模擬電子電路2章1(xxxx02)西北工業(yè)大學-文庫吧資料
2025-02-09 16:35本頁面
【正文】 的導電情況外電場 外加的 正向電壓 有一部分降落在 PN結(jié)區(qū)，方向與 PN結(jié)內(nèi)電場方向相反， 削弱了內(nèi)電場 。結(jié)論27 定義 當外加電壓使 PN結(jié)中 P區(qū)的電位高于 N區(qū)的電位，稱為 正向偏置 ，簡稱 正偏 。這個實驗說明 PN結(jié)（二極管）具有單向?qū)щ娦?。此時發(fā)光二極管導通而發(fā)光。 P區(qū)為正極； N區(qū)為負極。實驗 ： PN結(jié)的導電性 。在空間電荷區(qū)，由于缺少多子，所以也稱 耗盡層 。23在 N型和 P型半導體的結(jié)合面上發(fā)生物理過程 總結(jié) : 因濃度差空間電荷區(qū)形成內(nèi)電場 ? 內(nèi)電場促使少子漂移 ?內(nèi)電場阻止多子擴散 最后 ,多子的 擴散 和少子的 漂移 達到 動態(tài)平衡 。對于 P型半導體和 N型半導體結(jié)合面，離子薄層形成的 空間電荷區(qū) 稱為 PN結(jié) 。在半導體中還存在少子，內(nèi)電場的電場力會對少子產(chǎn)生作用，促使少數(shù)載流子產(chǎn)生 漂移運動 。4. 在 N型和 P型半導體界面的 N型區(qū)一側(cè)會形成正離子薄層；5. 在 N型和 P型半導體界面的 P型區(qū)一側(cè)會形成負離子薄層。在N型半導體和 P型半導體的結(jié)合面上形成 PN結(jié) 。 擴散電流大小與濃度梯度有關(guān)。 電場越強，載流子濃度越大飄移電流越強。本征激發(fā)本征激發(fā) 參雜參雜 本征激發(fā)本征激發(fā) 空穴是空穴是 多數(shù)載流子多數(shù)載流子 ，主要由摻雜形成；，主要由摻雜形成； 電子是電子是 少數(shù)載流子少數(shù)載流子 ，由熱激發(fā)形成，由熱激發(fā)形成 。 空穴15(2) P型半導體 空穴很容易俘獲電子，使雜質(zhì)原子成為負離子 。本征激發(fā)本征激發(fā) 參雜參雜 本征激發(fā)本征激發(fā) 電子是電子是 多數(shù)載流子多數(shù)載流子 ，主要由摻雜形成；，主要由摻雜形成； 空穴是空穴是 少數(shù)載流子少數(shù)載流子 ，由熱激發(fā)形成，由熱激發(fā)形成 。?漂移電流產(chǎn)生電子空穴對11導電性能發(fā)生變化(1) N型半導體(2) P型半導體 雜質(zhì)半導體在本征半導體中參入 雜質(zhì) 的半導體稱 雜質(zhì)的半導體 雜質(zhì)主要是三價或五價元素參入少量五價元素參入少量三價元素2 1 半導體基礎(chǔ)知識TextTextText參雜結(jié)果 形成兩種半導體材料12 (1） N型半導體 在本征半導體中摻入五價雜質(zhì)元素（例如磷），可形成 N型半導體 ,也稱 電子型半導體 。這一現(xiàn)象稱為本征激發(fā) ?本征激發(fā)?復合 自由電子 釋放能量 而進入有空
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