氫還原法。目前世界上生產(chǎn)制造多晶硅的工藝技術(shù)主要有：改良西門(mén)子法、硅烷（ SiH4）法、流化床法以及專(zhuān)門(mén)生產(chǎn) SOG 硅的新工藝。而 EG 硅中的雜質(zhì)含量應(yīng)該降到 109（摩爾分?jǐn)?shù)）的水平， SOG 硅中的雜質(zhì)含量應(yīng)該降到 106（摩爾分?jǐn)?shù)）的水平。冶金硅形成過(guò)程的化學(xué)反應(yīng)式為： SiO2 + 2C ＝ Si + 2CO。盡管二氧化硅礦石在自然界中隨處可見(jiàn)，但僅有其中的少數(shù)可以用于冶金級(jí)硅的制備。 過(guò)程廢氣要處理 ，分析達(dá)標(biāo)再排放。 過(guò)程廢氣要處理，分析達(dá)標(biāo)再排放。 8，氯硅烷貯存 氯硅烷是中間商，多種硅貯放地上，不同目的泵發(fā)往，建規(guī)限量千立方。 6， H 還原（ SIHCL3+H2=SI+SIH2CL2+SICL4+HCL+H2） 本工序要出硅棒！關(guān)鍵設(shè)備非中方；三氯氫硅前已講，氫氣來(lái)源已明朗； 二者混合水汽化，送至爐內(nèi)硅蕊旁；硅棒不停往大長(zhǎng)，合格以后吊車(chē)裝； 末反應(yīng)的再循環(huán)，熱水大泵記心上 。不忘蒸汽大用量。高沸 3 塔來(lái)幫忙，三氯氫硅終出場(chǎng)。淋洗壓縮加解吸，過(guò)程簡(jiǎn)單不多講。 這個(gè)工序想多講，牢記里面有吊裝，固體輸送要通暢，安裝維修有地方。有種附品很重要，四氯化硅送貯藏； 廢硅粉該去哪里？送出廠(chǎng)外去埋藏。 5 種附品也跟上，處理起來(lái)人心傷。為了安全有保障，吸收處理不能忘， 鹽酸循環(huán)吃氣相，酸堿中和除氯忙。1500噸多晶硅工藝說(shuō)明 1,制 H（ H2O=H2+O2） 電解得到氫和氧，冷卻分離再除氧；干燥以后到貯藏，得到純氫去三方， 氧冷分離去氧倉(cāng)，最后氧氣是瓶裝。 2， HCL合成（ H2+CL2=HCL） 兩股氫氣去混倉(cāng)，然后引至燃燒槍?zhuān)宦葰庖驳饺紵龢專(zhuān)铣蔂t設(shè)防爆墻； 反應(yīng)生成氯化氫，空冷降溫送下場(chǎng)。 3， SIHCL3 合成（ SI+HCL=SIHCL3+SICL4+SIH2CL2+H2+X） 硅粉來(lái)自硅粉倉(cāng)，脫水 HC 去爐旁，二者爐內(nèi)起反應(yīng)，三氯氫硅藏 中央。干法除塵先上場(chǎng)，濕法緊跟來(lái)邦忙， 增濕洗滌加反應(yīng)，最終硅塵全消亡。清潔后的合成氣，干法分離下一場(chǎng)。 4，合成 /尾氣干法分離（氯硅烷 +H2+HCL） 干法分離是分相，分出三類(lèi)派用場(chǎng)；液氯硅烷打循環(huán)，多出部分去貯倉(cāng)， 氫氣回到老地方，氯化氫至緩沖倉(cāng)。 5，提純（氯硅烷 SIHCL3， SICL4） 氯 硅烷來(lái)自?xún)煞?，兩股匯集中間倉(cāng)；送去提純用的泵， 1塔 2塔除低沸， 廢氣處理后排放。還有一物務(wù)必講 : 四氯化硅要外放， 5 6 7 塔同功能，詳細(xì)內(nèi)容見(jiàn)書(shū)上。 提純鋼架高又方， 8塔排隊(duì)頭在上，組合安裝費(fèi)思量，吊裝維修夠地方。變壓電控潔凈房，到處都是隔離墻！ 7， H 化（ SICL4+H2=SIHCL3+H2S） 四氯化硅來(lái)前方，氫氣來(lái)源已明講；二者混合水汽化，送至爐內(nèi)電極旁； 兩個(gè)爐內(nèi)起反應(yīng)，三氯氫硅又出場(chǎng)；末反應(yīng)的再循環(huán)，熱水系統(tǒng)不可忘。 9，硅蕊制備 熔爐拉制制硅蕊，硅蕊安放爐中央；酸洗水洗再干燥，制得硅蕊放堆場(chǎng)。 10，產(chǎn)品整理 還原制得多晶棒，截?cái)嗥扑槌蓧K狀，酸洗水洗再干燥，多晶產(chǎn)品去包裝。陸?？者\(yùn)上市場(chǎng)，燦燦黃金暖心房！ 多晶硅生產(chǎn)工藝 多晶硅生產(chǎn)工藝 冶金級(jí)硅（工業(yè)硅）是制造多晶硅的原料，它由石英砂（二氧化硅）在電弧爐中用碳還原而成。一般來(lái)說(shuō)，要求礦石中二氧化硅的含量應(yīng)該在 97～ 98%以上，并對(duì)各種雜質(zhì)特別是砷、磷和硫等的含量有嚴(yán)格的限制。 在用于制造多晶硅的冶金硅中，要求含有 99%以上的 Si，還含有 鐵、鋁、鈣、磷、硼等，它們的含量在百萬(wàn)分之幾十到百萬(wàn)分之一千（摩爾分?jǐn)?shù)）不等。要把冶金硅變成 SOG 硅或 EG 硅，顯然不可能在保持固態(tài)的狀態(tài)下提純，而必須把冶金硅變成含硅的氣體，先通過(guò)分餾與吸附等方法對(duì)氣體提純，然后再把高純的硅源氣體通過(guò)化學(xué)氣相沉積（ CVD）的方法轉(zhuǎn)化為多晶硅。 改良 西門(mén)子法 1955 年，西門(mén)子公司成功開(kāi)發(fā)了利用氫氣還原三氯硅烷（ SiHCl3）在硅芯發(fā)熱體上沉積硅的工藝技術(shù)，并于 1957 年開(kāi)始了工
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