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正文內(nèi)容

畢業(yè)設(shè)計(jì)141多功能手機(jī)充電器的研制-文庫(kù)吧資料

2024-12-08 13:22本頁(yè)面
  

【正文】 032H) =FFH 聲明為 12V 編程電壓。 讀片內(nèi)簽名字節(jié): AT89C52 單片機(jī)內(nèi)有 3個(gè)簽名字節(jié),地址為 030H、 031H 及 032H的正常檢驗(yàn)相仿,只返回值意義如下: ( 030H) =1EH 聲明由 ATMEL 公司制造。加密位不可直接校驗(yàn),加密位的校驗(yàn)可通過(guò)對(duì)存儲(chǔ)器的校驗(yàn)和寫入狀態(tài)來(lái)驗(yàn)證。編程完成后, 變?yōu)楦唠娖奖硎緶?zhǔn)備就緒狀態(tài)。寫周期完成后,所輸出的數(shù)據(jù)是有效的數(shù)據(jù),即可進(jìn)入下一個(gè)字節(jié)的寫周期,寫周期開(kāi)始后, Data 非 Palling 可能隨時(shí)有效。重復(fù) 1—5 步驟,改變編程單元的 地址和寫入的數(shù)據(jù),直到全部文件編程結(jié)束。 5,每對(duì) Flash 存儲(chǔ)陣列寫入一個(gè)字節(jié)或每寫入一個(gè)程序加密位,加上一個(gè)ALE/PROG 非編程脈沖。 3,激活相應(yīng)的控制信號(hào)。 編程方法 : 22 編程前,須按表 9和圖 11 所示設(shè)置好地址、數(shù)據(jù)及控制信號(hào), AT89C52 變成方法如下: 1,在地址線上加上要編程單元的地址信號(hào)。低電壓編程模式適合于用戶在線編程系統(tǒng),而高電壓編程模式可與通用 EPROM 編程器兼容。 Flash 存儲(chǔ)器的編程 : AT89C52 單片機(jī)內(nèi)部有 8k 字節(jié)的 FlashPEROM, 這個(gè) Flash 存儲(chǔ)陣列出廠時(shí)已處于擦除狀態(tài)(即所有存儲(chǔ)單元的內(nèi)容均為 FFH),用戶隨時(shí)可對(duì)其進(jìn)行編程。為使單片機(jī)能正常工作,被鎖存的 EA 非電平值必須與該引腳當(dāng)前的邏輯電平一致。 空閑和掉電模式下,個(gè)端口引腳狀態(tài)如表 6 所示。 由硬件復(fù)位終止空閑狀態(tài)只需兩個(gè)機(jī)器周期有效復(fù)位信號(hào),在此狀態(tài)下,片內(nèi)硬件禁止訪問(wèn)內(nèi)部 RAM,但可以訪問(wèn)端口引腳,當(dāng)用復(fù)位終止空閑方式時(shí),為避免可能對(duì) 端口產(chǎn)生意外寫入,激活空閑模式的那條指令后一條指令不應(yīng)是一條對(duì)端口或外部存儲(chǔ)器的寫入指令。此時(shí),同時(shí)將片內(nèi) RAM 和所有特殊功能寄存器的內(nèi)容凍結(jié)。但最小高電平持續(xù)時(shí)間和最大的低電平儲(chǔ)蓄時(shí)間應(yīng)符合產(chǎn)品技術(shù)條件的要求。這種情況下,外部時(shí)鐘脈沖接到 XTAL1 端,即內(nèi)部時(shí)鐘發(fā)生器的輸入端, XTAL2 則懸空。 用戶也可以采用外部時(shí)鐘。對(duì)外接電容 C C2 雖然沒(méi)有十分嚴(yán)格的要求,但電容容量的大小會(huì)輕微影響振蕩頻率的高低、振蕩器工作的穩(wěn)定性、起振的難易程序及溫度穩(wěn)定性,如果使用石英晶體,我們推薦電容使用 30pF177。這個(gè)放大器與作為反饋元件的片外石英晶體 或陶瓷諧振器一起構(gòu)成自激振蕩器,振蕩電路參見(jiàn)圖 10。在訪問(wèn)定時(shí)器 2 或 RCAP2 寄存器之前,應(yīng)將定時(shí)器關(guān)閉。因?yàn)榇藭r(shí)沒(méi)個(gè)狀態(tài)時(shí)間器都會(huì)加 1,對(duì)其讀寫將得到一個(gè)不確定的數(shù)值。所以,當(dāng)定時(shí)器 2 作為波特率發(fā)生器使用時(shí), T2EX 可作為附加 的外部中斷源來(lái)使用。在波特率發(fā)生器工作方式中, TH2 翻轉(zhuǎn)不能使 TF2置位,故而不產(chǎn)生中斷。 19 定時(shí)器 2 作為波特率發(fā)生器使用的電路入圖 7所示。定時(shí)器 2作為波特率發(fā)生器時(shí),與作為定時(shí)器的操作是不同的,通常作為定時(shí)器時(shí),在每個(gè)機(jī)器周期( 1/12 振蕩頻率)寄存器的值加 1,而作為波特率發(fā)生器使用時(shí),在每個(gè)狀態(tài)時(shí)間( 1/2 振蕩頻率)寄存器的值加 1。 波特率發(fā)生器的方式與自動(dòng)重裝 載方式相仿,在此方式下, TH2 翻轉(zhuǎn)使定時(shí)器 2的寄存器用 RCAP2H 和 RCAP2L 中的 16 位數(shù)值重新裝載,該數(shù)值由軟件設(shè)置。如果定時(shí) /計(jì)數(shù)器 2作為發(fā)送器或接收器,其發(fā)送和接收的波特率可以是不同的,定時(shí)器 1 用于其他功能,如圖 7所示 。 當(dāng)定時(shí) /計(jì)數(shù)器 2向上溢出或向下溢出時(shí),置位 EXF2 位。這種方式下, T2EX引腳控制計(jì)數(shù)器方向。這個(gè)脈沖使 EXF2 置位,如果中斷允許,同樣產(chǎn)生中斷。當(dāng) DCEN 置位時(shí),定時(shí)器 2即可向上計(jì)數(shù)也可向下計(jì)數(shù),這取決于 T2EX 引腳的值,參見(jiàn)表 5,當(dāng) DCEN=0 時(shí),定時(shí)器 2 自動(dòng)設(shè)置為向上計(jì)數(shù),在這種方式下, T2CON 中的 EXEN2 控制位有兩種選擇,若 EXEN2=0,定時(shí)器 2為向上計(jì)數(shù)至 0FFFFH 益處,置位 TF2 激活中斷,同時(shí)把 16 位 17 計(jì)數(shù)寄存器 RCAP2H 和 RCAP2L 重裝載, RCAP2H 和 RCAP2L 的值可由軟件設(shè)置。 自動(dòng)重裝載(向上或向下計(jì)數(shù)器)方 式 當(dāng)定時(shí)器 2 工作于 16 位自動(dòng)重裝載方式時(shí),能對(duì)其編程為向上或向下計(jì)數(shù)方式,這個(gè)功能可通過(guò)特殊功能寄存器 T2CON(見(jiàn)表 5)的 DDCEN 位(允許向下計(jì)數(shù))來(lái)選擇的。另外, T2EX 引腳信號(hào)的跳變使得 T2CON 中的 EXF2 置位,與 TF2 相仿, EXF2 也會(huì)激活中斷。如果 EXEN2=0,定時(shí)器 2是一個(gè) 16 位定時(shí)器或計(jì)數(shù)器,計(jì)數(shù)益處時(shí),對(duì) T2CON 的益處標(biāo)志 TF2置位,同時(shí)激活中斷。為確保采樣的正確性,要求輸入的電平在變化前至少保持一個(gè)完整周期的時(shí)間,以保證輸入信號(hào)至少 被采樣一次。若在第一個(gè)機(jī)器周期中采到的值為 1,而在下一個(gè)機(jī)器周期采到的值為 0,則在緊跟著的下一個(gè)周期的 S3P1 期間寄存器加 1。定時(shí)器 2有三種工作方式:捕獲方式,自動(dòng)重裝載(向上或向下計(jì)數(shù))方式和波特率發(fā)生器方式,工作方式由 T2CON 的控制位來(lái)選擇,參見(jiàn)表 4 定時(shí)器 2由兩個(gè) 8位寄存器 TH2 和 TL2 組成,在定時(shí)器工作方式中,每個(gè)機(jī)器周期 TL2 寄存器的 值加 1,由于一個(gè)機(jī)器周期由 12 個(gè)振蕩時(shí)鐘構(gòu)成,因此,計(jì)數(shù)速率為振蕩頻率的 1/12。 16 定時(shí)器 2: 定時(shí)器 2是一個(gè) 16位定時(shí) /計(jì)數(shù)器。 MOV RO,data 堆棧操作也是間接尋址方式,所以,高 128 位數(shù)據(jù) RAM 亦可作為堆棧區(qū)使用。 例如,下面的直接尋址指令訪問(wèn)特殊功能寄存器 0A0H(既 P2口)地址單元。 當(dāng)一條指令訪問(wèn) 7FH 以上是內(nèi)部地址單元時(shí),指令中使用的尋址方式是不同的,也即尋址方式是訪問(wèn)高 128 字節(jié) RAM 還是訪問(wèn)特殊功能寄存器。 15 中斷寄存器: AT89C52 有 6個(gè)中斷源, 2個(gè)中斷優(yōu)先級(jí), IE 寄存器控制各中斷位, IP寄存器中6 個(gè)中斷源的每一個(gè)可定為 2 個(gè)優(yōu)先級(jí)。 AT89C52 除了與 AT89C51 所有的定時(shí) /計(jì)數(shù)器 0和定時(shí) /計(jì)數(shù)器 1外,還增加了一個(gè)定時(shí) /計(jì)數(shù)器 2。對(duì)沒(méi)有定義的單元讀寫將是無(wú)效的,讀出的數(shù)值將不確定,而寫入的數(shù)據(jù)也將丟失。 特殊功能寄存器 : 在 AT89C52 片內(nèi)存儲(chǔ)器中, 80HFFH 共 128個(gè)單元為特殊功能寄存器( SFE), SFR的地址空間如表 2所示。 *XTAL1:振蕩器反相放大器的及內(nèi)部時(shí)鐘發(fā)生的輸入端。 如 EA 端為高電平(接 Vcc 端), CPU 則執(zhí)行內(nèi)部程序存儲(chǔ)器中的指令。欲使 CPU 僅訪問(wèn)外部程序存儲(chǔ)器(地址為 0000H— FFFFH), EA 非 端必須保持低電平(接地)。在此期間,當(dāng)訪問(wèn)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器,將跳過(guò)兩次 PSEN 非 信號(hào)。此外,該引腳會(huì)被微弱拉高,單片機(jī)執(zhí)行外部程序時(shí),應(yīng)設(shè)置 ALE 禁止位無(wú)效。 對(duì) Flash 存儲(chǔ)器編程期間,該引腳還用于輸入編程脈沖 如有必要,可通過(guò)對(duì)特殊功能寄存器( SFR)區(qū)中的 8EH 單元的 D0置位,可禁止ALE 操作。一般情況下, ALE 仍以時(shí)鐘振蕩頻率的 1/6 輸出固定的脈沖信號(hào),因此它可對(duì)外輸出時(shí)鐘或用于定時(shí)目的。當(dāng)振蕩器工作時(shí), RST 引腳兩個(gè)機(jī)器周期以上高電平將使單片機(jī)復(fù)位。 P3口除了作為一般的 I/O 口線外,更重要的用途上它的第二功能,如下表所示 端口引腳 第二功能 (串行輸入口) (串行輸出口) (外中斷 0) (外中斷 1) T0(定時(shí)計(jì)數(shù)器 0) T1(定時(shí) /計(jì)數(shù)器 1) 13 (外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器寫選通) (外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器讀選通 ) 此外, P3 口還接收一些用于 Flash 閃速存儲(chǔ)器變成和程序校驗(yàn)的控制信號(hào)。對(duì) P3口寫入“ 1”時(shí),它們被內(nèi)部上拉電阻拉高并可作為輸入端口。 *P3 口: P3 口是一組帶有內(nèi)部上拉電阻的 8位雙向 I/O 口。在訪問(wèn) 8位地址的外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器(如執(zhí)行 MOVXRI指令)時(shí), P2 口輸出 P2 鎖存器的內(nèi)容。對(duì)端口 P2 寫“ 1”,通過(guò)內(nèi)部的上拉電阻把端口拉到高電平,此時(shí)可作輸入口,做輸入口使用時(shí),因?yàn)閮?nèi)部存在上拉電阻,某個(gè)引腳被外部信號(hào)拉低時(shí)會(huì)輸出一個(gè)電流( I)。 與 AT89C51 不同之處是, 和 還可分別作為定時(shí) /計(jì)數(shù)器 2 的外部 計(jì)數(shù)輸入( )和輸入( ),參見(jiàn)表 1 表 1 Flash 編程和程序校驗(yàn)期間, P1 接收 8 位地址。對(duì)端口寫“ 1”,通過(guò)內(nèi)部上拉 電阻把端口拉到高電平,此時(shí)可作輸入口。 在 Flash 程序時(shí), P0 口接收指令字節(jié),而在程序校驗(yàn)時(shí),輸出指令字節(jié),在校驗(yàn) 12 時(shí),要求外接上拉電阻。作為輸出口用時(shí),每位能吸收電流的方式驅(qū)動(dòng) 8個(gè) TTL 邏輯門電路,對(duì)端口P0 寫“ 1”時(shí),可作為高阻抗輸入端用。掉電方式保存 RAM 中的內(nèi)容,但振蕩器停止工作并禁止其它所有部件工作直到下一個(gè)硬件復(fù)位。同時(shí), AT89C52 可降至 0Hz 的靜態(tài)邏輯操作,并支持兩種軟件可選的節(jié)電工作模式。 9 第三章 控制系統(tǒng)的硬件結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì) 的介紹和特性 AT89C52 是美國(guó) ATMEL 公司生產(chǎn)的低電壓,高性能 CMOS8 位單片機(jī),片內(nèi)含 8k bytes 的可反復(fù)擦寫的只讀程序存儲(chǔ)器( PEROM)和 256bytes 的隨機(jī)存取數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器( RAM),器件采用 ATMEL 公司的高密度、非易失性存儲(chǔ)技術(shù)生產(chǎn),與標(biāo)準(zhǔn) MC51指令系統(tǒng)及 8052 產(chǎn)品引腳兼容,片內(nèi)置通用 8位處理器( CPU)和 Flash 存儲(chǔ)單元,功能強(qiáng)大 AT89C52 單片機(jī)使用于多較為復(fù)雜控制應(yīng)用場(chǎng)合。C 的汽車級(jí)溫度范圍,采用表貼、 16引腳 TQFN 封裝。 MAX5080/MAX5082 可工作在 40176。器件內(nèi)部 MOSFET 具有低 RDS(ON),低工作電流以及低開(kāi)關(guān)損耗,電源轉(zhuǎn)換效率可高達(dá) 90%。 為了使器件在輕載狀態(tài)下也能維持較高的效率, MAX5080/MAX5082 可自動(dòng)切換到脈沖跳頻模式。器件采用外部補(bǔ)償,極 大增強(qiáng)了設(shè)計(jì)的靈活性。微型 5mm x 5mm TQFN封裝有助于設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)緊湊的電源。 MAX5080/MAX5082 內(nèi)部高邊開(kāi)關(guān),可分別提供高達(dá) 和 的輸出電流。應(yīng)用。 Maxim Integrated Products (NASDAQ: MXIM)推出針對(duì)汽車和工業(yè)電源應(yīng)用中寬電壓輸入范圍設(shè)計(jì)的 MAXPower、 高壓、 降壓轉(zhuǎn)換 MAX5080/MAX5082 。另外,太陽(yáng)能充電器配有內(nèi)置電池,在沒(méi)有陽(yáng)光的條件下可以直接為 39V 的手機(jī), DV,數(shù)碼相機(jī), MP3,收音機(jī),對(duì)講機(jī)等提供電 。 WD2850 萬(wàn)能 充電器可用 110V220V 交流電,太陽(yáng)能充電器,汽車點(diǎn)煙器對(duì)所有型號(hào)的手機(jī)充電。為能向 220VAC 的電器提供電能,需要將太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)所發(fā)出的直流電能轉(zhuǎn)換成交流電能,因此需要使用 DCDC 逆變器。 8 (四)逆變器:在很多場(chǎng)合,都需要提供 220VAC、 110VAC 的交流電源。其他附加功能如光控開(kāi)關(guān)、時(shí)控開(kāi)關(guān)都應(yīng)當(dāng)是控制器的可選項(xiàng); (三)蓄電池:一般為鉛酸電池,小微型系統(tǒng)中,也可用鎳氫電池、鎳鎘電池或鋰電池。太陽(yáng)能電池板的質(zhì)量和成本將直接決定整個(gè)系統(tǒng)的質(zhì)量和成本; (二)太陽(yáng)能控制器:太陽(yáng)能控制器的作用是控制整個(gè)系統(tǒng)的工作狀態(tài),并對(duì)蓄電池起到過(guò)充電保護(hù)、過(guò)放電保護(hù)的作用。各部分的作用為: (一)太陽(yáng)能電池板:太 陽(yáng)能電池板是太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)中的核心部分,也是太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)中價(jià)值最高的部分。 太陽(yáng)能電池的選擇 太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)由太陽(yáng)能電池組、太陽(yáng)能控制器、蓄電池(組)組成。 5 表 1 基本鋰電池充電芯片 型號(hào) 可充鎳鎘 /鎳氫電池?cái)?shù) 可充鋰電池?cái)?shù) 充電速率 結(jié)束方式 MAX1879 —— 1 快速 電流限制, 最大充電時(shí)間 最大電壓 MA1898 —— 1 快速 /預(yù)充 /可調(diào) 充電時(shí)間 用戶設(shè)置 MAX1925 —— 1 快速 /預(yù)充 /可調(diào) 充電時(shí)間 用戶設(shè)置 電壓 /電流限制 MAX745 14 14 可調(diào) 電壓 /電流限制 MAX1501 3 1 快速 /預(yù)充 /可調(diào) 充電時(shí)間 MAX1737 —— 14 可調(diào) 電壓 /電流限制 充電時(shí)間 MAX1757 —— 13 可調(diào) 電壓 /電流限制 充電時(shí)間 表 2 基本鎳氫充電芯片 型號(hào) 可充鎳鎘 /鎳氫電池?cái)?shù) 可充鋰電池?cái)?shù) 充電速率 結(jié)束方式 MAX1501 3 1 快速 /預(yù)充 /可調(diào) 充電時(shí)間 用戶設(shè)置 MAX1535 18 14 數(shù)字編程 /預(yù)充/可調(diào) 由電池決定 MAX 23 —— 慢充 最大充電 6 1613 時(shí)間 MAX1641 216 16 快速 /可調(diào) 電壓 / 電流限制 表
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