探究多層薄膜系統(tǒng)反射率與入射波長(zhǎng)和介質(zhì)厚度的關(guān)系光學(xué)軟件課程設(shè)計(jì)-展示頁(yè)
2025-06-18 06:12本頁(yè)面
【正文】 Mi???? ? ????????jjjj dN ???? c os2?E’r2 H’r2 Er2 Hr2 Et2 Ht2 Ei2 Hi2 Ei1 Hi1 t2? 1t? i2? i2? i1? 1 1n 2 Gn Et1 Ht1 4/9 1 處還有從界面 2 反射回來(lái)的透射場(chǎng) 39。 先討論入射波 電矢量垂直于入射面的情況，即假定入射波時(shí)一個(gè) S 偏振波；并且設(shè)入射波的電場(chǎng)和磁場(chǎng)為 1iE 和 1iH 。 傳輸矩陣推導(dǎo) 圖 3 薄膜邊界上的場(chǎng) 假設(shè)平面波以入射角 i1? 從折射率為 0n 的介質(zhì)入射到薄膜上，薄膜的折射率和厚度分別為 1n 和 1h ，薄膜下面的基片的折射率為 Gn 。 M(z)即為傳輸矩陣，它將介質(zhì)前后空間的電磁場(chǎng)聯(lián)系起來(lái)，這和電阻將 A、 B兩點(diǎn)的電勢(shì)聯(lián)系起來(lái)的實(shí)質(zhì)是相似的。傳輸矩陣具有和電阻相同的模型特性。安徽工業(yè)大學(xué)光信息科學(xué)與技術(shù)專(zhuān)業(yè) 《光學(xué)軟件課程設(shè)計(jì)》 課程報(bào)告 年級(jí)： 光 082 班 姓名： 董和義 089084034 指導(dǎo)教師： 黃仙山 日期： 6/27/2021 2/9 探究多層薄膜系統(tǒng) 反射率 與入射波長(zhǎng) 和介質(zhì)厚度 的關(guān)系 一、設(shè)計(jì)理論 傳輸矩陣 在介紹傳輸矩陣的模型之前，首先引入一個(gè)簡(jiǎn)單的電路模型。如圖 1(a)所示， 在 (a)中若已知 A 點(diǎn)電壓及電 路電流，則我們只需要知道電阻 R，便可求出 B 點(diǎn)電壓。 (a) (b) 圖 1 傳輸矩陣模型及電路模擬模型 如圖 1(b)所示，有這樣的關(guān)系式存在： E0=M(z)E1。 圖 2 多層周期性交替排列介 質(zhì) 傳輸矩陣法多應(yīng)用于多層周期性交替排列介質(zhì)（如圖 2 所示）， M(z)反映的介質(zhì)前后空間電磁場(chǎng)之間的關(guān)系，而其實(shí)質(zhì)是每層薄膜特征矩陣的乘積，若用 jM 表示第 j層A B E0 E1 …… 1 2 3 4 ?? j ?? N 3/9 的特征矩陣，則有： ???????? ?? DCBAMzM Nj j1)( 其中， （ 1） j? 為相位厚度， 有 如公式（ 1）所示， jM 的 表示為一個(gè) 2 2的矩陣形式，其中每個(gè)矩陣元都沒(méi)有任何實(shí)際物理意義，它只是一個(gè)計(jì)算結(jié)果，其推導(dǎo)過(guò)程將在第二部分給出。由于一般情況下，入射光中電矢量垂直于入射面的 S 波河電矢量平
畢業(yè)設(shè)計(jì)相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1