半導(dǎo)體制作流程-展示頁
2025-06-06 20:19本頁面
【正文】 三。 我 ( 20xx. ) PEG KEC 公司韓國研究總數(shù)報(bào)告 ７ 下載 最好的 KECW 和 Camp。全工程： SMD FIS 系統(tǒng)介紹 FIS 是什么 ? FIS: 完整的在 線系統(tǒng) 死龐德 用金屬絲卷起龐德 形成 DEFLASH 施以焊接 BIS 推進(jìn) BIS 是什么 ? BIS: 后端在 線系統(tǒng) 測試 分類 MARKINGA 視覺 輕打 輕打 插入 飼養(yǎng) 封閉 蜿蜒的 切斷 卷 ６ 1. 提高 /向下的插入物 /更下 INSERT 五音 驅(qū)動(dòng)方式 第五音 /上面下 TENTION 橋旋轉(zhuǎn) 下載 SMD PKG 分類 USM 聯(lián)誠集成電路公司 ESM ESC 過度的冗員迷你 過度的超級(jí)迷你同軸的兩極管 極端超級(jí)迷你 極端超級(jí)迷你同軸的兩極管 SMD FIS 采用的箍式樣： ：寬度： 22 mm B ： PKG 厚度： mm C ：領(lǐng)引體格厚度： mm 最好的 KECW 和 Camp。 C 的我 amp。 C 的我 amp。 C 的我 amp。 C 的我 amp。 SMD 線程序 2 下載 1,前工程程序 龐 德工程 死會(huì)接 用金屬絲卷起會(huì)接 最容易溶解的 B 施以焊接 B 環(huán)氧基樹脂 B 球 B 楔住 B 死會(huì)接注意事項(xiàng) M/C 的溫度 3. E/ J 大頭針頂端 4. E/ J 大頭針叁數(shù) PICK UP LEVEL 利用高溫使薄片的背面金屬熔化并與 L/F 焊接從而完成一鋼模會(huì)接進(jìn)入電線會(huì)接 先在 L/ F 上晶片位置上焊，然后再進(jìn)行一鋼模會(huì)接 , 從而使薄片與 L/ F 熔接。 C 的我 amp。電晶體的制造 C。 我 ( 20xx. ) PEG KEC 公司韓國研究總數(shù)報(bào)告 內(nèi) 容 1. SMD 線程序 FIS 系統(tǒng) BIS 系統(tǒng) (1) PLC 及個(gè)人計(jì)算機(jī)結(jié)構(gòu) (2) SMD BIS 系統(tǒng)桌子 (3) SMD BIS 程序 考試人研究 1)測試規(guī)格及結(jié)構(gòu) 2)SDT2200 系統(tǒng) 3)直流力量 4)考試人電路板研究 5)系統(tǒng)錯(cuò)誤檢查 6)電路板 BOARDCHECKING 及調(diào)整步驟 7)箱柜信號(hào)信號(hào)處理的人設(shè)定 SEMCONDUCTOR 一。 和 36 hrs 的工作 時(shí)間 ) 和趨勢的 T echnology 生 產(chǎn) 量改良 (程序 問題為 生 產(chǎn) 量改良增加而且增加 ) 下載 最好的 KECW 和 Camp。 我 ( 20xx. ) PEG KEC 公司韓國研究總數(shù)報(bào)告 KEC 公司韓國研究總數(shù)報(bào)告 決 裁 贊成者 助手 設(shè)計(jì) Reportor ： 朱 Zhao 六月 日期： ~ 總數(shù)標(biāo)明的頁數(shù) S 以系統(tǒng) P 字 新的 (包裹，機(jī)器 ,裝置 ) 程序 為 前部安定建立 (放置 提高 時(shí)間 表保管 ) 和管理的 M anpower 程序能力改良 (目 標(biāo) Cpk= 最小 ) 和贊成的 ppreciation 物 質(zhì) 的地方性的化 = 花 費(fèi) 更下 ,239。下載 最好的 KECW 和 Camp。 C 的我 amp。 nd 進(jìn) 口 , 質(zhì) 量增加 和需求的 R esponse 制造 問題 改良 (目 標(biāo) 。 C 的我 amp。半導(dǎo)體制造程序 B。 那種晶圓 BACKWORD 1 下載 最好的 KECW 和 Camp。 我 ( 20xx. ) PEG KEC 公司韓國研究總數(shù)報(bào)告 鋸 汽 車 模子 龐 德 前工程 后工程 DEFLASH BIS TRIMING 輕 打 測試 飼養(yǎng) 印 記 一。 削無背面金屬制的，無溫度要求，薄片與 L/ F 之間使用 Ag 漿糊或環(huán)氧基樹脂，經(jīng)過高溫烘烤治療而成 臨時(shí) 雇 員 +力量 +超 聲 波 200 ～ 300 ℃ 超 聲 波 +力量 室溫～ 150 ℃ 最好的 和 Camp。 我 ( 20xx. ) PEG KEC 公司韓國研究總數(shù)報(bào)告 KECW ３ 下載 最好的 和 Camp。 我 ( 20xx. ) PEG KEC 公司韓國研究總數(shù)報(bào)告 KECW 2,后工程程序 形成工程 L/F 載入 模子一鋼模 L/ F 載入 接近地死 轉(zhuǎn)移下 模子治療 一鋼模打開 EMC 預(yù)熱 L/F 載入 項(xiàng)目 目的 形成 M/C 金型閉合 使 EMC 溫度上升 促使 EMC 流動(dòng)，減少 PKG 空虛發(fā)生等 促使 EMC 沖進(jìn) （移動(dòng)下降變速點(diǎn)～治療開始） 形成治療 使 EMC 充分硬化（ 120 年代）
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