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正文內(nèi)容

變頻器內(nèi)部原理培訓(xùn)-展示頁(yè)

2025-01-20 21:18本頁(yè)面
  

【正文】 越高,而輸入電流越接近正弦。 圖 232 考慮電感時(shí)電容濾波的三相橋式整流電路及其波形 a)電路原理圖 b)輕載時(shí)的交流側(cè)電流波形 c)重載時(shí)的交流側(cè)電流波形 b) c) i a i a O O w t w t ( C) 多電平逆變電路 a ) 串聯(lián)連接三相高壓 變頻器原理圖 例 :“ 完美無(wú)諧波 ” 高壓變頻器 為減少輸入電流中的諧波、提高功率因數(shù),工頻變壓器采用相位彼此差開(kāi)相等電角度的多副邊結(jié)構(gòu),每一組副邊接一個(gè)圖 b) 所示的基本功率單元。 電容濾波的三相不可控整流電路 考慮實(shí)際電路中存在的交流側(cè)電感以及為抑制沖擊電流而串聯(lián)的電感時(shí)的工作情況: 電流波形的前沿平緩了許多 , 有利于電路的正常工作 。 電容濾波的三相不可控整流電路 1 ) 基本原理 圖 230 電容濾波的三相橋式不可控整流電路及其波形 a) b) O i a u d i d u d u ab u ac 0 d q w t p p 3 w t ( C) 某一對(duì)二極管導(dǎo)通時(shí) , 輸出電壓等于交流側(cè)線電壓中最大的一個(gè) , 該線電壓既向電容供電 , 也向負(fù)載供電 。 哪種方式效果相對(duì)更好 ? 若用示波器觀察以上兩波形會(huì)看到什么結(jié)果 ? 變頻器輸入電流波形 電容濾波的單相不可控整流電路 感容濾波的二極管整流電路 圖 229 感容濾波的單相橋式不可控整流電路及其工作波形 a) 電路圖 b)波形 a) b) u 2 u d i 2 0 d q p w t i 2 , u 2 , u d ( C) 實(shí)際應(yīng)用為此情況,但分析復(fù)雜。 圖 66 雙極性 PWM 控制方式波形 u r u c u O w t O w t u o u of u o U d U d ( B) ? 雙 極性 PWM 控制方式 (單相橋逆變) 計(jì)算法和調(diào)制法 圖 66 雙極性 PWM 控制方式波形 u r u c u O w t O w t u o u of u o U d U d 圖 65 單極性 PWM 控制方式波形 u r u c u O w t O w t u o u of u o U d U d 對(duì)照上述兩圖可以看出, 單相橋式電路 既可采取 單極性 調(diào)制,也可采用 雙極性 調(diào)制,由于對(duì)開(kāi)關(guān)器件通斷控制的規(guī)律不同,它們的輸出波形也有較大的差別。 同樣在調(diào)制信號(hào) ur 和載波信號(hào) uc 的交點(diǎn)時(shí)刻控制器件的通斷。 在 ur 的半個(gè)周期內(nèi),三角波載波有正有負(fù),所得 PWM 波也有正有負(fù) ,其幅值只有 177。 ur 負(fù)半周 , 請(qǐng)同學(xué)們自己分析 。 當(dāng) ur uc 時(shí)使 V4 通 , V3 斷 , uo = Ud 。 在 ur 和 uc 的 交點(diǎn) 時(shí)刻控制 IGBT 的通斷。 沖量 窄脈沖的面積 效果基本相同 環(huán)節(jié)的輸出響應(yīng)波形基本相同 t ) t ) f ( d ( t O t O f ( t ) 圖 61 形狀不同而沖量相同的各種窄脈沖 d) 單位脈沖函數(shù) a) 矩形脈沖 b) 三角形脈沖 c) 正弦半波脈沖 t O t O f ( t ) f ( t ) ( B) 10 PWM 控制的基本思想 若要改變等效輸出正弦波 幅值 ,按同一比例改變各 脈沖寬度 即可。 單相橋式逆變電路 S1 ~ S4 是橋式電路的 4 個(gè)臂 , 由電力電子器件及輔助電路組成 。 圖 51 逆變電路及其波形舉例 a) b) t u o i o t 1 t 2 電阻負(fù)載 時(shí) , 負(fù)載電流 io 和 uo 的波形相同 , 相位也相同 。 IGBT 比 VDMOSFET 多一層 P+ 注入?yún)^(qū) , 具有很強(qiáng)的通流能力 。 圖 a ) 為垂直導(dǎo)電雙擴(kuò)散結(jié)構(gòu),即 VDMOSFET 。 導(dǎo)電機(jī)理與小功率 MOS 管相同,但結(jié)構(gòu)上多采用 垂直 導(dǎo)電結(jié)構(gòu) ,又稱(chēng)為 VMOSFET 。 引言 常用的 典型全控型器件 ( B) GTR 、 電力 MOSFET 和 IGBT 等器件的 常用封裝形式 。變頻器 內(nèi)部原理 培訓(xùn) 變頻器: 將電網(wǎng)電壓提供的恒壓恒頻轉(zhuǎn)換成電壓和頻率都可以通過(guò)控制改變的轉(zhuǎn)換器,使電動(dòng)機(jī)可以在變頻電壓的電源驅(qū)動(dòng)下發(fā)揮更好的工作性能。 主要的公式 公式: pfn260?4. 44 fN ΦeeiRu???amm ΦIKT ?R為電樞繞組內(nèi)阻, e為旋轉(zhuǎn)電動(dòng)勢(shì) Km:系數(shù); ? :磁通; aI:電樞電流 f: 旋轉(zhuǎn)速度; N:線圈匝數(shù); ? :磁通 95 50P nT MM? 晶閘管的結(jié)構(gòu)與工作原理 常用 晶閘管的結(jié)構(gòu) 螺栓型晶閘管 晶閘管模塊 平板型晶閘管外形及結(jié)構(gòu) ( C) 典型全控型器件
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