薄膜材料物理--第三章金屬薄膜的導電(2)-展示頁
2025-01-16 07:51本頁面
【正文】 在 溫 度 下 ， 帶 有 電 子 的 小 島 數(shù) 為 ： （ 單 位 面 積 ）()e x p( )xnNkT? ???第 五 講 第三章 金屬薄膜的導電 式中： N是島 狀薄膜單位面積內(nèi)小島數(shù)目， 是活化能。 第三章 金屬薄膜的導電（續(xù)） 第六講 第 五 講 第三章 金屬薄膜的導電 12023120023120020()4()0()4,()411()4mmmmmmqxaFdxdx q q FqF aadq q Fd x qE aaqd x qE da a a d???? ???? ?????????? ??? ???? ? ? ?????? ? ? ? ??????? ? ? ? ????令 ：設(shè) 島 間 距 離 為當 時 ， 所 需 的 活 化 能當 時 ， 所 需 的 活 化 能第 五 講 第三章 金屬薄膜的導電 ( ) ( ) [ 1 ( ) ] ( ) ( )()(F i jFijT E E f E f E dET E f ET E EEEET E E??????? ? ?????為 了 求 出 島 狀 薄 膜 的 方 塊 電 阻 ， 需 要 求 出 電 子 從 島 到 島的 單 位 面 積 傳 輸 幾 率 ， 該 幾 率 為 ： 傳 輸 系 數(shù) ， 費 米 統(tǒng) 計 分 布的 物 理 意 義 ： Ⅰ 區(qū) 的 能 級 為 的 電 子 穿 過 勢 壘 Ⅱ 到 達 Ⅲ 區(qū) 能 級 的 幾 率 , 即 能 級 為 的 電 子 從 Ⅰ 區(qū) 穿 過 勢 壘 Ⅱ 到 達 Ⅲ 區(qū) 后 ， 能 級 為 的 電 子 的 幾 率 。第 五 講 第三章 金屬薄膜的導電 22002000 ( )( ) 1 1 ( ) ( )4411( ) ( )4axaTKT K xq q qx drr a a xEqx qF xa a x?? ?????????? ? ? ? ???? ? ? ???時 ， 電 子 在 小 島 中 ， 小 島 為 中 性 。時 ， 電 子 從 小 島 出 來 到 x 處 所 需 的 能 量 — 活 化 能在 外 加 電 場 作 用 下 ， 所 需 要 的 活 化 能 減 小 ， 即 ： 活化隧道理論 ? 該理論認為：電子從一個中性小島移至另一個中性小島，因而使原來的一些帶有電荷在載電小島與中性小島間的電子傳輸是一個隧道過程。 這 可 由 量 子 力 學
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