【正文】
? ???????? ???????? ??第二講 第一章薄膜的形成 121 / 2 1 / 20 0 00 p a 0 a p1 / 20 a p1 / 2011 / 201nn n ( / m ) ( / ( m / ) )( m / ) ( / ) e x p ( / 2 ) n ( / ) e x p ( / 2 ) T n T n l gn初 始 不 完 全 凝物 理 解 釋 : 核 的 捕 獲 面 積 線 度當(dāng)cPxPxnRn R n Rm n R vn R v E kTn R v E kTv??????????? ? ? ? ? ??????? ? ? ? ? ?? ? ? ? ? ? ? ? ?? ?0100a020al gn T 2 / k l n , Tmnnn1 n 1 , nt n nIt n = n 1 e x p , t .n結(jié) 初 始 完 全 凝 結(jié)此 為 初 始 部 分 凝 結(jié) 向 初 始 完 全 凝 結(jié) 的 轉(zhuǎn) 變 溫 度 . 對(duì) 于 初 始 部 分 凝 結(jié) , 在 非 捕 獲 區(qū) 內(nèi) , 成 核 的 速 率 為 : 即 時(shí) 刻 的 穩(wěn) 定 核 數(shù)P PxnvEERdIS I Idm???????? ? ? ??????? ??? ? ? ? ? ??? ???????? ??? ? ???????????第二講 第一章薄膜的形成 167。 第二講 第一章薄膜的形成 成核速率 ∝ 臨界核密度 每個(gè)核的捕獲范圍 吸附 原子向臨界核的總速度 ※ 由統(tǒng)計(jì)理論,臨界核密度 : ? ?? ?1010011110 1 000e x p /i0 e x p / e x p /基 片 單 位 面 積 上 的 吸 附 點(diǎn) 數(shù) 基 片 單 位 面 積 上 吸 附 的 單 原 子 密 度臨 界 核 的 結(jié) 合 能 臨 界 核 中 的 原 子 數(shù) 目 不 計(jì) 入 吸 附 能 的 單 原 子 位 能 .令 , 則 : ( )iiiiiii i i inn n E i E k TnnnEEnnE n n E i E k T n E k Tnn?????????? ????????? ? ? ???? ? ? ?? ? ? ???? ? ? ?第二講 第一章薄膜的形成 110010A( ) e x p [ ( ) / ] 。 T1 T2 T3 T (111)//基片表面 (100)//基片表面 47個(gè) 原子團(tuán) E2 E3= 2E2 E4= 4E2~5E2 E4= 6E2 E5= 8E2 當(dāng)基片表面吸附弱而三個(gè)原子團(tuán)被吸附的不牢時(shí),動(dòng)態(tài)平衡卻有利于四原子結(jié)構(gòu) → (100)//基片表面 第二講 第一章薄膜的形成 結(jié)論:當(dāng)原子團(tuán)達(dá)到四原子以后,其結(jié)構(gòu)有兩種: 平面結(jié)構(gòu)、角錐結(jié)構(gòu)。當(dāng)小于 100個(gè)以下,甚至幾個(gè)原子的微滴時(shí),需用原子理論。第二講