第十九章納米表面工程ppt-文庫吧資料
2025-03-18 01:40本頁面
【正文】 Microwaves 107 104 101 102 105 108 1011 l (?m) l (nm) Violet Blue Green Yellow 390 455 492 577 622 770 597 Orange Red 103 102 101 100 101 102 103 l (?m) Soft Xray Ultraviole Light SWIR MWIR LWIR Milliwaves Ultrasonic Electromagic Spectra 靜夜四無鄰，荒居舊業(yè)貧。其研究有助于達(dá)到表面的優(yōu)化設(shè)計(jì)和有效控制。 ?宏觀環(huán)境中納米、介觀體系的行為和作用。如體相材料表面原子排布對單晶格、超晶格和納米超薄膜的生長及性能有何影響。 宏觀、介觀及微觀一體化研究 ?介觀環(huán)境中微觀粒子的行為和作用。 我國 SPM系統(tǒng)在 AuPd合金膜表面上機(jī)械刻畫出的最小線寬為25nm。 最鄰近硅原子間的距離為。利弗莫爾國家實(shí)驗(yàn)室、 SVGL公司 日本的尼康公司 荷蘭的 ASML公司 ** 德國的 Carl Zeiss公司 美國的勞倫斯 再下一代光刻技術(shù)， **126nm曝光。 襯底硅 光刻 SiO2膜 光致抗蝕劑 掩模版 襯底硅 紫外光 (193nm) 涂光致抗蝕劑 曝光 顯影 襯底硅 腐蝕 襯底硅 去膠 襯底硅 SiO2 光刻 技術(shù) 當(dāng)前的光刻技術(shù)，采用 193nm曝光波長，可實(shí)現(xiàn)大于100nm線寬的圖形。 （ 3）納米結(jié)構(gòu)表層的組織與性能的關(guān)系。 目前表面納米化的研究還處在起步階段，要實(shí)現(xiàn)其工業(yè)用，需解決以下問題： （ 1）加工工藝、參數(shù)及材料的組織、結(jié)構(gòu)和性能對納米化的影響。 2)非平衡熱力學(xué)法 將材料快速加熱使其表面熔化或相變溫度，再急劇冷卻，通過動力學(xué)控制來提高形核率，抑制晶粒長大速率，從而在材料的表面獲得納米晶組織。 （ 3）隨著溫度升高，表面具有高儲能的組織發(fā)生再結(jié)晶，形成納米晶粒。其過程包括： （ 1）表面產(chǎn)生大量缺陷，如位錯(cuò)、孿晶、層錯(cuò)、剪切帶。 主要方法： 1）表面機(jī)械加工處理法和 2）非平衡熱力學(xué)法。 UHV STM image of three C60 molecules chemisorbed at missing dimer defects on a Si(100)2x1 surface. 10nm scan. 表面自身納米化 —— 對于多晶材料采用非平衡的處理方法增加材料的表面自由能，是粗晶組織逐漸細(xì)化至納米量級。 1 2 3 4 5 6 3 4 5 O2 (H2, C3H6, C3H8) , , , , , , . 火焰噴射槍剖面圖 1 2 4 3 5 6 7 8 9 2 在電沉積液中 0Dn或 1Dn，達(dá)到組裝 NC的目的。除去 CH3OH和液氮介質(zhì)后， 0Dn會因自身的靜電引力自行團(tuán)聚成微米級的納米結(jié)構(gòu)喂料。 通過機(jī)械研磨、機(jī)械合金、高能球磨等方法直接將微米粉或非晶金屬箔加工成 NF。 液相分散噴霧合成法，原位生成噴霧合成法，機(jī)械研磨合成法。 將氣液界面上的單分子層的膜通過物理機(jī)械過程轉(zhuǎn)移到固體基片上。 納米智能薄膜 : 空隙可隨條件的變化或根據(jù)靠近的分子特征而開閉。 “分子篩” : 空隙只允許一定尺寸的分子通過。 Cu/Ni, Cu/Pd, Cu/Al, Ni/Mo, TiN/VN, TiC/W, TiN/AlN, ZnO/YSZ/ZnO/YSZ/ZnO, …. YSZ (yttriumstabilized ZrO2) bicrystal ZnO/YSZ/ZnO/YSZ/ZnO internal films.?V. Roddatis, Journal of Crystal Growth 220 (2023) 51552
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