【正文】 A[1:0]引腳或者給出半字和字節(jié)選擇信號，或者給出 EM_A[23:22]的信號，這取決于異步 1 配置寄存器 (A1CR)中數(shù)據(jù)總線寬度的配置。 SDRAM寫操作 異步控制器和接口 ? EMIF可以很容易的與各種異步器件直接連接，這些異步器件包括 NOR Flash， NAND Flash和 SRAM。 EMIF支持與具有下列特點的 SDRAM器件的無縫連接： Precharge 位為 A[10] 列地址位數(shù)為 9或 10 行地址位數(shù)根據(jù) DSP器件不同可以變化： – –對于有 12位 EMIF地址引腳的 DSP： 11或 12位行地址位 – –對于有 13位 EMIF地址引腳的 DSP： 1 12或 13位行地址位 內部存儲區(qū)數(shù)為 2或 4 EMIF與 2Mx16x4 SDRAM的連接圖 EMIF與 2Mx32x4 SDRAM的連接圖 EMIF與雙 4Mx16x4 SDRAM的連接圖 SDRAM讀操作 當 EMIF收到任何一個 SDRAM的讀操作請求時，就會進行一個或多個讀訪問。 EMIF時鐘 (EM_CLK)在器件復位期間不工作，釋放復位引腳后 PLL控制器不再對器件復位， EM_CLK重新開始以 PLL控制器設定的頻率輸出時鐘信號 SDRAM控制器和接口 EMIF可以跟大多數(shù)標準 SDRAM 器件進行無縫接口，并且支持自刷新模式和優(yōu)先刷新。SYSCLK3時鐘模塊的頻率通過對鎖相環(huán)控制器的乘法器和除法器的設置來進行控制。 EM_RW O 讀 /寫選擇引腳 此引腳在異步讀取的整個周期呈現(xiàn)高電平，寫入周期呈現(xiàn)低電平。當 NAND Flash控制寄存器 (NANDFCR)的 CS2NAND位被置位時，此引腳作為 NAND Flash準備好輸入引腳。另外，必須配置 A1CR的 WP0位來定義 EM_WAIT腳的極性。 EM_WAIT I 可編程極性等待輸入引腳 / NAND Flash準備好輸入引腳 EMIF接口中插入 EM_WAIT等待可以擴展異步器件訪問的觸發(fā)周期。 EMIF結構和操作 異步儲存器專用引腳 引腳 I/O 功能描述 EM_CS[2] O 低電平有效異步器件使能引腳 此引腳與異步器件的片選引腳相連接。 EM_CKE O 時鐘使能引腳 此引腳連接在 SDRAM器件的 CKE引腳上，發(fā)出自刷新命令使器件進入自刷新模式。 EM_RAS O 低電平有效行地址選通引腳 此引腳連接在 SDRAM器件的 RAS引腳上，用于向此器件發(fā)送命令。即使 EMIF沒有連接 SDRAM器件，缺省情況下它也保持此 SDRAM的片選有效。 與異步器件連接時，在異步寫訪問周期，提供一低電平信號。 與異步器件連接時，這些引腳可作為字節(jié)使能 (DQM)或字節(jié)寫觸發(fā) (WE)。 當與異步器件連接時，這些引腳與 EM_A引腳共同形成送到器件的地址。 當與異步器件連接時，這些引腳與 EM_BA引腳共同形成送到器件的地址。 NAND flash和 NOR flash的對比 EMIF寄存器 偏移量 縮寫 說明 04h AWCCR 異步等待周期配置寄存器 08h SDCR SDRAM配置寄存器 0Ch SDRCR SDRAM刷新控制寄存器 10h A1CR 異步 1配置寄存器 20h SDTIMR SDRAM時序寄存器 3Ch SDSRETR SDRAM自刷新退出時序寄存器 40h EIRR EMIF中斷寄存器 44h EIMREMIF中斷屏蔽寄存器 48h EIMSR EMIF中斷屏蔽設置寄存器 4Ch EIMCR EMIF中斷屏蔽清除寄存器 60h NANDFCR NAND Flash控制寄存器 64h NANDFSR NAND Flash狀態(tài)寄存器 70h NANDF1ECC NAND Flash1糾錯碼寄存器 (CS2空間 ) EMIF結構和操作 EMIF引腳描述 SDRAM專用 EMIF引腳 異步儲存器專用引腳 訪問 SDRAM和異步 存儲器的 EMIF引腳 EMIF結構和操作 訪問 SDRAM和異步存儲器的 EMIF引腳 引腳 I/O 功能描述 EM_D[x:0] I/O EMIF數(shù)據(jù)總線 不同器件的數(shù)據(jù)總線寬度不同，請參考器件的數(shù)據(jù)手冊。在使用 NAND器件時，必須先寫入驅動程序，才能繼續(xù)執(zhí)行其它操作。 由于需要 I/O接口， NAND要復雜得多。 壞塊處理 ： NAND器件中的壞塊是隨機分布的，需要對介質進行初始化掃描以發(fā)現(xiàn)壞塊，并將壞塊標記為不可用。 NAND flash和 NOR flash的對比 可靠性和耐用性 壽命 (耐用性 )：在 NAND閃存中每個塊的最大擦寫次數(shù)是一百萬次，而 NOR的擦寫次數(shù)是十萬次。 NAND flash和 NOR flash的對比 容量和成本 NAND 閃存的單元尺寸幾乎是 NOR閃存的一半，由于生產過程更為簡單， NAND結構可以在給定的模具尺寸內提供更高的容量，也就相應地降低了價格。 8個引腳用來傳送控制、地址和資料信息。 接口差別 NOR 閃存帶有 SRAM接口，有足夠的地址引腳來尋址，可以很容易地存取其內部的每一個字節(jié)。 NAND器件執(zhí)行擦除操作是十分簡單的，而 NOR則要求在進行擦除前先要將目標塊內所有的位都寫為 0。 FLASH ROM NAND flash和 NOR flash的對比 性能比較 閃存是非易失內存，可以對稱為塊的內存單元塊進行擦寫和再編程。 NAND 結構能提供極高的單元密度，可以達到高存儲密度，并且寫入和擦除的速度也很快，這也是為何所有的 U 盤都使用 NAND 閃存做為存儲介質的原因。 NOR 的特點是芯片內執(zhí)行（ XIP， eXecute In Place），這樣應用程序可以直接在閃存內運行，不必再把代碼讀到系統(tǒng) RAM 中。 Intel 于 1988 年首先開發(fā)出