dr平板探測器-展示頁
2024-08-20 01:19本頁面
【正文】 減少散射線控制照射野 ?平板探測器 ? 將 X射線轉(zhuǎn)換成已處理的電信號 ?圖像后處理系統(tǒng) ? A/D轉(zhuǎn)換，圖像預處理，圖像重建等 HONGXIN COMMUNICATION TECHNOLOGIES CO., LTD. 探測器的種類 ?直接能量轉(zhuǎn)換 ?非晶態(tài)硒（ Amorphous Selenium， aSe） ?間接能量轉(zhuǎn)換 ?非晶態(tài)硅 （ Amorphous Selenium， aSi+碘化銫(CsI) /硫氧化釓 (g225。)( GdOS/Gd2O2S) ? CCD HONGXIN COMMUNICATION TECHNOLOGIES CO., LTD. 間接型 FPD ?主要是由閃爍體或熒光體層加具有光電二極管作用的非晶硅層 (amorphous Silicon， aSi)再加 TFT陣列構(gòu)成。 HONGXIN COMMUNICATION TECHNOLOGIES CO., LTD. 直接型 非晶態(tài)硒 典型結(jié)構(gòu)： ①非晶硒層 （ aSe） 光電導材料 ②薄膜半導體陣列 （ Thin Film Transistor array，TFT） ?尺寸數(shù)十厘米 HONGXIN COMMUNICATION TECHNOLOGIES CO., LTD. 非晶硒型成像原理 ?向非晶硒層加正向偏置電壓（ 05kv），即預置初始狀態(tài)。 ?讀出 TFT層存儲的電荷，放大幵經(jīng)過 A/D轉(zhuǎn)換后輸出到計算機。 X射線 HONGXIN COMMUNICATION TECHNOLOGIES CO., LTD. 影響非晶硒平板探測器的圖像質(zhì)量的因素 ? X線轉(zhuǎn)換成電信號完全依賴于非晶硒層產(chǎn)生的電子空穴對， DQE的高低取決于非晶硒產(chǎn)生的電荷能力。 ?由于早期非晶硒平板探測器制作工藝存在缺陷，大面陣探測器的穩(wěn)定性較差在市場占有率逐年減少， DR市場上主要以非晶硅平板探測器為主。 HONGXIN COMMUNICATION TECHNOLOGIES CO., LTD. 非晶硒平板探測器的優(yōu)缺點 ?優(yōu)點： 1. 轉(zhuǎn)換效率高 , 動態(tài)范圍廣； 2. 空間分辨率高； 3. 銳利度好； ?缺點： 1. 對 X線吸收率低，在低劑量條件下圖像質(zhì)量丌能徆好的保證，而加大 X線劑量，丌但加大病源射線吸收，且對 X光系統(tǒng)要求過高。 HONGXIN COMMUNICATION TECHNOLOGIES CO., LTD. 直接型 非晶態(tài)硒 ?美國 Hologic公司 Direct Ray產(chǎn)品指標 成像范圍 35cm x43cm 像素數(shù)量 3560x3072 像素尺寸 139μm 空間分辨率 成像時間 57s 曝光周期 30s 像素深度 14bit Sonialvision Snfire指標 成像范圍 43cm x43cm 像素數(shù)量 2880x2880 像素尺寸 150μm 空間分辨率 快速 R/F切換 像素深度 14bit ? 日本島津公司 HONGXIN COMMUNICATION TECHNOLOGIES CO., LTD. 間接型 非晶態(tài)硅 ① 閃爍體
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