igbt管的結構與工作原理-展示頁
2024-09-17 01:08本頁面
【正文】 柵源電壓受最大漏極電流限制，其最佳值一般取為 15V 左右。它與MOSFET 的轉移特性相同 ，當柵源電壓小于開啟電壓 Ugs(th) 時， IGBT 處于關斷狀態(tài)。如果無N+ 緩沖區(qū)，則正反向阻斷電壓可以做到同樣水平，加入 N+緩沖區(qū)后，反向關斷電壓只能達到幾十伏水平，因此限制了 IGBT 的某些應用范圍。它與 GTR 的輸出特性相似．也可分為飽和區(qū) 1 、放大區(qū) 2 和擊穿特性 3 部分。 IGBT 的伏安特性是指以柵源電壓 Ugs 為參變 量時，漏極電流與柵極電壓之間的關系曲線。當 MOSFET 的溝道形成后，從 P+ 基極注入到 N 一層的空穴（少子），對 N 一層進行電導調制，減小 N 一層的電阻，使 IGBT 在高電壓時，也具 有低的通態(tài)電壓。反之，加反向門極電壓消除溝道，流過反向基極電流，使 IGBT 關斷。附于漏注入區(qū)上的電極稱為漏極。在漏、源之間的 P 型區(qū)（包括 P+ 和 P 一區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成），稱為亞溝道區(qū)（ Subchannel region ）。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵極。IGBT管的結構與工作原理 的結構與工作原理 圖 1 所示為一個 N 溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結構， N+ 區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極。 N+ 區(qū)稱為漏區(qū)。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。而在漏區(qū)另一側的 P+ 區(qū)稱為漏注入區(qū)（ Drain injector ），它是 IGBT 特有的功能區(qū)，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成 PNP 雙極晶體管，起發(fā) 射極的作用，向漏極注入空穴，進行導電調制，以降低器件的通態(tài)電壓。 IGBT 的開關作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP 晶體管提供基極電流，使 IGBT 導通。 IGBT 的驅動方法和 MOSFET 基本相同，只需控制輸入極 N一溝道 MOSFET ，所以具有高輸入阻抗特性。 的
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