[工學(xué)]第1講導(dǎo)言常用半導(dǎo)體器件一-展示頁(yè)
2025-01-28 11:45本頁(yè)面
【正文】 濃度按近似指數(shù)曲線升高，導(dǎo)電性能很差 13 二、雜質(zhì)半導(dǎo)體 在本征半導(dǎo)體中摻入少量合適的雜質(zhì)元素， 改變導(dǎo)電特性 1. N型半導(dǎo)體 5?磷（ P） 雜質(zhì)半導(dǎo)體主要靠多數(shù)載流子導(dǎo)電。 熱力學(xué)溫度 0K時(shí)不導(dǎo)電。 運(yùn)載電荷的粒子稱為 載流子 。 9 本征半導(dǎo)體的晶體結(jié)構(gòu) 本征半導(dǎo)體 ：純凈的具有晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體 Ge Si 晶格 ：晶體中原子在空間形成排列整齊的點(diǎn)陣 10 由于熱運(yùn)動(dòng)，具有足夠能量的價(jià)電子掙脫共價(jià)鍵的束縛而成為 自由電子 (帶負(fù)電 ) 自由電子的產(chǎn)生使共價(jià)鍵中留有一個(gè)空位置，稱為 空穴（ 帶正電 ） 共價(jià)鍵 本征半導(dǎo)體中的兩種載流子 電子與空穴成對(duì)出現(xiàn)，在電場(chǎng)下可以定向移動(dòng)，形成電子電流和空穴電流 11 兩種載流子 外加電場(chǎng)時(shí)，帶負(fù)電的自由電子和帶正電的空穴均參與導(dǎo)電，且運(yùn)動(dòng)方向相反。 往純凈的半導(dǎo)體中摻入某些雜質(zhì)，會(huì)使它的導(dǎo)電能力明顯改變。 8 半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理不同于其它物質(zhì)，所以它具有不同于其它物質(zhì)的特點(diǎn)。 絕緣體－－惰性氣體、橡膠等，其原子的最外層電子受原子核的束縛力很強(qiáng)，只有在外電場(chǎng)強(qiáng)到一定程度時(shí)才可能導(dǎo)電。 4 教學(xué)內(nèi)容與要求（ 32學(xué)時(shí) +實(shí)驗(yàn) 16學(xué)時(shí)） 學(xué)分： 第一章 常用半導(dǎo)體器件 （ 4學(xué)時(shí)） 第二章 基本放大電路 （ 8學(xué)時(shí)） 第三章 多級(jí)放大電路 （ 4學(xué)時(shí)） 第四章 集成運(yùn)算放大電路、信號(hào)的運(yùn)算和處理 （ 4學(xué)時(shí)） 第五章 放大電路中的反饋 （ 4學(xué)時(shí)） 第六 章 波形的發(fā)生和信號(hào)的轉(zhuǎn)換 （ 2學(xué)時(shí)） 第七章 功率放大電路 （ 2學(xué)時(shí)） 第八章 直流電源 （ 2學(xué)時(shí)） 5 參考書(shū)目 1. 《 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 》 （第三版）清華大學(xué)電子學(xué)教研組編，童詩(shī)白、華成英主編，高等教育出版社， 2022 2. 《 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 》 典型例題及習(xí)題解答 王正奎編著 聊大 3. 《 模擬電子技術(shù)簡(jiǎn)明教程 》 華成英主編，清華大學(xué)出版社2022 4. 《 模擬電子技術(shù)簡(jiǎn)明教程 》 （第二版）清華大學(xué)電子學(xué)教研組編，楊素行主編，高等教育出版社 ， 1998 5. 《 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 》 ，華中理工大學(xué)電子學(xué)教研室編，陳大欽主編，高等教育出版社， 2022 6. 《 電子技術(shù)基礎(chǔ) 》 （模擬部分）第四版，華中理工大學(xué)電子學(xué)教研室編，康華光主編：高等教育出版社， 1999 7. 《 模擬電子技術(shù)常見(jiàn)題型解析及模擬題 》 張疇先 主編，西北工業(yè)大學(xué)出版社 6
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