igbt的用途及參數(shù)和接線-展示頁
2024-09-17 01:09本頁面
【正文】 這樣的方法來減小功率電路的電感。= T/3 = 1/3fz），適用中功率器件。 RC 為時間常數(shù)，設(shè)為開關(guān)周期 1/3（即 amp。 圖1A 僅有一個低電感量的電容器組成，對小功率一單元模塊，可接在 C 和 E 之間，對 ****一封裝模塊可接 P 和 N 之間，對減小瞬變電壓有效、簡單、成本低、適用小功率器件。 緩沖 電路形式用以控制關(guān)斷浪涌電壓和恢復(fù)浪涌電壓，以減少模塊的開關(guān)損耗及瞬時過電壓值而采用的。 恢復(fù)浪涌電壓續(xù)流二極管是為當 IGBT 下臂關(guān)斷，電感性電流就可在上臂續(xù)流管提供通路，（這時處正向?qū)ǎ鼘p小 di/dt 值，防止產(chǎn)生過電壓。mdash。 關(guān)斷浪涌電壓在關(guān)斷瞬時流過 IGBT的電流，被切斷時而產(chǎn)生的瞬時電壓。 IGBT 發(fā)展趨向是高耐壓、大電流、高速度、低壓降、高可靠、低成本為目標的，特別是發(fā)展高壓變 頻器的應(yīng)用，簡化其主電路，減少使用器件，提高可靠性，降低制造成本，簡化調(diào)試工作等，都與 IGBT有密切的內(nèi)在聯(lián)系，所以世界各大器件公司都在奮力研究、開發(fā)，予估近 23年內(nèi)，會有突破性的進展。mdash。實質(zhì)是個復(fù)合功率器件，它集雙極型功率晶體管和功率 MOSFET 的優(yōu)點于一體化。 （ NPT結(jié)構(gòu)），電流可達 ，是較為理想的功率模塊。問世迄今有十年多歷史，幾乎已替代一切其它功率器件，例 SCR、 GTO、 GTR、 MOSFET，雙極型達林頓管等 ,目今功率可高達 1MW的低頻應(yīng)用中，單個元件電壓可達 （ PT結(jié)構(gòu)） amp。IGBT的用途 及 參數(shù)和接線 IGBT 主要用途 IGBT是先進的第三代功率模塊，工作頻率 120KHZ，主要應(yīng)用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路，即 DC/AC 變換中。例電動汽車、伺服控制器、 UPS、開關(guān)電源、斬波電源、無軌電車等。mdash。追其原因是第三代 IGBT模塊，它是電壓型控制，輸入阻抗大，驅(qū)動功率小，控制電路簡單，開關(guān)損耗小，通斷速度快，工作頻率高，元件容量大等優(yōu)點。又因先進的加工技術(shù)使它通態(tài)飽和電壓低，開關(guān)頻率高（可達 20KHZ），這兩點非常顯著的特性，最近西門子公司又推出低飽和壓降（ ）的 NPTamp。IGBT 性能更佳，相繼東芝、富士、 IR、摩托羅拉亦已在開發(fā)研制新品種。目今已有適用于高壓變頻器的有電壓型 HVIGBT， IGCT，電流型 SGCT等。它是因帶電動機感性負載（ L）及電路中漏電感（ Lp），其總值 L＊ p = L + Lp則 Vp＊ = Vce + Vp而 Vp = L＊ p di/dt在極端情況下將產(chǎn)生 Vp＊ Vces（額定電壓）導(dǎo)致器件的損壞發(fā)生，為此要采取盡可能減小電感（ L），電路中的漏電感（ Lp） amp。由器件制造結(jié)構(gòu)而定，例合理分布，縮短到線長度，適當加寬減厚等。但又當下臂導(dǎo)通時，續(xù)流二極管反向恢復(fù)，變?yōu)樨撝刀P(guān)斷，電流將要下降為零值，因 Lp存在要產(chǎn)生浪涌電壓，阻止電流的下降，尤其當使用硬恢復(fù)二極管時，將產(chǎn)生較高的反向恢復(fù) di/dt 值，可導(dǎo)致很高的瞬時電壓出現(xiàn)。雖然 IGBT 具有強大的開關(guān)安全工作區(qū)，但需控制瞬時電壓值，而緩沖電路在每次開關(guān)循環(huán)中都可通過 IGBT 放電，故有一定功耗產(chǎn)生，但能確
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