薄膜材料物理--第三章金屬薄膜的導(dǎo)電-展示頁
2025-01-16 07:52本頁面
【正文】 vdE m v dvx y zx y zmmdN E dE dN v dvhhv dvdv dv dv v dvmdN dv dv dvh????????? ?????? ? ????????? ????式 中 是 球 坐 標(biāo) 速 度 空 間 中 的 一 個(gè) 體 積 微 分 單 元 。當(dāng)其動(dòng)能大于逸出功時(shí)，電子便逸出金屬表面， E外 → 定向流動(dòng)。 有關(guān)島狀薄膜的電導(dǎo)理論有： ★熱電子發(fā)射理論； ★肖特基發(fā)射理論； ★活化隧道理論； ★允許態(tài)間隧道理論； ★經(jīng)基片和陷阱的隧道理論。 島狀薄膜的電阻 電阻規(guī)律：①電阻率比連續(xù)膜大幾個(gè)數(shù)量級(jí)； ②電阻溫度系數(shù)為負(fù)； ③低場(chǎng)強(qiáng)下，服從歐姆定律（ VA） 。 ? 由此可見，電阻的物理根源多于塊狀。第 五 講 第三章 金屬薄膜的導(dǎo)電 第三章 金屬薄膜的導(dǎo)電 第五講 ? 電阻來源：晶格振動(dòng) → 聲子散射；雜質(zhì) → 雜質(zhì)散射； 缺陷 → 缺陷散射； 晶界 → 晶界散射。 ? 薄膜特點(diǎn)：連續(xù)膜 → 表面散射； 網(wǎng)狀膜 → 細(xì)絲周界散射，接觸散射； 島狀膜 → 電子隧道 。 ? 薄膜的成膜過程：島狀薄膜 → 網(wǎng)狀薄膜 → 連續(xù)薄膜 第 五 講 第三章 金屬薄膜的導(dǎo)電 167。 高場(chǎng)強(qiáng)下，非線性關(guān)系（ VA關(guān)系）。 第 五 講 第三章 金屬薄膜的導(dǎo)電 熱電子發(fā)射理論 ? 物理模型：金屬島中電子隨溫度增加，其動(dòng)能增加。 ? 計(jì)算單位時(shí)間內(nèi)逸出金屬單位表面的電子數(shù)。用 直 角 坐 標(biāo) 有— — 單 位 體 積 內(nèi)第 五 講 第三章 金屬薄膜的導(dǎo)電 2 2 2 23 2 2 21 1 1 1e x p2 2 2 2~ ~ ~2 e x p2FF x y zFx x x y y y z z zx y zx y zEEf E E E m v m v m v m vkTEv v dv v v dv v v dvm v m v m vmdn dv dv dvh kT???? ? ? ? ? ?????? ? ??? ????? ? ? ?? ????????而 電 子 占 據(jù) 能 級(jí) E 的 幾 率 — 波 爾 茲 曼 分 布 ：（ ） , （ 電 子 能 量 大 于 便 成 自 由 電 子 ）所 以 在 ， ， 內(nèi) 的 電 子 數(shù) ：所 以 在 單 位 時(shí) 間 達(dá) 到 單 位 表 面 ， 且 在 此122 2222e x p e x p e x p2 2 2 xy
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