【正文】 高速響應(yīng)型，集成前置放大器，響應(yīng)時間小于 50ns；為高速響應(yīng)探測器，集成了 50MHz 帶寬的前置放大器，用于紅外時間分辨測量，可直接接示波器使用，光敏面尺寸為 1mm，另有 和 可選，尺寸越小，響應(yīng)速度越快，最快可達到 ； HgCdTe 探測器的時間常數(shù)在 10～ 10 秒量級。 限制性： 由于碲鎘汞材料和基底軟而脆的特性，使器件的加工比較困難。赫以上。 25%。光導(dǎo)型探測器宜于做成單元或線列，由于信號讀出問題，不宜做成二維陣列。 2. 性能參數(shù) 光電池是固體光電器件中具有最大光敏面積的器件，它除用做探測器件外，還可作太陽能變換器 。 頻率特性優(yōu)于光電導(dǎo)探測器 ， 適宜于快速變化的光信號探測。已有報道用在 si襯底外延生長的 Ge制作金屬 半導(dǎo)體 金屬 (MSM)光電探測器。 5. 發(fā)展趨勢 SACMAPD 具有內(nèi)部增益大 、 靈敏度高 、 低噪聲和高增益帶寬積等優(yōu)點，在光通信系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用 。 GBL 由 4 周期超晶格組成。在 SACMAPD型 Ge/Si異質(zhì)結(jié)探測器中，頻率特性在大增益的情況下還受到雪崩建立時間的影響。目前在光電探測系統(tǒng)中廣為使用的多元非成像光電探測器多為四象限光電探測器件。 500μ m量程范圍內(nèi)精度可達5μ m。一般規(guī)律是尺寸越大的器件其分辨率越低，提高信噪比可以提高位置分辨率。 就列陣尺寸、均勻性和成本來說，對于一些長波紅外和極長波紅外焦平面列陣應(yīng)用，量子阱紅外光電探測器有優(yōu)勢。 使用低溫成核層技術(shù)和厚緩沖層材料生長技術(shù)在 Si上生長 InP。 參考文獻 [1] 李修乾 ，激光輻照碲鎘汞光電探測器實驗研究，國防科技大學(xué)畢業(yè)論文， 2021 年 [2] Wijewarnasuriya Priyalal S. Molecular beam epitaxy grown long wavelength infrared HgCdTe on pliant Si substrates［ J］ . Infrared Technology and Applications XXXII Proc of SPIE， 2021， 6206： 1111110. [3] 韓文 ， 曹麗云 ， 黃劍鋒 .PbS 薄膜的研究進展 .硅酸鹽通報 ， 2021， 27(4):744747 [4] 李國偉， PbS 紅外探測器的制備和性能研究，電子科技大學(xué)碩士論文， 2021 年 [5] ， ， ， et al. Effect of surface structure on photosensitivity in chemically deposited PbS thin films. Thin Solid Films. 2021， 389:301–306 [6] Rakesh K. Joshi， Aloke Kanjilal， . Sehgal. Solution grown PbS nanoparticle films. . Sci. 2021， 221:4347 [7] J. Pui?o， S. Tamulevicius， G. Laukaitis， et al. Growth of PbS thin films on silicon substrate by SILAR technique. Thin Solid Films， 2021， 403404:457461 [8] 褚君浩．窄禁帶半導(dǎo)體物理學(xué) [M]．北京：科學(xué)出版社， 2021： 210 [9] Ikuo Kanno， Shigeomin H， Yoshitaka K. Fast Response of InSb Schottky Detector[C]. 2021 American Institute of Physics. [10] S. Datta， T. Ashley， J. Brask， and et al. 85nm Gate Length Enhancement and Depletion Mode InSb Quantum Well Transistors for Ultra High Speed and Very Low Power Digitial Logic Applications[C]. 2021 International Conference on Electronics and Optoelectronics. [11] O. Nesher， I. Pivnik， E .Ilan， and et al. High Resolution 1280102415181。m。 具有量子效率高、暗電流低等優(yōu)點。 保持了四邊形結(jié)構(gòu)的性能優(yōu)點 ， 又有良好的線性度 ， 但面積較小 。 我國在 2021 年就研制出了一種四象限激光探測器組件 ， 并投入了生產(chǎn)中 采用的光電探測器為φ 6 mm 的 SiPIN 光電二極管芯片 ， 組件集成在一體積為 φ 23 25帶玻璃光窗的金屬管殼內(nèi)。 象限探測器 1. 工作原理 四象限光電探測器 實際由四個 光電探測器 構(gòu)成，每個 探測器 一個象限，目標(biāo)光信號經(jīng) 光學(xué)系統(tǒng) 后在 四象限光電探測器 上成像。另外，因為 p 型材料 無限厚時，探測度達到飽和。 在暗電流方面，光電倍增管和光電二極管最小，光電池不加 偏置時無暗電流，加反向偏置后暗電流也比光電倍增管和光電二極管大。 理論證明 ， 當(dāng)只有一種載流子引起碰撞電離時 ， 雪崩光電二極管的噪聲比較低 ， 它的增益帶寬積才比較大 。 Ge 被認為是代替材料 ， 因為它有適合于 m波長的帶隙 ， 間接帶隙 ， 直接帶隙 。而 下圖 是采用 P型單晶和磷擴散工藝，稱 n＋ p結(jié)構(gòu)。當(dāng)前， 1280 1024 元和 2048 2048 元的大規(guī)模 InSb 紅外焦平面陣列已相繼問世。光伏型探測器是當(dāng)前非常重要的另一種光子型探測器。 2021 年立陶宛 J. Pui?o 的等人在室溫和常壓下利用連續(xù)離子層吸附反應(yīng) (SILAR)在 Si 基片上制備硫化鉛薄膜，對薄膜的晶型、晶粒尺寸、微結(jié)構(gòu)、粗糙度與原子組成進行了詳細研究。瓦 ②本征吸收系數(shù)大 ， 樣品尺寸小。 ③易于制造多元器件。赫 。 2021 年印度的 Rakesh K. Joshi 等人利用 CBD 在玻璃、 SiO Si 基片上制備 PbS 納米薄膜，發(fā)現(xiàn)隨晶粒尺寸的減小，薄膜的光學(xué)帶隙增大。如果通過適當(dāng)?shù)膿诫s，使得半導(dǎo)體材料的不同區(qū)域分別具有 N 型 P 型的導(dǎo)電類型，在兩者的交接面處就形成了 PN 結(jié)。目前，人們努力進一步探索光電效應(yīng)、光熱效應(yīng)等的新現(xiàn)象及其在 InSb 紅外焦平面陣列和新型光電探測器件上的創(chuàng)新應(yīng)用。它的型號為 2DU 型。 Ge有達到高速性能的潛力 ， 因為它在電信波長有高的電子遷移率和高的光吸收系數(shù)。 所以要設(shè)法將雪崩管中的耗盡層分為吸收漂移區(qū)和高場倍增區(qū) ， 讓入射光盡量在漂移區(qū)中被吸收而產(chǎn)生初始光生電子空穴對 ， 然后只讓其中 一種類型的載流子進入高場強區(qū)域產(chǎn)生倍增。 長期工作的穩(wěn)定性 方面：以光電二極管、光電池為最好，其次是光電倍增管與光電三極管。 3. 使用條件 以 Ge/Si 異質(zhì)結(jié)光電探測器為例： 降低 Ge外延層、特別是 Ge 緩沖層的位錯密度可以有效的降低器件的暗電流 。一般將 四象限光電探測器 置于 光學(xué)系統(tǒng) 焦平面 上或稍離開 焦平面 。通過調(diào)節(jié)增益控制端的電壓可以使光電探測器組件的響應(yīng)度在 102 ～ 104 V/W之間變化 ， 從而可使組件動態(tài)范圍在萬倍以上。 直角形電極 光敏面周邊帶直線形邊界 ，并帶了電阻邊框。 3. 使用條件 雖然量子阱紅外光電探測器是光電導(dǎo)體，但它具有高阻抗和低功耗，容易與低溫讀出電路匹配。量子阱紅外焦平面探測器未來最有潛力的發(fā)展方向是空間軍事應(yīng)用，如多色（ 4 色），超長波（ 14～ 16181。m Pith Compact InSb IR Detector with onchip ADC[C]. 2021 International Symposium on Photoelectronic Detection and Imaging. [12] 鄭鑫 ，銻化銦探測器在波段外連續(xù)激光輻照下的效應(yīng)研究，國防科技大學(xué)碩士論文， 2021年 [13] 張瑋 ， 楊景發(fā) ， 閆其庚，硅光電池特性的實驗研究，實驗技術(shù)與管理第 26 卷第 9 期， 2021 年 9 月 [14] Goldberg A C. Development of a dualband LWIR/LWIR QWIP focal plane array［ J］ . Infrared Detectors and Focal Plane Arrays VII Proceedings of SPIE， 2021， 5783： 312325. [15] Guimond Y. Multiband infrared detectors based on IIIVmaterials［ J］ . Infrared Spaceborne Remote Sensing XII Proc of SPIE， 2021， 5543： 312327. [16] 雷肇棣 ， 光電探測器原理及應(yīng)用 ， PHYSICS 1994年 04期 [17] Kang Y M， Liu H D， Morse M， Paniccia Mario J， Zadka M， Litski S， Sarid G， Pauchard A，Kuo Y H， Chen H W 2021 Nature Photonics 247 1 [18] Xue H Y， Xue C L， Cheng B W 2021 ． B 18 2542 [19] 莫秋燕、趙彥立，光通信用雪崩光電二極管 ( APD) 頻率響應(yīng)特性研究，物理學(xué)報 Acta Phys． Sin． ， ( 2021) 072902 [20] 劉興新，碲鎘汞雪崩光電二極管在激光雷達上的應(yīng)用，激光與紅外， 2021 年 6 月 [21] 劉興新，碲鎘汞雪崩光電二極管發(fā)展現(xiàn)狀［ J］， 激光與紅外， （ 9）： 909193 [22] 李曉軍、尹長松，半導(dǎo)體光電探測器及進展，半導(dǎo)體雜志第 22 卷 2 期， 1997 年 6 月 [23] 王輝 、 楊型健 、 劉淑平 ，異質(zhì)結(jié)光電探測器的性能研究，紅外 Infrared， 2021年 12期 [24] Yin， T.， Cohen， R.， e