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半導(dǎo)體工藝過程-文庫吧資料

2025-03-05 04:34本頁面
  

【正文】 ? PECVD = Plasma Enhanced CVD,等離子體 CVD? HDPCVD = HighDensity CVD,高密度 CVD薄膜沉 積? 氣體 通過熱反應(yīng)腔時(shí)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)薄膜沉 積? CVD反 應(yīng)過 程:1) 參加反應(yīng)的氣體混合物被輸運(yùn)到沉積區(qū)2) 反應(yīng)物由主氣流擴(kuò)散到襯底表面。比如,在 MOS場(chǎng)效應(yīng)管中,應(yīng)用化學(xué)氣相方法沉積的薄膜就包括多晶硅,二氧化硅、氮化硅等。 薄膜沉 積? 化學(xué)氣相沉積 (CVD)顧名思義,利用氣態(tài)的先驅(qū)反應(yīng)物,通過原子、分子間化學(xué)反應(yīng)的途徑生成固態(tài)薄膜的技術(shù)。薄膜沉 積l 根據(jù)需要,在晶圓的表面沉積一層目標(biāo)材料實(shí)現(xiàn)一定功能的過程稱為薄膜沉積,薄膜沉積包括以下幾個(gè)方面l 外延生長(zhǎng)技術(shù)l 電介質(zhì)淀積l 多晶硅淀積l 金屬化薄膜沉 積? 物理氣相沉積( PVD)指的是利用某種物理的過程,如物質(zhì)的熱蒸發(fā)或在受到粒子束轟擊時(shí)物理表面原子的濺射現(xiàn)象,實(shí)現(xiàn)物質(zhì)從原物質(zhì)到薄膜的可控的原子轉(zhuǎn)移過程。劑量控制結(jié)深控制擴(kuò) 散 與 離子注入? 擴(kuò) 散系 統(tǒng)固態(tài)源液態(tài)源擴(kuò) 散 與 離子注入? 所謂離子注入指先使待摻雜的原子或分子電離,再加速到一定的能量,使之注入到晶體中,然后經(jīng)過退火使雜質(zhì)激活。干法刻蝕主要形式有純化學(xué)過程(如屏蔽式,下游式,桶式),純物理過程(如離子銑),物理化學(xué)過程,常用的有反應(yīng)離子刻蝕 RIE,離子束輔助自由基刻蝕 ICP。? 其優(yōu)點(diǎn)是:各向異性好,選擇比高,可控性、靈活性、重復(fù)性好,細(xì)線條操作安全,易實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化,無化學(xué)廢液,處理過程未引入污染,潔凈度高。? 濕法刻蝕在半導(dǎo)體工藝中有著廣泛應(yīng)用:磨片、拋光、清洗、腐蝕 ? 優(yōu)點(diǎn)是選擇性好、重復(fù)性好、生產(chǎn)效率高、設(shè)備簡(jiǎn)單、成本低 ? 缺點(diǎn)是:鉆刻嚴(yán)重、對(duì)圖形的控制性較差,不能用于小的特征尺寸;會(huì)產(chǎn)生大量的化學(xué)廢液 光刻 與 刻 蝕? 干法刻蝕:利用等離子體將不要的材料去除(亞微米尺寸下刻蝕器件的最主要方法)。? 刻蝕最簡(jiǎn)單最常用分類是:濕法刻蝕和干法刻蝕。光刻 與 刻 蝕? 其次,把 圖 形 從 光刻 膠轉(zhuǎn) 移到晶 圓 上。近年來,在人們?yōu)榧{米級(jí)光刻技術(shù)探索出路的同時(shí),也出現(xiàn)了許多新的技術(shù)應(yīng)用于光刻工藝中,主要有干涉光刻技術(shù)、激光聚焦中性原子束光刻、立體光刻技術(shù)、全息光刻技術(shù)和掃描電化學(xué)光刻技術(shù)等等。它先采用照相復(fù)
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