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模擬電路培訓(xùn)資料ppt課件-展示頁

2025-01-24 17:40本頁面
  

【正文】 最大耗散功率 Pzm= Vz Iz 最大穩(wěn)定工作電流 Izmax和最小穩(wěn)定 工作電流 Izmin 穩(wěn)定電壓的溫度系數(shù) C: 典型應(yīng)用電路和參數(shù)設(shè)計(jì) 穩(wěn)壓條件:滿足下列不等式,并注意功耗不能超過 Pzm 需要設(shè)計(jì)一個(gè) 6V的穩(wěn)壓電路, 已知: Vi= 12V,Vz=6V,Imax= 20mA, Imin= 2mA問: R=?合適 二極管在整流電路中的應(yīng)用 半波整流電路 : 全波整流電路: 橋式整流電路: 思考題 練習(xí) 1: 請分析右圖的 D1,D2導(dǎo)通情況 VA輸出電壓是多少?假設(shè)二極管導(dǎo)通管壓降為 練習(xí) 2: 請分析右圖電路的工作原理,假設(shè)U1=220V,變壓器匝比 50: 1, Uo=? 半導(dǎo)體三極管的工作原理 實(shí)物和內(nèi)部結(jié)構(gòu) 工作條件和電流分配 發(fā)射區(qū)高摻雜,集電區(qū)低摻雜,面積大,基區(qū)很薄,最低摻雜。穩(wěn)壓狀態(tài),二極管工作在反向擊穿區(qū),同時(shí)說明電擊穿是可逆的(齊納擊穿、雪崩擊穿),而熱擊穿是不可逆的。 R= ρ *L/S) 半導(dǎo)體特性: 熱敏性 光敏性 摻雜性 概念: 本征半導(dǎo)體、雜質(zhì)半導(dǎo)體; 多數(shù)載流子、少數(shù)載流子; N型半導(dǎo)體(摻雜 5價(jià)磷 P元素)、 P型半導(dǎo)體(摻雜 3價(jià)硼 B元素); PN結(jié)形成原理: 濃度差--》多子擴(kuò)散--》摻雜 離子形成空間電荷區(qū)--》內(nèi)電場 --》阻止多子擴(kuò)散,促使少子漂 移--》動(dòng)態(tài)平衡,所以 PN實(shí)際是 電荷區(qū),又叫耗盡層 特點(diǎn): 單向?qū)щ娦? 光熱敏 V/I曲線:導(dǎo)通、擊穿、結(jié)電容 半導(dǎo)體二極管 點(diǎn)接觸型
點(diǎn)擊復(fù)制文檔內(nèi)容
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