freepeople性欧美熟妇, 色戒完整版无删减158分钟hd, 无码精品国产vα在线观看DVD, 丰满少妇伦精品无码专区在线观看,艾栗栗与纹身男宾馆3p50分钟,国产AV片在线观看,黑人与美女高潮,18岁女RAPPERDISSSUBS,国产手机在机看影片

正文內(nèi)容

探測器綜述論文(hit)-展示頁

2025-06-18 06:09本頁面
  

【正文】 者更成熟,采用并掃技術(shù)可做到同等數(shù)量元數(shù)陣列焦平面更高性能,且價格要比陣列焦平面低,因而西方國家亦在發(fā)展之列,典型的 4 28 4( 6) 57 6 960 等; 陣列焦平面典型品種有 128 128, 256 256(或 320 256), 512 512(或640 480), 1024 1024 等。 改善方式: 基底的凈化、源材料、生長和工藝條件可以提高碲鎘汞器件的低溫性能。 材料和可利用的大面積基底的質(zhì)量對長波紅外和極長波紅外的大型碲鎘汞焦平面列陣有影響。碲鎘汞還能在短波紅外波段工作。 ③易于制造多元器件。它與工作在同樣波段的 Ge: Hg 探測器相比有如下優(yōu)點(diǎn): ①工作溫度高(高于 77K),使用方便 , 而 Ge:Hg工作溫度為 38K。 2. 性能參數(shù) 以實(shí)際產(chǎn)品為例進(jìn)行分析: DMCT(x)De 系列碲鎘汞探測器 ———液氮制冷型紅外探測器,波長范圍: 2~22μ m 型號 /參數(shù) DMCT12De01 DMCT14De01 DMCT16De01 DMCT22De01 DMCT12HS 光敏面尺寸 (mm) 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 波長范圍 (μ m) 212 214 216 222 212 峰值響應(yīng)度 (V/W) 3x103 1x103 900 150 4x104 響應(yīng)時間 (ns) 25 D*(λpeak, 1KHz) cm Hz1/2W1, Min 3 x 1010 3 x 1010 1010 5x 109 3x 1010 前置放大器 ZPA101 ZPA101 ZPA101 ZPA101 集成 信號輸出模式 電壓 電壓 電壓 電壓 電壓 輸出信號極性 正( P) 正( P) 正( P) 正( P) 正( P) 表 1 DMCT(x)De 系列碲鎘汞探測器參數(shù) 其中: DMCT(x)De 為液氮制冷型, x12/ 14/ 16/ 22,四種截止波長可選,適合一般測量,須選配前置放大器; DMCT12HS 為液氮制冷高速響應(yīng)型,集成前置放大器,響應(yīng)時間小于 50ns;為高速響應(yīng)探測器,集成了 50MHz 帶寬的前置放大器,用于紅外時間分辨測量,可直接接示波器使用,光敏面尺寸為 1mm,另有 和 可選,尺寸越小,響應(yīng)速度越快,最快可達(dá)到 ; HgCdTe 探測器的時間常數(shù)在 10~ 10 秒量級。到純 HgTe之間變化。探測器綜述 目錄 碲鎘汞光電探測器 (Hg1xCdxTe) ..........................................................................................2 PbS 多晶膜光電導(dǎo)探測器 ..................................................................................................3 銻化銦光電探測器 ............................................................................................................4 硅光電池 ...........................................................................................................................6 硅光電二極管 ...................................................................................................................6 PIN 硅光電二極管 .............................................................................................................7 雪崩光電二極管( APD) ..................................................................................................8 硅光電池、三極管、二極管、 PIN、 APD 性能參數(shù)對比總結(jié) .......................................... 10 異質(zhì)結(jié)探測器 ................................................................................................................. 11 象限探測器 ..................................................................................................................... 12 光電位置探測器( PSD) ................................................................................................ 14 量子阱光電探測器 .......................................................................................................... 15 結(jié)語 ................................................................................................................................ 16 參考文獻(xiàn) ......................................................................................................................... 17 碲鎘汞光電探測器 (Hg1xCdxTe) 1. 工作原理 其中 , Hg1xCdxTe是由 CdTe和 HgTe組成的固熔三元化合物半導(dǎo)體 , x表示 CdTe所占的克分子數(shù)。這種三元化合物的成分可以從純 CdT。選擇不同的 x值就可以制備出一系列不同禁帶寬度、不同響應(yīng)波段的碲鎘汞材料 , 這種材料具有一些可貴的性質(zhì) :電子有效質(zhì)量小 , 本征載流子濃度低等。 x= 的 材料,可以制成響應(yīng)波長為 8~ 14微米大氣窗口的紅外探測器。 ②本征吸收系數(shù)大 , 樣品尺寸小。 優(yōu)點(diǎn):反向飽和電流小、噪聲低、探測率高、響應(yīng)時間短和響應(yīng)頻帶寬 3. 使用條件 碲鎘汞光電探測器在中波、長波和極長波紅外波段具有高靈敏度和波長靈活性,并具有多色能力。 限制性: 由于碲鎘汞材料和基底軟而脆的特性,使器件的加工比較困難。 雖然中波和長波紅外器件的這些問題大部分解決了,但對于極長波紅外和多色器件,特別是有多個 pn 結(jié)暴露到表面時,仍是主要的問題。 4. 應(yīng)用領(lǐng)域 熱成象、 CO2 激光探測、制導(dǎo)、 FTIR 光譜學(xué)、夜視、激光預(yù)警接收、 激光外差探測 5. 發(fā)展趨勢 由于 HgCdTe 紅外探測器的發(fā)明,使低溫目標(biāo)(需要長波探測)的紅外探測成為可能。 PbS 多晶膜光電導(dǎo)探測器 1. 工作原理 PbS 是一種直接躍遷的Ⅳ Ⅵ族窄帶化合物半導(dǎo)體材料,室溫下其禁帶寬度為 (對應(yīng)長波限λ 0= m),具有較大的激子玻爾半徑 (18nm), 常溫常壓下晶格常數(shù)為 ,屬于 NaCl 型面心立方結(jié)構(gòu),晶格為 Pb 和 S組成的面心立方子晶格相互套構(gòu)而成,其配位數(shù)為 6。 2. 性能參數(shù) PbS 的常用響應(yīng)波段在 1~ 3 微米、 3~ 5 微米、 8~ 14 微米三個大氣透過窗口。瓦 瓦 ③ 77K 或更低溫度下工作 ,探測度可達(dá) 10 厘米 赫以上。 與典型 PIN 結(jié)光電二極管相比,在紅外波段具有更高的探測能力和更好的線性響應(yīng)。響應(yīng)波長越長的光,電導(dǎo)體這種情況越顯著,其中 1~ 3 微米波段的探測器可以在室溫工作(靈敏度略有下降)。 紅外探測有時要探測非常微弱的輻射信號 , 例如 10 瓦;輸出的電信號也非常小 , 因此要有專門的前置放大器。 5. 發(fā)展趨勢 近年來國內(nèi)外很多研究機(jī)構(gòu)和個人從高質(zhì)量、高性能 PbS 薄膜這個需求著手,用許多新穎的制備方法制備出了性能優(yōu)良的 PbS 薄膜。 2021 年日本的 Tsukasa Torimoto 等人利用電化學(xué)原子層外延的方 法,在 Au(111)基片上制備 PbS 薄膜,測試表明 PbS 薄膜為立方巖鹽型晶體結(jié)構(gòu),具有原子量級的平整度,其( 200)晶面平行于基片表面。 2021 年立陶宛 J. Pui?o 的等人在室溫和常壓下利用連續(xù)離子層吸附反應(yīng) (SILAR)在 Si 基片上制備硫化鉛薄膜,對薄膜的晶型、晶粒尺寸、微結(jié)構(gòu)、粗糙度與原子組成進(jìn)行了詳細(xì)研究。 2021 年,我國空空導(dǎo)彈研究院光電器件研究所司俊杰等人用聯(lián)氨法制備的 PbS 薄膜,通過優(yōu)化沉淀、敏化過程,改善了 PbS 薄膜成分和形貌的均勻性,由改進(jìn)后的薄膜所制備的光導(dǎo) PbS 探測器,在大尺度( 25mm)光敏元尺寸下,光電響應(yīng)的不均勻度由改進(jìn)前的177。 25%。同時通過分析敏化前后薄膜的成分,探討了薄膜敏化后光電性能大幅度提高的機(jī)理。探測器對黑體的響應(yīng)度 R 可達(dá) 102V/W,比探測率 D*可達(dá) 108cm W1( 500K, 400, 10)。 銻化銦光電探測器 1. 工作原理 用窄帶半導(dǎo)體 InSb 可以制備光導(dǎo)型 (PC)紅外探測器也可以制備光伏型 (PV)紅外探測器。窄帶半導(dǎo)體吸收能量大于禁帶寬度的光子,使價帶的電子躍遷到導(dǎo)帶,在導(dǎo)帶中產(chǎn)生非平衡電子,在價帶中留下非平衡空穴,于是就改變了樣品的電導(dǎo)率。光伏型探測器是當(dāng)前非常重要的另一種光子型探測器。激光輻射能量被器件吸收后,產(chǎn)生非平衡電子 和空穴,它們或直接在 PN 結(jié)中
點(diǎn)擊復(fù)制文檔內(nèi)容
畢業(yè)設(shè)計(jì)相關(guān)推薦
文庫吧 www.dybbs8.com
備案圖鄂ICP備17016276號-1