常用半導(dǎo)體器件場效應(yīng)管及應(yīng)用-展示頁
2025-05-27 03:11本頁面
【正文】 —— 長度、 寬度 、摻雜 P+ P+ 反偏的 PN結(jié) (柵源極反偏 ) —— 反偏電壓 控制耗盡層 結(jié)構(gòu)特點 : 空間電荷區(qū)（耗盡層） 柵極 G(g) 結(jié)構(gòu)與符號 結(jié)型場效應(yīng)管 (JFET) N 箭頭向內(nèi)表示 N溝道 g d s P+ N P+ 耗盡層 g d s P+ N P+ g d s P+ N P+ 一、 JEFT 工作原理 ① UGS對溝道的控制作用（ UDS=0） ② UDS對溝道的影響（ 0UGSUGS(off)） ? UGS=0 ? UGS(OFF)UGS＜ 0 ? UGS= UGS(OFF) |UGS | 增加 ?耗盡層 加厚 ?溝道 變窄 ?溝道電阻 增大 （注意：對 NJEFT,UGS0，柵源極反偏） 全夾斷（夾斷電壓） ② uDS對溝道的影響 （ 0UGSUGS(OFF)） g d s P+ N P+ g d s P+ N P+ ? UDS? ? ID ?， GD間 PN結(jié)的 反向電壓 增加 ,使靠近漏極處的耗盡層 加寬 ,呈楔形分布（ 可變電阻 ）。僅靠 一種 （而非 兩種 ）多數(shù)載流子（漂移）導(dǎo)電，又稱 單極性 晶體管； 從參與導(dǎo)電的載流子來劃分，它有電子作為載流子的 N溝道 器件和空穴作為載流子的 P溝道 器件。模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 北京航空航天大學(xué)儀器科學(xué)與光電工程學(xué)院 主講 ：趙建輝 第一章 常用半導(dǎo)體器件 ( ) 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識 半導(dǎo)體二極管 雙極型晶體管 場效應(yīng)管 單結(jié)晶體管和晶閘管 集成電路中的元件 第 1章 常用半導(dǎo)體器件 本節(jié)課內(nèi)容 ?自學(xué) ,不要求 場效應(yīng)管 (FET) 重點 ： 場效應(yīng)管結(jié)構(gòu)、放大 原理 、 特性曲線 。 難點 ： 電流溝道 重點難點 結(jié)型場效應(yīng)管 (JFET) 絕緣柵型場效應(yīng)管 (MOSFET) 場效應(yīng)管主要參數(shù) 場效應(yīng)管與晶體管的比較 場效應(yīng)管 (FET,Feiled Effictive Trsnsister) 利用輸入回路 電壓 控制輸出回路 電流 的半導(dǎo)體器件（ 壓控器件 ）。 特點： 輸入電阻高： 107~1012 ? ； 體積小、重量輕、壽命長、噪聲低、 熱穩(wěn)定性 好， 抗輻射 能力強、低功耗，易加工。 ? UGD=VGS(OFF) 時，在靠 漏極 處出現(xiàn) 預(yù)夾斷
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